ナノ光構造技術を駆使した深紫外LED ICTデバイスの高性能化への挑戦既存素子に対する深紫外LEDのインパクト深紫外LED、深紫外ICTが拓く安心・安全で持続可能な社会

研究員・技術員募集中

深紫外LED、先端ナノ光構造技術、深紫外光ICTデバイスが拓く未来

研究センター概要

深紫外光評価システム深紫外光ICTデバイス先端開発センターでは、フォトニック結晶や先端ナノ光構造技術などの基礎研究と、産官連携の取組みによる応用研究を融合することで、深紫外(DUV)発光素子や光ICTデバイスの高効率化、新機能創出に向けた研究開発を進め、従来性能限界を打破する深紫外光デバイスの実現に挑戦します。低環境負荷かつ小型・高効率・低コストな従来にない深紫外LEDや深紫外光ICTデバイスを実現することで、情報通信から環境、安全衛生、医療に至るまで、幅広い分野の生活・社会インフラに画期的な技術革新をもたらすことを目指します。

新着情報

ハイライト論文選出(2017年6月16日)
Optics Express誌に掲載された論文が本分野に貢献する優れた研究業績として Editor's Pickのハイライト論文に選出されました。
「Electrical determination of current injection and internal quantum efficiencies in AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes」
 Optics Express 25, A639-A648 (2017).
新聞掲載(2017年4月13日)
電子デバイス産業新聞(半導体産業新聞)に掲載されました。
「NICT 世界最高出力の深紫外LED NIL活用で150mW超」
新聞掲載(2017年4月10日)
電波タイムズに掲載されました。
『1面掲載』「世界最高出力深紫外LEDを開発 150mW超え、医療技術などの革新に期待 NICT」
記事掲載(2017年4月7日)
英文サイト「Japan Chemical Daily」に掲載されました。
「NICT and Tokuyama Develop Deep UV LED, Record New World High in Output」
記事掲載(2017年4月6日)
Yahoo!ニュースに掲載されました。
「NICT、深紫外LEDで実用域の光出力を達成」
記事掲載(2017年4月6日)
日経テクノロジーオンラインに掲載されました。
「情報通信研究機構、深紫外LEDの出力を50%超増」
記事掲載(2017年4月5日)
朝日新聞デジタルに掲載されました。
「150mW超(発光波長265nm)世界最高出力の深紫外LEDの開発に成功~殺菌、医療等応用が期待~」
新聞掲載(2017年4月5日)
化学工業日報に掲載されました。
『1面掲載』「深紫外LED 世界最高出力を達成 NICT トクヤマ チップ全面にナノ構造」
新聞掲載(2017年4月5日)
日刊工業新聞に掲載されました。
「深紫外LED 世界最高出力150ミリワット超 情通機構など開発 殺菌・医療向け活用」
新聞掲載(2017年4月5日)
日経産業新聞に掲載されました。
「出力10倍 殺菌用LED 20年までに実用化へ 情通機構など」
記事掲載(2017年4月4日)
オプトロニクス ONLINEに掲載されました。
「NICT,深紫外LEDの光出力150mW超を達成」
記事掲載(2017年4月4日)
日本経済新聞・電子版に掲載されました。
「NICT、150mW超(発光波長265nm)出力の深紫外LEDの開発に成功」
プレスリリース(2017年4月4日)
プレスリリースを行いました。
「150mW超(発光波長265nm)世界最高出力の深紫外LEDの開発に成功」
招待講演(2017年3月22日)
電子情報通信学会2017年総合大会のシンポジウム(窒化物半導体を用いた新光源とその応用)において、井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
記事掲載(2017年3月10日)
日経テクノロジーオンラインに当センターの研究開発に係る記事が掲載されました。
「深紫外LEDの光取り出し効率を驚異的に改善」
招待講演(2016年12月21日)
電子情報技術産業協会「第12回量子現象利用デバイス技術分科会」において、井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
招待講演(2016年9月19日)
国際会議 E-MRS (European Materials Research Society) Fall Meeting 2016 (@ Warsaw, Poland)におけるシンポジウム「AlN and AlGaN materials and devices」において、井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
招待講演(2016年9月16日)
LED Japan2016(パシフィコ横浜開催)のセミナー「次世代通信セミナー」において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
展示会出展(2016年9月14~16日)
パシフィコ横浜で開催された展示会「LED Japan2016」において深紫外光ICTデバイスに関する展示を行いました。
招待講演(2016年6月28日)
一般社団法人新技術協会の講演会(@霞が関 法曹会館)において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
展示会出展(2016年5月31日)
総務省で開催された展示会「未来を拓くICT展示会 in 霞が関」において深紫外光ICTデバイスに関する展示を行いました。
招待講演(2016年5月26日)
日本真空工業会(JVIC 関西支部)第30回定時総会講演会(@ホテル大阪ベイタワー)において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
招待講演(2016年5月19日)
国際会議 ALPS 2016 (The Advanced Lasers and Photon Sources Conference) (@ Pacifico Yokohama)において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
招待講演(2016年3月15日)
電子情報通信学会2016年総合大会のシンポジウム(新しい光源技術と応用的研究・開発)において、井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
記事掲載(2016年3月14日)
日経ビジネスオンラインに当センターの成果を一部紹介した記事が掲載されました。
「「未来の光」深紫外LEDでカビに勝利」
展示会出展(2016年1月27-29日)
nano tech2016に深紫外LEDの成果物を出展しました。
招待講演(2016年1月13日)
ライティング・ジャパン(東京ビッグサイト開催)のセミナー「加速するLED新技術開発 最前線を追う!」において、井上振一郎 センター長 が招待講演を行いました。
依頼講義(2015年11月27日)
東京工業大学から依頼を受け 井上振一郎 センター長 が物理電子システム創造専攻において講義を行いました。
招待講演(2015年11月18日)
国際会議 Energy Materials Nanotechnology (EMN) Ultrafast Meeting(@ Las Vegas, USA)において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
採択結果プレスリリース(2015年11月16日)
科学技術振興機構(JST)研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラ ム(A-STEP)シーズ育成タイプに新規採択されました。
研究課題名:「高出力化を実現する深紫外LED光源技術の開発」
研究責任者:井上振一郎 センター長
JSTプレスリリースはこちら
記事掲載(2015年11月9日)
日経ビジネスに当センターの成果を一部紹介した記事が掲載されました。 「未来テック」2015年11月9日号掲載
海外記事掲載(2015年8月31日)
CSA Research(2015年上半期LED照明市場政策)に掲載されました。 「深紫外LED出力パワーのブレークスルー」
招待講演(2015年7月17日)
電気学会 光・量子デバイス研究会において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました
招待講演(2015年6月9日)
R-Soft特別セミナー2015において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました
招待講演(2015年5月26日)
応用物理学会 微小光学研究会において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
海外記事掲載(2015年4月30日)
LED Newsに掲載されました。 「Latest news on LED technology: Increasing power and efficiency of 265nm-wavelength LEDs」
海外記事掲載(2015年4月21日)
Semiconductor Todayに掲載されました。「Increasing power and efficiency of 265nm-wavelength LEDs
テレビ報道(2015年4月2日)
テレビ東京系のニュース番組(Mプラス11)において深紫外LEDの成果がTV放映されました。
新聞掲載(2015年4月7日)
日本経済新聞に掲載されました。「10倍強い深紫外線照射 殺菌効果高いLED 情通機構など」
新聞掲載(2015年4月7日)
日経産業新聞に掲載されました。「LED殺菌力向上 深紫外波長領域 出力9倍に 情通機構など」
新聞掲載(2015年4月3日)
フジサンケイビジネスアイに掲載されました。「深紫外LEDの開発成功を好感」
新聞掲載(2015年4月2日)
日刊工業新聞に掲載されました。「90ミリワット超の最高出力 情通機構など 小型深紫外LED開発」
記事掲載(2015年4月1日)
日経テクノロジーオンラインに掲載されました。「高出力の深紫外LED 殺菌用水銀ランプを代替可能に」
プレスリリース(2015年4月1日)
プレスリリースを行いました「世界最高出力(90mW超)の深紫外LEDの開発に成功」
技術解説(2015年3月5日)
技術総合誌オームに深紫外LEDに関する井上振一郎 センター長の解説記事が掲載されました。
展示会出展(2015年1月28-30日)
nano tech2015に深紫外LEDの成果物を出展致しました。
ホームページ開設(2014年12月15日)
深紫外光ICTデバイス先端開発センターのホームページを開設致しました。
招待講演(2014年11月21日)
電子情報通信学会OPE/OME研究会において 井上振一郎 センター長 が招待講演を行いました。
依頼講義(2014年10月15日)
東京工業大学から委託を受け 井上振一郎 センター長 が物理電子システム創造専攻において講義を行いました。
招待講演(2014年9月26日)
電子情報通信学会ソサイエティ大会(光エレクトロニクス)において 井上振一郎 センター長 が招待講演を行いました。
受賞(2014年9月17日)
応用物理学会論文賞を 井上振一郎 センター長 が共同研究者(Tokuyama, Hexa Tech, 農工大, North Carolina State Univ.)とともに受賞しました。
センター開設(2014年8月1日)
深紫外光ICTデバイス先端開発センターが発足しました。

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