<光技術-14>
アンチモン系量子ドットの形成方法 
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登録日 :2007年11月22日 発明者 :山本直克・赤羽浩一・大谷直毅
特許番号 :特許第4041887号 技術分野 :「電気・電子」
出願人 :川西哲也 機能 :「機械・部品の製造」


ポイント 面発光レーザの長波長化に有効
背景 半導体上に量子ドットを形成する従来技術では、微細なナノスケールでの加工に不向きであったり、 加工時間がかかったりと、実用的ではなかった。

特徴 化合物半導体表面上に、アンチサーファクタントを付着させ、次にアンチサーファクタントが 付着した上記化合物半導体表面上に、アンチモン量子ドットを成長させて形成する。

適用製品 ●量子ドットレーザー
他に、量子コンピュータ、単電子トランジスタなど長波長系の光電子装置。また発光装置として利用することで光通信にも応用可能。

画面 画面図


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