Enhancement-mode β-Ga 2 O 3 metal–oxide–semiconductor field-effect transistors with low
series resistance were achieved by Si-ion implantation doping of the source/drain contacts
and access regions. An unintentionally doped Ga 2 O 3 channel with low background carrier
concentration that was fully depleted at a gate bias of 0 V gave rise to a positive threshold
voltage without additional constraints on the channel dimensions or device architecture.
Transistors with a channel length of 4 µm delivered a maximum drain current density (I DS) …

Enhancement-mode Ga₂O₃ MOSFETs with Si-Ion-Implanted Source
and Drain | CiNii Research CiNii 国立情報学研究所 学術情報ナビゲータ[サイニィ] 論文・データをさがす
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