第95回 KARCコロキウムのご案内

第95回 KARCコロキウムは終了しました。ご参加ありがとうございました。


開催日時 2008年8月26日(火)  14:00〜16:00
開催場所 未来ICT研究センター 第2研究棟 3階 中会議室
講演1 「単一電子トンネル・デバイスによる有効な計算」
講演者 ソリン コトファナ 先生
(オランダ デルフト工科大学 大学院工学情報科学数学研究科 准教授
講演概要 基本的物理的な制限により、(C)MOSの集積化が限られることは一般に知られている。  単一電子トンネル技術のような、より大きな集積化のポテンシャルを持つ未来のナノエレクトロニクス技術についての研究が現在行われている。  それらのスイッチング動作によって、それぞれの論理回路デザイン・計算の新たなパラダイムを結果として生じる。  この発表において、単一電子トンネル技術と共に利用される可能なさまざまデザインスタイルの分析を解明する。  最初に、次の3つの同期的な単一電子トンネル技術のデザインスタイルを議論し、比較する: 単電子トランジスタに基づいたCMOSのようなロジック; 単電子トンネル接合の基本行動を利用する閾値素子に基づいた単一電子符号化ロジック;そして、電荷としての整数の直接符号化や電荷運送との組み合わせに基づいた電子カウントロジック。  その後、単電子トンネル技術に基づいた耐遅延計算及びゆらぎを積極的に使う計算を議論する。  分析により、単電子トンネル・デバイスの具体的な特徴を利用しての作動は、より多くの結果が期待できるアプローチであると示している。
講演2 「ナノドットアレイを用いた多入力・多出力単電子機能デバイス」
講演者 高橋 庸夫 先生
(北海道大学 大学院情報科学研究科 教授)
講演概要 「CMOSLSIが微細化による高機能化と低消費電力化の両立に大きな問題がある。  これに対して、単電子デバイスは、より小さなサイズで動作し、低消費電力が期待できる。  しかし、サイズの揺らぎは、単電子デバイスにとっても大きな問題である。  我々は、これを解決し、低消費電力で高機能な動作な可能なデバイスを目指して、多数のナノドットをアレイ状に配置したデバイスを提案する。  単電子デバイスの特徴として、多数の入力ゲートを配置することを可能とし、加えて多数の出力を取り付け、高機能で自由殿高いデバイスを目指し、実際にSiウエハ上に試作し、その基本的な特性を評価した。
使用言語 英語
参加費 無料
担当者 情報通信研究機構 神戸研究所 未来ICT研究センター
ナノICTグループ 主任研究員 ペパー フェルディナンド