無機CsPbBr3ペロブスカイト量子ドットは、ELディスプレイへの活用が期待される発光材料である。本研究では、毒性のあるPb2+を高安定性のSn4+に置換できるホットインジェクション法を開発した。このSn置換により、CsPb1-xSnxBr3の発光量子効率の絶対値は、45%から83%まで増加した。エキシトンのダイナミクスの励起密度依存性を、過渡吸収分光、時間分解発光分光、単一ドット分光で調べ、Snドープによってトリオン生成が抑制されていることが明らかになった。

doi:10.1002/anie.201706860