深紫外LED高効率化への新たな展開： HVPE法を用いた単結晶AlN成長技術とAlN基板上深紫外LED
Toru Kinoshita, Yoshinao Kumagai, Shin-ichiro Inoue
本稿では、我々が研究開発を進めている光取出し効率向上の取組みなど、HVPE法窒化アルミニウム(AlN)基板上のAlGaN系深紫外LEDの最近の開発状況について概説した。