
Beyond 5G/6G時代を支える半導体光デバイス技術
超小型・超高速大容量の光送受信デバイスを開発しています

プレスリリース
世界初、多数の光信号を同時に電気信号に変換する高速集積型受光素子を開発
世界初、多数の光信号を同時に電気信号に変換する高速集積型受光素子を開発
https://www.nict.go.jp/press/2017/09/14-1.html
特許
5504468号、6362402号、6884948号
特開
2017-147297、2019-009169

研究者より
最先端の通信を支える光デバイスについて材料(量子ドット)からデバイス、モジュール化まで研究開発を行っています。Beyond 5G/6G時代に必要となる高速・集積デバイスについて、NICTが有する基礎・基盤的シーズである量子ドットウェハ製造技術等の実用化や、そのデバイスを利用する応用システムを開発できるパートナーを募集しています。
概要
身近な中短距離での光ファイバ通信を実現するために、小型・高機能集積ICTデバイスを開発しています。特に化合物半導体等の材料を用いて、高品質結晶成長からデバイス設計、実際のデバイス試作までを行い、超小型・広帯域波長可変光源や高集積・二次元受光素子アレイに関する基盤技術を研究開発しています。代表的なデバイスの特長は以下のとおりです。
例1)高集積・二次元受光素子アレイ
25GHz級の高密度・高集積アレイで、空間多重された光信号の一括受信可能
例2)光電変換デバイス
単一デバイスでは100GHzまでの高速応答可能な素子
このほか集積光デバイスの研究開発も実施しています。さらに、緊密な産学官連携により実用化に必要な部品やシステムの周辺技術も研究しています。

提供内容・活用
本技術は、高品質結晶成長、デバイス設計・試作等の複数の要素技術で構成されます。各要素の研究開発や技術移転等で連携の可能性があります。 Beyond 5Gで必要な通信機器における活用も考えられます。



Beyond 5G/6G時代を支える半導体光デバイス技術
超小型・超高速大容量の光送受信デバイスを開発しています
関連情報
文献:特Tunable Dual-Wavelength Heterogeneous Quantum Dot Laser Diode With a Silicon External Cavity,” J. Light. Tech. 36. p. 219 (2018)