＜光技術-14＞ アンチモン系量子ドットの形成方法　 ：2007年11月22日 ：山本直克・赤羽浩一・大谷直毅 ：特許第4041887号 ：「電気・電子」 ：川西哲也 ：「機械・部品の製造」 面発光レーザの長波長化に有効 半導体上に量子ドットを形成する従来技術では、微細なナノスケールでの加工に不向きであったり、 加工時間がかかったりと、実用的ではなかった。 化合物半導体表面上に、アンチサーファクタントを付着させ、次にアンチサーファクタントが 付着した上記化合物半導体表面上に、アンチモン量子ドットを成長させて形成する。 ●量子ドットレーザー 他に、量子コンピュータ、単電子トランジスタなど長波長系の光電子装置。また発光装置として利用することで光通信にも応用可能。