酸化ガリウムデバイス

酸化ガリウム (Ga2O3)という新しいワイドバンドギャップ半導体材料を用いたトランジスタ、ダイオードの研究開発を行っています。 Ga2O3は、現在主流の半導体シリコン (Si) は元より、近年盛んに開発が行われているシリコンカーバイド (SiC)、窒化ガリウム (GaN) と比べても、更に大きなバンドギャップに代表される優れた材料特性を有します。その結果、電力変換時のエネルギー損失の低減による大幅な省エネ効果をもたらす、革新的パワーデバイス材料として注目を集めております。また、単結晶大口径Ga2O3バルク・基板を融液成長法で製造可能なことから、本格的な産業化に漕ぎ着けた際、比較的安価な製品の供給が可能となる点も大きな魅力です。加えて、そのワイドバンドギャップに起因する優れた物性から、高温、放射線下といった、これまで半導体デバイス利用が想定されていなかった過酷な環境における、新たな実用分野の開拓も期待されます。

開発中のGa2O3トランジスタ、ダイオードは、パワースイッチングデバイス、高周波デバイス、極限環境デバイスと、多岐にわたる実用が期待されます。私たちの研究室では、Ga2O3を材料とした、大幅な省エネ効果が期待される革新的高効率パワーデバイス、高温・放射線下に代表される極限環境下で安定動作する情報通信デバイスの開発を行っています。共同研究開発をご相談させていただくことが可能です。