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 著書・雑誌解説記事

学術論文


2022
  • S. Kumar, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Vertical β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with trench staircase field plate," Appl. Phys. Express vol. 15, pp. 054001 (2022).
  • K. Goto, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, and Y. Kumagai, "Effect of substrate orientation on homoepitaxial growth of β-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy," Appl. Phys. Lett. vol. 120, pp. 102102 (2022).
  • J. Liang, D. Takatsuki, M. Higashiwaki, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, and N. Shigekawa, "Fabrication of β-Ga2O3/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high-power device applications," Jpn. J. Appl. Phys. vol. 61, pp. SF1001 (2022).
  • Z. Wang, D. Takatsuki, J. Liang, T. Kitada, N. Shigekawa, and M. Higashiwaki, "Fabrication of n-Si/n-Ga2O3 heterojunctions by surface-activated bonding and their electrical properties," J. Appl. Phys. vol. 131, pp. 074501 (2022).
  • X. Zheng, T. Moule, J. W. Pomeroy, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "A trapping tolerant drain current based temperature measurement of β-Ga2O3 MOSFETs," Appl. Phys. Lett. vol. 120, pp. 073502 (2022).
  • A. J Green, J. S. Speck, H. G. Xing, P. Moens, F. Allerstam, K. Gumaelius, T. Neyer, A. Arias-Purdue, V. Mehrotra, A. Kuramata, K. Sasaki, S. Watanabe, K. Koshi, J. D. Blevins, O. Bierwagen, S. Krishnamoorthy, K. D. Leedy, A. R. Arehart, A. T. Neal, S. Mou, S. A. Ringel, A. Kumar, A. Sharma, K. Ghosh, U. Singisetti, W. Li, K. D. Chabak, K. Liddy, A. E. Islam, S. Rajan, S. Graham, S. Choi, Z. Cheng, and M. Higashiwaki," APL Materials Roadmap - β-gallium oxide power electronics," APL Mater. vol. 10, pp. 029201 (2022).
  • M. Higashiwaki, "β-Ga2O3 material properties, growth technologies, and devices: a review," AAPPS Bulletin vol. 32, an. 3 (2022): [Invited review].
2021
  • M. Fregolent, C. De Santi, M. Buffolo, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E, Zanoni, and M. Meneghini, "Impact of thermal annealing on deep levels in nitrogen-implanted β-Ga2O3 Schottky barrier diodes," J. Appl. Phys. vol. 130, pp. 245704 (2021).
  • M. Higashiwaki, "β-gallium oxide devices: Progress and outlook," Phys. Status Solidi (RRL) vol. 15, pp. 2100357 (2021): [Invited review: 60 years of pss].
  • A. Mannan, K. Yamahara, F. R. G. Bagsican, K. Serita, H. Murakami, I. Kawayama, M. Higashiwaki, and M. Tonouchi, "Terahertz emission spectroscopy of GaN-based heterostructures," J. Appl. Phys. vol. 129, pp. 245702 (2021).
  • T. Onuma, K. Sasaki, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Selective observation of transverse optical phonons of Au modes to evaluate free charge carrier parameters in β-Ga2O3 substrate and homoepitaxial film," Appl. Phys. Lett. vol. 118, pp. 252101 (2021).
  • M. Nakanishi, M. H. Wong, T. Yamaguchi, T. Honda, M. Higashiwaki, and T. Onuma, "Effect of thermal annealing on photoexcited carriers in nitrogen-ion-implanted β-Ga2O3 crystals detected by photocurrent measurement," AIP Advances vol. 11, pp. 035237 (2021).
  • T. Kamimura, Y. Nakata, and M. Higashiwaki, "Effect of (AlGa)2O3 back barrier on device characteristics of β-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with Si-implanted channel," Jpn. J. Appl. Phys. vol. 60, pp. 030906 (2021).
  • M. H. Wong, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Aperture-limited conduction and its possible mechanism in ion-implanted current aperture vertical β-Ga2O3 MOSFETs," Appl. Phys. Lett. vol. 118, pp. 012102 (2021).
2020
  • C. De Santi, M. Fregolent, M. Buffolo, M. H. Wong, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E. Zanoni, and M. Meneghini, "Carrier capture kinetics, deep levels and isolation properties of β-Ga2O3 Schottky-barrier diodes damaged by nitrogen implantation," Appl. Phys. Lett. vol. 117, pp. 262108 (2020).
  • T. Kamimura, Y. Nakata, and M. Higashiwaki, "Delay-time analysis in radio-frequency β-Ga2O3 field effect transistors," Appl. Phys. Lett. vol. 117, pp. 253501 (2020).
  • A. Mishra, T. Moule, M. J. Uren, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Characterization of trap states in buried nitrogen-implanted β-Ga2O3," Appl. Phys. Lett. vol. 117, pp. 243505 (2020).
  • S. Kumar, T. Kamimura, C.-H. Lin, Y. Nakata, and M. Higashiwaki, "Reduction in leakage current through interface between Ga2O3 epitaxial layer and substrate by ion implantation doping of compensating impurities," Appl. Phys. Lett. vol. 117, pp. 193502 (2020).
  • M. H. Wong and M. Higashiwaki, "Vertical β-Ga2O3 power transistors: A review," IEEE Trans. Electron Devices Lett. vol. 67, no. 10, pp. 3925-3937 (2020): [Invited paper].
  • M. H. Wong, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Enhancement-mode β-Ga2O3 current aperture vertical MOSFETs with N-ion-implanted blocker," IEEE Electron Device Lett. vol. 41, no. 2, pp. 296-299 (2020).
2019
  • T. Onuma, K. Tanaka, K. Sasaki, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Electroreflectance study on optical anisotropy in β-Ga2O3," Appl. Phys. Lett. vol. 115, pp. 231102 (2019).
  • C. De Santi, A. Nardo, M. H. Wong, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E. Zanoni, and M. Meneghini, "Stability and degradation of isolation and surface in Ga2O3 devices," Microelectronics Reliability vol. 100–101, pp. 113453 (2019).
  • M. H. Wong and M. Higashiwaki, "Gallium oxide field effect transistors — Establishing new frontiers of power switching and radiation-hard electronics," Int. J. High Speed Electron. Syst., vol. 28, no. 1-2, pp. 1940002 (2019): [Invited review].
  • C.-H. Lin, Y. Yuda, M. H. Wong, M. Sato, N. Takekawa, K. Konishi, T. Watahiki, M. Yamamuka, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Vertical Ga2O3 Schottky barrier diodes with guard ring formed by nitrogen-ion implantation," IEEE Electron Device Lett. vol. 40, no. 9, pp. 1487-1490 (2019).
  • T. Kamimura, Y. Nakata, M. H. Wong, and M. Higashiwaki, "Normally-off Ga2O3 MOSFETs with unintentionally nitrogen-doped channel layer grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy," IEEE Electron Device Lett. vol. 40, no. 7, pp. 1064-1067 (2019).
  • M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Current aperture vertical β-Ga2O3 MOSFETs fabricated by N- and Si-ion implantation doping," IEEE Electron Device Lett. vol. 40, no. 3, pp. 431-434 (2019).
  • J. W. Pomeroy, C. Middleton, M. Singh, S. Dalcanale, M. J. Uren, M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Raman thermography of peak channel temperature in β-Ga2O3 MOSFETs," IEEE Electron Device Lett. vol. 40, no. 2, pp. 189-192 (2019).
  • C.-H. Lin, N. Hatta, K. Konishi, S. Watanabe, A. Kuramata, K. Yagi, and M. Higashiwaki, "Single-crystal-Ga2O3/polycrystalline-SiC bonded substrate with low thermal and electrical resistances at the heterointerface," Appl. Phys. Lett. vol. 114, pp. 032103 (2019).
2018
  • K. Goto, K. Konishi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, M. Higashiwaki, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Halide vapor phase epitaxy of Si doped β-Ga2O3 and its electrical properties," Thin Solid Films vol. 666, pp. 182-184 (2018).
  • M. Singh, M. A. Casbon, M. J. Uren, J. W. Pomeroy, S. Dalcanale, S. Karboyan, P. J. Tasker, M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Pulsed large signal RF performance of field-plated Ga2O3 MOSFETs," IEEE Electron Device Lett. vol. 39, no. 10, pp. 1572-1575 (2018).
  • M. H. Wong, C.-H. Lin, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Acceptor doping of β-Ga2O3 by Mg and N ion implantations," Appl. Phys. Lett., vol. 113, pp. 102103 (2018).
  • T. Onuma, Y. Nakata, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Modeling and interpretation of UV and blue luminescence intensity in β-Ga2O3 by silicon and nitrogen doping," J. Appl. Phys. vol. 124, pp. 075103 (2018).
  • H. Gao, S. Muralidharan, N. Pronin, M. R. Karim, S. M. White, T. Asel, G. Foster, S. Krishnatmoorthy, S. Rajan, L. R. Cao, M. Higashiwaki, H. von Wenckstern, M. Grundmann, H. Zhao, D. C. Look, and L. J. Brillson, "Optical signatures of deep level defects in Ga2O3," Appl. Phys. Lett. vol. 112, pp. 242102 (2018).
  • K. Konishi, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and Y. Kumagai, "Comparison of O2 and H2O as oxygen source for homoepitaxial growth of β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy," J. Cryst. Growth vol. 492, pp. 39-44 (2018).
  • M. H. Wong, K. Goto, Y. Morikawa, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "All-ion-implanted planar-gate current aperture vertical Ga2O3 MOSFETs with Mg-doped blocking layer," Appl. Phys. Express vol. 11, pp. 064102 (2018).
  • M. Ono, K. Sasaki, H. Nagai, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Sato, T. Honda, and T. Onuma, "Relation between electrical and optical properties of p-type NiO films," Phys. Status Solidi B, vol. 255, pp. 1700311 (2018).
  • M. Higashiwaki and G. H. Jessen, "The dawn of gallium oxide microelectronics," Appl. Phys. Lett. vol. 112, pp. 060401 (2018): [Guest Editorial].
  • M. H. Wong, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Radiation hardness of β-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors against gamma-ray irradiation," Appl. Phys. Lett. vol. 112, pp. 023503 (2018).
  • J. Y. Tsao, S. Chowdhury, M. Hollis, D. Jena, N. M. Johnson, K. A. Jones, R. J. Kaplar, S. Rajan, C. Van de Walle, E. Bellotti, C. L. Chua, R. Collazo, M. E. Coltrin, J. A. Cooper, K. Evans, S. Graham, T. A. Grotjohn, E. R. Heller, M. Higashiwaki, M. Saif Islam, P. W. Juodawlkis, A. Khan, A. D. Koehler, J. Leach, U. K. Mishra, R. J. Nemanich, R. Pilawa-Podgurski, J. B. Shealy, Z. Sitar, M. J. Tadjer, A. F. Witulski, M. Wraback, and J. A. Simmons, "Ultrawide-bandgap semiconductors: research opportunities and challenges," Adv. Electron. Mater. vol. 4, pp. 1600501 (2018): [Review].
  • S. Knight, A. Mock, R. Korlacki, V. Darakchieva, B. Monemar, Y. Kumagai, K. Goto, M. Higashiwaki, and M. Schubert, "Electron effective mass in Sn-doped monoclinic single crystal β-gallium oxide determined by mid-infrared optical Hall effect," Appl. Phys. Lett. vol. 112, pp. 012103 (2018).
2017
  • A. Mock, R. Korlacki, C. Briley, V. Darakchieva, B. Monemar, Y. Kumagai, K. Goto, M. Higashiwaki, and M. Schubert, "Band-to-band transitions, selection rules, effective mass, and excitonic contributions in monoclinic β-Ga2O3," Phys. Rev. B vol. 96, pp. 245205 (2017).
  • M. Higashiwaki, A. Kuramata, H. Murakami, and Y. Kumagai, "State-of-the-art technologies of gallium oxide power devices," J. Phys. D: Appl. Phys., vol. 50, no. 33, pp. 333002 (2017): [Topical review].
  • K. Sasaki, D. Wakimoto, Q. T. Thieu, Y. Koishikawa, A. Kuramata, M. Higashiwaki, and S. Yamakoshi, "First demonstration of Ga2O3 trench MOS-type Schottky barrier diodes," IEEE Electron Device Lett. vol. 38, no. 6, pp. 783-785 (2017).
  • K. Konishi, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "1-kV vertical Ga2O3 field-plated Schottky barrier diodes," Appl. Phys. Lett. vol. 110, pp. 103506 (2017).
  • M. H. Wong, Y. Nakata, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Enhancement-mode Ga2O3 MOSFETs with Si-ion-implanted source and drain," Appl. Phys. Express vol. 10, pp. 041101 (2017).
  • T. P. Chow, I. Omura, M. Higashiwaki, H. Kawarada, and V. Pala, "Smart power devices and ICs using GaAs and wide and extreme bandgap semiconductors," IEEE Trans. Electron Devices vol. 64, no. 3, pp. 856-873 (2017): [Invited paper].
2016
  • N. T. Son, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, M. Higashiwaki, A. Koukitu, S. Yamakoshi, B. Monemar, and E. Janzén, "Electronic properties of the residual donor in unintentionally doped β-Ga2O3," J. Appl. Phys. vol. 120, pp. 235703 (2016).
  • M. H. Wong, Y. Morikawa, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Characterization of channel temperature in Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by electrical measurements and thermal modeling," Appl. Phys. Lett. vol. 109, pp. 193503 (2016).
  • M. Higashiwaki, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Kuramata, "Current status of Ga2O3 power devices," Jpn, J. Appl. Phys., vol. 55, pp. 1202A1 (2016): [Invited review].
  • M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Electron channel mobility in silicon-doped Ga2O3 MOSFETs with a resistive buffer layer," Jpn, J. Appl. Phys. vol. 55, pp. 1202B9 (2016).
  • T. Kamimura, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Epitaxially grown crystalline Al2O3 interlayer on β-Ga2O3 (010) and its suppressed interface state density," Jpn, J. Appl. Phys., vol. 55, pp. 1202B5 (2016).
  • T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, and M. Higashiwaki, "Spectroscopic ellipsometry studies on β-Ga2O3 films and single crystal," Jpn, J. Appl. Phys. vol. 55, pp. 1202B2 (2016).
  • 東脇 正高、倉又 朗人、村上 尚、熊谷 義直, "酸化ガリウムパワーデバイス開発の現状," 電子情報通信学会和文論文誌C vol. J99-C, no. 9, pp. 448-455 (2016): [招待論文].
  • 東脇 正高、佐々木 公平、村上 尚、熊谷 義直、倉又 朗人, "酸化ガリウムショットキーバリアダイオード," 電気学会論文誌C vol. 136, pp. 479-483 (2016).
  • M. Higashiwaki, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Temperature-dependent capacitance-voltage and current-voltage characteristics of Pt/Ga2O3 (001) Schottky barrier diodes fabricated on n--Ga2O3 drift layers grown by halide vapor phase epitaxy," Appl. Phys. Lett. vol. 108, pp. 133503 (2016).
  • M. Schubert, R. Korlacki, S. Knight, T. Hofmann, S. Schöche, V. Darakchieva, E. Janzén, B. Monemar, D. Gogova, Q.-T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Anisotropy, phonon modes, and free charge carrier parameters in monoclinic β-gallium oxide single crystals," Phys. Rev. B vol. 93, pp. 125209 (2016).
  • F. Ricci, F. Boschi, A. Barldi, A. Filippetti, M. Higashiwaki, A. Kuramata, V. Fiorentini, and R. Fornari, "Theoretical and experimental investigation of optical absorption anisotropy in β-Ga2O3," J. Phys.: Condens. Matter vol. 28, pp. 224005 (2016).
  • T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, K. Goto, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, and M. Higashiwaki, "Temperature-dependent exciton resonance energies and their correlation with IR-active optical phonon modes in β-Ga2O3 single crystals," Appl. Phys. Lett. vol. 108, pp. 101904 (2016).
  • K. Konishi, T. Kamimura, M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Large conduction band offset at SiO2/β-Ga2O3 heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy," Physica Status Solidi B vol. 253, no. 4, pp. 623-625 (2016).
  • M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Field-plated Ga2O3 MOSFETs with a breakdown voltage of over 750 V," IEEE Electron Device Lett. vol. 37, no. 2, pp. 212-215 (2016).
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Recent progress in Ga2O3 power devices," Semicond. Sci. Technol. vol. 31, pp. 034001 (2016): [Invited review].
2015
  • T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki, "Valence band ordering in β-Ga2O3 studied by polarized transmittance and reflectance spectroscopy," Jpn, J. Appl. Phys. vol. 54, pp. 112601 (2015).
  • T. Onuma, Y. Sugiura, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki, "Impacts of AlOx formation on emission properties of AlN/GaN heterostructures," Appl. Phys. Exp. vol. 8, pp. 052401 (2015).
  • Z. Guo, A. Verma, X. Wu, F. Sun, A. Hickman, T. Masui, A. Kuramata, M. Higashiwaki, D. Jena, and T. Luo, "Anisotropic thermal conductivity in single crystal β-gallium oxide," Appl. Phys. Lett. vol. 106, pp. 111909 (2015).
  • M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Anomalous Fe diffusion in Si-ion-implanted β-Ga2O3 and its suppression in Ga2O3 transistor structures through highly resistive buffer layers," Appl. Phys. Lett. vol. 106, pp. 032105 (2015).
  • H. Murakami, K. Nomura, K. Goto, K. Sasaki, K. Kawara, Q. T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and A. Koukitu, "Homoepitaxial growth of β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy," Appl. Phys. Exp. vol. 8, pp. 015503 (2015).
2014
  • Y. Sugiura, T. Honda, and M. Higashiwaki, "Growth of crystallized AlOx on AlN/GaN heterostructures by in-situ RF-MBE," J. Cryst. Growth, vol. 405, pp. 64-67 (2014).
  • H. Okumura, M. Kita, K. Sasaki, A. Kuramata, M. Higashiwaki, and J. S. Speck, "Systematic investigation of the growth rate of β-Ga2O3 (010) by plasma-assisted molecular beam epitaxy," Appl. Phys. Exp. vol. 7, pp. 095501 (2014).
  • T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, Y. Itoh, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, and T. Honda, "Polarized Raman spectra in β-Ga2O3 single crystals," J. Cryst. Growth, vol. 401, pp. 330-333 (2014).
  • T. Kamimura, K. Sasaki, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Band alignment and electrical properties of Al2O3/β-Ga2O3 heterojunctions," Appl. Phys. Lett. vol. 104, pp. 192104 (2014).
  • K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Growth temperature dependences of structural and electrical properties of Ga2O3 epitaxial films grown on β-Ga2O3 (010) substrates by molecular beam epitaxy," J. Cryst. Growth vol. 392, pp. 30-33 (2014).
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Development of gallium oxide power devices," Phys. Status Solidi A vol. 211, no. 1, pp. 21-26 (2014): [Invited review].
2013
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Depletion-mode Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga2O3 (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics," Appl. Phys. Lett. vol. 103, pp. 123511 (2013).
  • K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "MBE grown Ga2O3 and its power device applications," J. Cryst. Growth vol. 378, pp. 591–595 (2013).
  • T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, and T. Honda, "Correlation between blue luminescence intensity and resistivity in β–Ga2O3 single crystals," Appl. Phys. Lett. vol. 103, pp. 041910 (2013).
  • K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Si-ion implantation doping in β-Ga2O3 and its application to fabrication of low-resistance ohmic contacts," Appl. Phys. Exp. vol. 6, pp. 086502 (2013).
  • K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Ga2O3 Schottky barrier diodes fabricated by using single-crystal β–Ga2O3 (010) substrates," IEEE Electron Device Lett. vol. 34, no. 4, pp. 493-495 (2013).
2012
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β–Ga2O3 (010) substrates," Appl. Phys. Lett. vol. 100, pp. 013504 (2012).

国際会議招待講演


2022
  • M. Higashiwaki, Z. Wang, T. Kitada, N. Hatta, K. Yagi, J. Liang, and N. Shigekawa, "Development of surface-activated bonding technologies to compensate for shortcomings of Ga2O3 devices," 2022 MRS Spring Meeting and Exhibit, Honolulu, Hawaii, USA / Zoom (on-site/online hybrid event), May 8-13 (onsite), 23-25 (online), 2022.
  • M. Higashiwaki, "Ga2O3 for Power Electronics," IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2022), Vancouver, Canada / Zoom (on-site/online hybrid event), May 22-25, 2022: [Short course].
  • M. Higashiwaki, "Gallium oxide power device technologies," 2022 International Power Electronics Conference (IPEC 2022), Himeji, Hyogo, Japan, May 15-19, 2022.
2021
  • M. Higashiwaki, T. Kamimura, and S. Kumar, "High-frequency Ga2O3 FETs and interface related challenges in their development," 52nd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (IEEE SISC 2021), San Diego, CA, USA / Zoom (on-site/online hybrid event), Dec. 8-11, 2021.
  • M. Higashiwaki and T. Kamimura, "High-frequency Ga2O3 field-effect transistor technology for wireless communications," International Union of Materials Research Societies - International Conference in Asia 2021 (IUMRS-ICA 2021), Jeju, Korea / Zoom (on-site/online hybrid event), Oct. 3-9, 2021.
  • M. Higashiwaki and T. Kamimura, "Development of high-frequency β-Ga2O3 field-effect transistors aiming for applications to harsh-environment electronics," AAAFM-UCLA International Conference on Advances in Functional Materials (AAAFM-UCLA 2021), Online (Zoom), Aug. 18-20, 2021.
  • M. Higashiwaki and T. Kamimura, "Current status of lateral and vertical Ga2O3 FET technologies," 22nd Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2021), Online (Teams), June 28-July 2, 2021.
  • M. Higashiwaki, "Gallium oxide FETs for power switching and RF applications," 44th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE 2021), Online (Zoom), June 14-17, 2021: [Plenary, Hartnagel Lecture].
  • M. Higashiwaki, "Gallium Oxide: The Star of Hope for Compound Semiconductors?," Compound Semiconductor Week 2021 (CSW 2021), Online (Zoom), May 9-13, 2021: [Keynote].
  • M. Higashiwaki and T. Kamimura, "Progress in lateral Ga2O3 field-effect transistor technology for high-frequency wireless communications," 2021 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2021), Chengdu, China (on-site) / Online hybrid, Apr. 8-11, 2021.
  • M. Higashiwaki and T. Kamimura, "Progress in lateral Ga2O3 field-effect transistor technology for high-frequency wireless communications," SPIE Photonics West 2021, Online, March 6-11, 2021.
  • Y. Kumagai, K. Goto, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Thermodynamic and experimental study of β-Ga2O3 growth by halide vapor phase epitaxy for fabrication of epitaxial wafers for power device applications," International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs 2021), Online (Zoom), Jan. 19-21, 2021.
2020
  • Y. Kumagai, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Halide vapor phase epitaxy of group-III sesquioxides," 2020 MRS Spring and Fall Joint Meeting & Exhibit, Online (Zoom), Nov. 28-Dec. 4, 2020.
  • M. Higashiwaki and T. Kaminura, "Development of highly scaled Ga2O3 field-effect transistors," 5th International Conference on Emerging Electronics (ICEE 2020), Online (WebEx), Nov. 26-28, 2020.
  • M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Fundamentals and process technologies of current aperture vertical Ga2O3 MOSFETs," 237th ECS Meeting, Montreal, Canada, May 10-14, 2020:(コロナウィルス禍のため会議は中止.アブストラクトはオンラインで出版され、発表としては成立).
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Vertical gallium oxide transistors with current aperture formed using nitrogen-ion implantation process," 2020 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2020), Penang, Malaysia, March 15-18, 2020:(コロナウィルス禍のためオンライン会議に変更).
  • M. Higashiwaki, C.-H. Lin, and Y. Nakata, "Effects of high-temperature annealing and nitrogen-ion implantation doping on electrical properties of n-Ga2O3 layers," 56th Workshop on Compound Semiconductor Materials & Devices (WOCSEMMAD 2020), Palm Springs, CA, USA, Feb. 16-19, 2020.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Recent progress in gallium oxide power transistor technologies," 3rd Symposium for The Core Research Clusters for Materials Science and Spintoronics, Sendai, Miyagi, Japan, Feb. 10-11, 2020.
  • M. Higashiwaki, T. Kamimura, and Y. Nakata, "Elemental device technologies developed for lateral Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors," SPIE Photonics West 2020, San Francisco, CA, USA, Feb. 1-6, 2020.
  • M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Vertical Ga2O3 transistors based on ion implantation doping technology," SPIE Photonics West 2020, San Francisco, CA, USA, Feb. 1-6, 2020.
  • K. Goto, N. Takekawa, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, M. Higashiwaki, and Y. Kumagai, "Current status of halide vapor phase epitaxy of Ga2O3 and related sesquioxides," SPIE Photonics West 2020, San Francisco, CA, USA, Feb. 1-6, 2020.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Nitrogen doping of gallium oxide by ion implantation and its application to vertical transistors," 47th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-47), Boulder, CO, USA, Jan. 19-23, 2020.
2019
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Vertical Ga2O3 MOSFETs fabricated by ion implantation process," 2019 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS 2019), Kohala Coast, HI, USA, Dec. 1-6, 2019.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Process and characterization of vertical Ga2O3 Transistors," 17th International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IEEE IMFEDK 2019), Kyoto, Kyoto, Japan, Nov. 14-15, 2019.
  • M. Schubert, A. Mock, S. Knight, M. Hilfiker, M. Stokey, V. Darakchieva, A. Papamichail, R. Korlacki, M.J. Tadjer, Z. Galazka, G. Wagner, N. Blumenschein, A. Kuramata, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, A. Mauze, Y. Zhang, and J. S. Speck,"Phonons, free charge carriers, excitons and band-to-band transitions in beta Ga2O3 and related alloys determined by ellipsometry and optical Hall effect," 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), Onna, Okinawa, Nov. 10-14, 2019.
  • Y. Kumagai, K. Goto, K. Konishi, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and M. Higashiwaki, "Homoepitaxial growth of β-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy for the preparation of epitaxial wafers for vertical power device application," 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), Onna, Okinawa, Nov. 10-14, 2019.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Development of vertical Ga2O3 power transistors," 5th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2019), Jeju, Korea, Nov. 5-8, 2019.
  • A. Mock, S. Knight, M. Hilfiker, V. Darakchieva, A. Papamichail, R. Korlacki, M. J. Tadjer, Z. Galazka, G. Wagner, N. Blumenschein, A. Kuramata, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, A. Mauze, Y. Zhang, J. S. Speck, and M. Schubert, "The physics of low symmetry metal oxides: Applications of ellipsometry,'' AVS 66th International Symposium & Exhibition (AVS 2019), Columbus, OH, USA, Oct. 20-25, 2019.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Nitrogen-ion implantation doping of Ga2O3 and its application to transistors," 236th ECS Meeting, Atlanta, GA, USA, Oct. 13-17, 2019: [Keynote].
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Vertical β-Ga2O3 transistors for power switching applications," 11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-11), Nara, Japan, Oct. 7-9, 2019.
  • Y. Kumagai, K. Konishi, K. Goto, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and M. Higashiwaki, "Growth of gallium oxide by HVPE," 3rd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-3), Columbus, OH, USA, Aug. 13-15, 2019.
  • M. Higashiwaki, "Evolution of Ga2O3 Power Devices: Past, Present, and Future," 3rd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-3), Columbus, OH, USA, Aug. 13-15, 2019: [Keynote].
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Vertical Ga2O3 transistors fabricated by ion implantation doping," 235th ECS Meeting, Dallas, TX, USA, May 26-30, 2019.
  • M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "β-Ga2O3 MOSFETs with nitrogen-ion-implanted back-barrier: DC performance and trapping effects," Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), Nara, Japan, May 19-23, 2019.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, T. Kamimura, Y. Nakata, C.-H. Lin, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Recent progress in vertical Ga2O3 transistors," SPIE Photonics West 2019, San Francisco, CA, USA, Feb. 2-7, 2019.
  • M. Schubert, A. Mock, R. Korlacki, S. Knight, V. Darakchieva, S. Galazka, G. Wagner, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Goto, M. Higashiwaki, and J. Speck, "Phonon-plasmon coupling in monoclinic symmetry Ga2O3," SPIE Photonics West 2019, San Francisco, CA, USA, Feb. 2-7, 2019.
2018
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, T. Kamimura, Y. Nakata, C.-H. Lin, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, Manikant, J. W. Pomeroy, M. J. Uren, M. A. Casbon, P. J. Tasker, K. Goto, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Kuball, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Advances in Ga2O3 MOSFETs for power switching and beyond," 2018 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, MA, USA, Nov. 25-30, 2018.
  • Y. Kumagai, K. Goto, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Preparation of β-Ga2O3 epitaxial wafers by HVPE method," The 6th Japan-China Symposium on Crystal Growth and Crystal Technology, Suita, Osaka, Japan, Oct. 21-24, 2018.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, K. Goto, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Ga2O3 field-effect transistor technologies: Recent advances and future perspectives," 4th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium: Advanced Oxides and Wide Bandgap Semiconductors, Crete, Greece, Oct. 14-19, 2018.
  • M. H. Wong, Y. Nakata, C.-H. Lin, K. Sasaki, Y. Morikawa, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Ga2O3 power transistors: The promise, the reality, and future directions," E-MRS 2018 Fall Meeting, Warsaw, Poland, Sep. 17-20, 2018.
  • H. Murakami, K. Konishi, K. Goto, Q.-T. Thieu, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, Y. Kumagai, "Progress in halide vapor phase epitaxy of Ga2O3," E-MRS 2018 Fall Meeting, Warsaw, Poland, Sep. 17-20, 2018.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, C.-H. Lin, N. Hatta, K. Yagi, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Konishi, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Recent progress in Ga2O3 MOSFETs," 3rd US Workshop on Gallium Oxide (GOX 2018), Columbus, OH, USA, Aug. 15-16, 2018.
  • T. Kamimura, Y. Nakata, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Characterization of nitrogen-doped β-Ga2O3 (010) thin films grown by ozone MBE," Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2018, Incheon/Seoul, Korea, June 25-29, 2018.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, T. Kamimura, Y. Nakata, C.-H. Lin, R. Lingaparthi, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, N. Hatta, K. Yagi, K. Goto, K. Sasaki, S. Watanabe, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Konishi, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Recent advances in Ga2O3 MOSFET technologies," 76th Device Research Conference (DRC 2018), Santa Barbara, CA, USA, June 24-27, 2018.
  • M. H. Wong, Y. Nakata, C.-H. Lin, K. Sasaki, Y. Morikawa, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Toward realization of Ga2O3 transistors for power electronics applications," 14th International Conference on Modern Materials and Technologies (CIMTEC 2018), Perugia, Italy, June 4-14, 2018.
  • M. H. Wong, Y. Nakata, C.-H. Lin, K. Sasaki, Y. Morikawa, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Reflections on the state of ultra-wide-bandgap Ga2O3 MOSFETs," 20th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM 2018), Berlin, Germany, June 10-14, 2018.
  • Y. Kumagai, K. Konishi, H. Murakami, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and M. Higashiwaki, "Development of halide vapor phase epitaxy of Ga2O3 for power device applications," Compound Semiconductor Week 2018 (CSW 2018), Cambridge, MA, USA, May 29-June 1, 2018.
  • M. Higashiwaki, "Introduction of gallium oxide technologies," Compound Semiconductor Week 2018 (CSW 2018), Cambridge, MA, USA, May 29-June 1, 2018.
  • M. Higashiwaki, "Gallium oxide electronics: beyond SiC and GaN," 233rd ECS Meeting, Seattle, WA, USA, May 13-17, 2018: [Keynote].
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, C.-H. Lin, N. Hatta, K. Yagi, K. Goto, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Developments of Ga2O3 electronic devices for next-generation power switching," 33rd annual International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS-MANTECH 2018), Austin, TX, USA, May 8-10, 2018.
  • K. Goto, Q. Thieu, D. Wakimoto, K. Sasaki, K. Konishi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, M. Higashiwaki, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Halide vapor phase epitaxy of Ga2O3," 45th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (ICMCTF-45), San Diego, CA, USA, Apr. 23-27, 2018.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, Y. Nakata, C.-H. Lin, T. Kamimura, L. Ravikiran, K. Sasaki, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Latest progress in gallium-oxide electronic devices," SPIE Photonics West 2018, San Francisco, CA, USA, Jan. 28-Feb. 1, 2018.
  • M. Schubert, A. Mock, R. Korlacki, S. Knight, V. Darakchieva, B. Monemar, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Goto, and M. Higashiwaki, "Growth of Ga2O3 and AlGaO epitaxial structures by MOCVD," SPIE Photonics West 2018, San Francisco, CA, USA, Jan. 28-Feb. 1, 2018.
2017
  • M. Higashiwaki, "Development of gallium oxide device technologies for power and radiation-hard electronics," 19th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2017), New Delhi, India, Dec. 11-15, 2017: [Plenary].
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, Y. Nakata, C.-H. Lin, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, N. Hatta, K. Yagi K. Goto, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Ultra-wide-bandgap Ga2O3 material and electronic device technologies," 2017 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS 2017), Kohala Coast, HI, USA, Nov. 26-Dec. 1, 2017.
  • M. H. Wong, K. Sasaki, Y. Nakata, C.-H. Lin, Y. Morikawa, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Unlocking the potential of Ga2O3 MOSFETs for power electronics," 4th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2017), Jeju, Korea, Nov. 21-24, 2017.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, Y. Nakata, T. Kamimura, K. Sasaki, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Ultra-wide-bandgap Ga2O3 material and electronic device technologies," AVS 64th International Symposium & Exhibition (AVS-64), Tampa, FL, USA, Oct. 29-Nov. 3, 2017.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, Y. Nakata, K. Sasaki, A. Takeyama, T. Makinoc, T. Ohshima, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Progress in Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistor technologies," 8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2017), Qingdao, China, Sep. 24-27, 2017.
  • K. Konishi, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and Y. Kumagai, "Halide vapor phase epitaxy of β-Ga2O3 homoepitaxial layers using O2 and H2O as oxygen sources," 2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-2), Parma, Italy, Sep. 13-15, 2017.
  • M. H. Wong, Y. Nakata, C.-H. Lin, Y. Morikawa, K. Sasaki, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Advances in Ga2O3 MOSFETs for power and radiation-hard electronics," 2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-2), Parma, Italy, Sep. 13-15, 2017.
  • M. Higashiwaki, Y. Nakata, M. H. Wong, K. Konishi, T. Kamimura, K. Goto, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, and Y. Kumagai, "Latest progress in gallium oxide epitaxial growth technologies for power devices," 21st American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-21)/18th US Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE-18), Santa Fe, NM, USA, July 30-Aug. 4, 2017.
  • M. H. Wong, Y. Nakata, K. Sasaki, Y. Morikawa, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Design and engineering of Ga2O3 MOSFETs for next generation power switches," 10th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-10), Yokohama, Japan, Aug. 1-3, 2017.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Gallium oxide-based devices for power electronics and emerging applications," 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017), Shimane, Japan, July 31-Aug. 4, 2017.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Pursuing the promise of ultra-wide-bandgap Ga2O3 power device technology," 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12), Strasbourg, France, July 24-28, 2017.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Application of gallium oxide for high-power electronics," 9th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2017), Suntec, Singapore, June 18-23, 2017.
  • M. Higashiwaki, "Gallium oxide power device technologies: Current status and prospects," 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2017), Sapporo, Hokkaido, Japan, May 28-June 1, 2017: [Short course].
  • T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, K. Goto, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, and M. Higashiwaki, "Optical properties of Ga2O3 films and crystals", Compound Semiconductor Week 2017 (CSW 2017), Berlin, Germany, May 14-18, 2017.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Application of gallium oxide for high-power electronics," 44th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (ICMCTF-44), San Diego, CA, USA, Apr. 24-28, 2017.
  • M. Higashiwaki, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Kuramata, "Position of Ga2O3 among UWBG semiconductors and beyond," 53rd Workshop on Compound Semiconductor Materials & Devices (WOCSEMMAD 2017), Tampa, FL, USA, Feb. 19-22, 2017: [Special session].
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Current state-of-the-art of gallium oxide power device technology," 44th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-44), Santa Fe, NM, USA, Jan. 15-19, 2017.
2016
  • M. Higashiwaki, "The rise of Ga2O3 for a new era of power electronics," 2nd AFRL Workshop on Beta-Ga2O3: Synthesis, Characterization and Applications, Arlington, VA, USA, Dec. 12-13, 2016.
  • M. H. Wong, K. Sasaki, Y. Morikawa, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Ultra-wide-bandgap Ga2O3 for next generation power MOSFETs," International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS 2016), Bethesda, MD, USA, Dec. 7-9, 2016.
  • Y. Nakata, M. H. Wong, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Molecular beam epitaxy growth of Ga2O3 thin films on β-Ga2O3 (001) substrates," 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, MA, USA, Nov. 28-Dec. 2, 2016.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Recent advances in Ga2O3 power device technologies," 6th International Symposium on Transparent Conductive Materials (TCM 2016), Crete, Greece, Oct. 9-13, 2016:
    (ギリシャ空港管制官ストライキ予定のため、講演はキャンセル).
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Status and potential of gallium oxide devices - A new candidate for future power semiconductor electronics -," 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2016), Halkidiki, Greece, Sep. 25-29, 2016.
  • M. H. Wong, K. Sasaki, Y. Morikawa, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Engineering Ga2O3 MOSFETs for high breakdown voltage and the importance of thermal analysis," E-MRS 2016 Fall Meeting, Warsaw, Poland, Sep. 19-22, 2016.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Progress in Ga2O3 transistor and diode technologies," German-Japanese Gallium Oxide Technology Meeting 2016, Berlin, Germany, Sep. 7-9, 2016.
  • T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, K. Goto, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, and M. Higashiwaki, "Observation of exciton-LO-phonon interaction in β-Ga2O3 single crystals," German-Japanese Gallium Oxide Technology Meeting 2016, Berlin, Germany, Sep. 7-9, 2016.
  • Y. Kumagai, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, M. H. Wong, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and M. Higashiwaki, "Thick and conductivity-controlled homoepitaxial growth of β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy," German-Japanese Gallium Oxide Technology Meeting 2016, Berlin, Germany, Sep. 7-9, 2016.
  • Y. Kumagai, K. Nomura, K. Goto, Q.-T. Thieu, R. Togashi, K. Sasaki, K. Konishi, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, A. Koukitu, and M. Higashiwaki, "Progress of homoepitaxial growth technique of thick β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy," 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya, Aichi, Japan, Aug. 7-12, 2016.
  • M. H. Wong, K. Sasaki, Y. Morikawa, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Electrical and thermal properties of field-plated Ga2O3 MOSFETs with high breakdown voltage," 2016 Lester Eastman Conference on High Performance Devices (LEC 2016), Bethlehem, PA, USA, Aug. 2-4, 2016.
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Recent advances in gallium oxide device technologies," 2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2016), Hakodate, Hokkaido, Japan, July 4-6, 2016.
  • M. H. Wong, Y. Morikawa, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Measurement of channel temperature in Ga2O3 MOSFETs," 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2016), Toyama, Japan, June 26-30, 2016.
  • M. Higashiwaki, "Current status and future prospects of gallium oxide technologies," 2016 Compound Semiconductor Week (CSW2016), Toyama, Japan, June 26-30, 2016: [Short course].
  • M. Higashiwaki, "Current status and future prospects of gallium oxide power device technologies," 74th Device Research Conference (DRC 2016), Newark, DE, USA, June 19-22, 2016: [Short course].
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Konishi, K. Sasaki, T. Kamimura, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Gallium oxide-based devices for power electronics and beyond," E-MRS 2016 Spring Meeting, Lille, France, May 2-6, 2016.
  • M. Higashiwaki, "Gallium oxide (Ga2O3) - The front running UWBG semiconductor? -," 2nd Technical Exchange on UWBG Semiconductors: Research Opportunities and Directions, Arlington, VA, USA, Apr. 25-26, 2016: [Plenary].
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Development of Mg-ion implantation technology for Ga2O3 vertical power device applications," 52nd Workshop on Compound Semiconductor Materials & Devices (WOCSEMMAD 2016), Tucson, AZ, USA, Feb. 1-4, 2016.
2015
  • T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki, "Valence band structure of monoclinic gallium oxide studied by polarized optical measurements," The Collaborative Conference on Crystal Growth 2015 (3CG 2015), Kowloon, Hong Kong, Dec. 14-17, 2015.
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, M. H. Wong, K. Konishi, T. Kamimura, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "The challenges of gallium oxide devices for future power electronics," 18th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2015), Bangalore, India, Dec. 7-9, 2015.
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, M. H. Wong, K. Konishi, T. Kamimura, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Gallium oxide device technology for future power electronics," 16th RIES-Hokudai International Symposium, Sapporo, Hokkaido, Japan, Nov. 10-11, 2015.
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, M. H. Wong, T. Kamimura, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Current status of gallium oxide-based power device technology," 37th IEEE Compound Semiconductor IC Symposium (IEEE CSICS 2015), New Orleans, LA, USA, Oct. 11-14, 2015.
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, K. Konishi, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Gallium oxide devices for the next revolution in power electronics," 22nd International Workshop on Oxide Electronics (WOE22), Paris, France, Oct. 7-9, 2015.
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, M. H. Wong, T. Kamimura, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Challenge and outlook of gallium oxide power devices," International workshop on Advanced Materials and Devices II, Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan, Sep. 4, 2015.
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Progress in research and development on gallium oxide power devices," 42nd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2015), Santa Barbara, CA, USA, June 28-July 2, 2015.
  • T. Kamimura, K. Sasaki, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Band alignment of Au/Al2O3/Ga2O3 MOS structure determined by XPS and tunneling current analysis," EMN EAST Meeting Energy Materials Nanotechnology, Beijing China, Apr. 20-23, 2015.
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, "Current status and prospects on R&D of gallium oxide power devices," 51st Workshop on Compound Semiconductor Materials & Devices (WOCSEMMAD 2015), Isle of Palms, SC, USA, Feb. 16-19, 2015: [Special session].
  • K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Homoepitaxial growth on single-crystal β-Ga2O3 substrates by molecular beam epitaxy," 39th International Conference and Exposition on Advanced Ceramics and Composites (ICACC 2015), Daytona Beach, FL, USA, Jan. 25-30, 2015.
  • M. Higashiwaki, T. Kamimura, K. Sasaki, M. H. Wong, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Band alignment of Al2O3/Ga2O3 heterostructures and their application to field-effect transistors," 42nd Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-42), Snowbird, UT, USA, Jan. 18-22, 2015.
2014
  • K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Ga2O3 homoepitaxial growth on single-crystal β-Ga2O3 substrates by molecular beam epitaxy," 2014 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, MA, USA, Nov. 30-Dec. 5, 2014.
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Gallium oxide (Ga2O3) devices for next generation applications," 2014 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC 2014), Sendai, Miyagi, Japan, Nov. 4-7, 2014: [Workshop].
  • M. Higashiwaki, T. Kamimura, M. H. Wong, K. Sasaki, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Ga2O3 MOSFETs with an n-type channel layer fabricated by Si-ion implantation doping and an Al2O3 gate dielectric formed by ALD," The 23rd European Workshop on Heterostructure Technology (HETECH 2014), Giessen, Germany, Oct. 12-15, 2014.
  • M. Higashiwaki, "Gallium oxide-based electronics: Present status and future prospects," 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014), Tsukuba, Ibaraki, Japan, Sep. 8-11, 2014: [Short course].
  • M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Sasaki, T. Kamimura, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Depletion-mode gallium oxide MOSFETs using Si-ion implantation," 38th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE2014), Delphi, Greece, June 15-18, 2014.
  • A. Kuramata, T. Masui, K. Koshi, S. Watanabe, Y. Yamaoka, Y. Morishima, K. Iizuka, Y. Yamashita, S. Sato, K. Sasaki, M. Higashiwaki, and S. Yamakoshi, "Crystal growth of Ga2O3 for power device and LED applications," E-MRS 2014 Spring Meeting, Lille, France, May 27-29, 2014.
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Depletion-mode gallium oxide MOSFETs," 41st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2014)," Montpellier, France, May 11-15, 2014.
  • M. Higashiwaki, T. Kamimura, M. H. Wong, K. Sasaki, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Electrical properties of gallium oxide (Ga2O3) MOSFETs," 50th Workshop on Compound Semiconductor Materials & Devices (WOCSEMMAD 2014), San Antonio, TX, USA, Feb. 16-19, 2014.
2013
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Novel wide bandgap semiconductor Ga2O3 transistors," International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS 2013), Bethesda, MD, USA, Dec. 11-13, 2013.
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, M. H. Wong, T. Kamimura, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Research and development on Ga2O3 transistors and diodes," The 1st IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA 2013), Columbus, OH, USA, Oct. 27-29, 2013.
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, M. H. Wong, T. Kamimura, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Research and development on Ga2O3 power devices," 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), Hakata, Fukuoka, Japan, Sep. 24-27, 2013.
  • M. Higashiwaki, "Gallium oxide-based power devices," 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), Hakata, Fukuoka, Japan, Sep. 24-27, 2013: [Short course].
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Gallium oxide (Ga2O3) transistors and diodes," 2013 JSAP-MRS Joint Symposia; Symposium E: Functional Oxide Thin Films and Heterostructures for Innovative Devices," Tanabe, Kyoto, Japan, Sep. 16-20, 2013.
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Development of gallium oxide power devices," 2013 DPG (German Physical Society) Spring Meeting," Regensburg, Germany, Mar. 10-15, 2013.
  • M. Higashiwaki, D. Krishnamurthy, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Device process techniques for gallium oxide (Ga2O3) electrical devices," 49th Workshop on Compound Semiconductor Materials & Devices (WOCSEMMAD 2013), New Orleans, LA, USA, Feb. 17-20, 2013.
2012
  • M. Higashiwaki, "Present status and future prospects of AlGaN for nitride-based electrical devices", Intensive Discussion on Crystal Growth of Nitride Semiconductors", Sendai, Miyagi, Japan, Oct. 22-23, 2012.
  • M. Higashiwaki, "Potential applications of wide bandgap semiconducting oxides," Workshop on Novel Semiconducting Oxides, Berlin, Germany, Oct. 8, 2012.
  • M. Higashiwaki, S. Chowdhury, B. L. Swenson, U. K. Mishra, T. Igaki, T. Yamaguchi, and T. Honda, "Interface control of III-oxide/nitride composite structures," 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Kyoto, Japan, Sep. 25-27, 2012.
  • K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "MBE grown Ga2O3 and its power device applications," 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2012), Nara, Japan, Sep. 23-28, 2012.
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Single-crystal gallium oxide metal-semiconductor field-effect transistors," 39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2012), Santa Barbara, CA, USA, Aug. 27-30, 2012.
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "New widegap semiconductor Ga2O3 MESFETs and Schottky barrier diodes," 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2012), Naha, Okinawa, Japan, June. 27-29, 2012.

海外大学・研究所 セミナー


2019
  • M. Higashiwaki, "Vertical Ga2O3 field-effect transistors and Schottky barrier diodes fabricated by using nitrogen-ion implantation doping," Seminar, Department of Electrical Engineering, Penn State University, State College, PA, USA, Oct. 17, 2019.
  • M. Higashiwaki, "Processing of vertical Ga2O3 field-effect transistors and Schottky barrier diodes by nitrogen-ion implantation doping,"Seminar, Deparments of Electrical and Computer Engineering and Materials Science and Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA, June 21, 2019.
2018
  • M. Higashiwaki, "Gallium oxide electronics: challenges and opportunities," Nakamura Lecture, Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA, USA, Feb. 9, 2018.
2017
  • M. Higashiwaki, "Gallium oxide device technologies for power electronics and beyond," ECE seminar, Ohio State University, Columbus, OH, USA, July 3, 2017.
  • M. H. Wong, Y. Nakata, C.-H. Lin, Y. Morikawa, K. Sasaki, K. Goto, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Ultra-wide-bandgap Ga2O3 MOSFETs – Electrical performance, thermal properties, radiation response, and the path forward," Seminar, Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis, CA, USA, June 30, 2017.
  • M. Higashiwaki, "Development of gallium oxide device technologies for power electronics and beyond," Invited seminar, School of Engineering, University of Warwick, Coventry, UK, Apr. 4, 2017.
2016
  • M. Higashiwaki, "Gallium oxide device technologies for next-generation power electronics," Seminar, IEMN, Lille, France, Sep. 5, 2016.
  • M. H. Wong, K. Sasaki, Y. Morikawa, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "High-voltage Ga2O3 MOSFETs – Electrical performance, thermal characteristics, and the path forward," Seminar, HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA, Aug. 5, 2016.
  • M. H. Wong, K. Sasaki, Y. Morikawa, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "High-voltage Ga2O3 MOSFETs – Electrical performance, thermal characteristics, and the path forward," EE seminar, Department of Electrical Engineering, University at Buffalo, Buffalo, NY, USA, Aug. 1, 2016.
2015
  • M. Higashiwaki, "Opportunities and challenges for Ga2O3 in next-generation power electronics," Seminar, Temasek Laboratories, Nanyang Technological University, Nanyang Ave., Singapore, Dec. 4, 2015.
  • M. Higashiwaki, "Recent progress in gallium oxide power devices," Seminar, Teledyne Scientific & Imaging, LLC, Thousand Oaks, CA, USA, July 2, 2015.
  • M. Higashiwaki, "Gallium oxide devices for next revolution in power electronics," EE seminar, Department of Electrical Engineering, University at Buffalo, Buffalo, NY, USA, June 19, 2015.
  • M. Higashiwaki, "Gallium oxide devices for next revolution in power electronics," SSEL seminar, Department of Electrical and Computer Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA, June 18, 2015.
2014
  • M. Higashiwaki, "Current status and future prospects of gallium oxide-based optoelectronics," ECE seminar, Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, CA, USA, Aug. 11, 2014.
  • M. Higashiwaki, "Progress, prospects, and challenges in gallium oxide-based electronics," Seminar, Department of Physics and Earth Sciences, University of Parma, Italy, May 21, 2014.
  • M. Higashiwaki, "New widegap semiconductor gallium oxide (Ga2O3) power devices," EE seminar, University of Notre Dame, South Bend, IN, USA, Mar. 27, 2014.
2013
  • M. Higashiwaki, "New widegap semiconductor gallium oxide (Ga2O3) power devices," ECE seminar, Arizona State University, Phoenix, AZ, USA, Aug. 23, 2013.
2012
  • M. Higashiwaki, "New widegap semiconductor gallium oxide (Ga2O3) power devices," Seminar, HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA, Aug. 31, 2012.
  • M. Higashiwaki, "New widegap semiconductor gallium oxide (Ga2O3) power devices," ECE seminar, Ohio State University, Columbus, OH, USA, June 15, 2012.

国内会議・研究会・セミナー招待・依頼講演


2022
  • 東脇 正高、Sandeep Kumar、後藤 健、村上 尚、熊谷 義直:"Ga2O3イオン注入ドーピング技術とそのデバイス応用"、日本学術振興会 第R032委員会 第6回研究会「ワイドギャップ半導体Ⅱ」、オンライン (Zoom)、2022年3月4日.
2021
  • 東脇 正高:"マイクロ波帯酸化ガリウムトランジスタの研究開発"、総務省戦略的情報通信研究開発セミナー - SCOPE成果の更なる展開に向けて -、オンライン (WebEx)、2021年12月13日.
  • 後藤 健、村上 尚、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高、熊谷 義直:"高品質β-Ga2O3結晶のエピタキシャル成長技術"、日本学術振興会145委員会 第173回研究会「ワイドギャップ半導体Ga2O3結晶成長と評価、デバイス応用の最前線」、オンライン (Zoom)、2021年12月8日.
  • 東脇 正高、上村 崇史、後藤 健、村上 尚、熊谷 義直:"酸化ガリウムFET技術開発の現状と今後"、電気学会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用」調査専門委員会、オンライン (WebEx)、2021年8月23日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向"、サイエンス&テクノロジーセミナー「酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向」、オンライン (Zoom)、2021年8月23日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開"、R&D支援センターセミナー「酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開」、オンライン (Zoom)、2021年7月27日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスの研究開発状況と課題"、技術情報協会講演会セミナー「次世代パワーデバイスの開発動向と実用化に向けた課題」、オンライン (Zoom)、2021年6月30日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムデバイス開発 - 半導体ルネサンスを目指して -"、NICTフロンティアサイエンスシンポジウム2021 - ICT社会の未来を拓くサイエンス&テクノロジー最前線 -、オンライン (WebEx)、2021年5月28日.
  • 東脇 正高、上村 崇史:"酸化ガリウムFET の耐放射線デバイスとしての可能性"、応用物理学会先進パワー半導体分科会 第19回研究会「ワイドバンドギャップ半導体を用いた極限環境エレクトロニクス」、オンライン (Zoom)、2021年4月27日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウム材料、デバイス開発 ~ この10年、次の10年 ~"、日本学術振興会162委員会 第121回研究会(第五期総括記念研究会)「ワイドギャップ半導体の進展 ― 結晶成長、物性評価からデバイスまで」、オンライン (Zoom)、2021年3月5日.
2020
  • 東脇 正高:"酸化ガリウム半導体の将来技術展望"、FIoTコンソーシアム 機能性フレキシブルとインクジェット技術分科会、オンライン (WebEx)、2020年12月22日.
  • 熊谷 義直、後藤 健、村上 尚、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"ハライド気相成長法によるβ-Ga2O3高品質ホモエピタキシャル層の高速成長と導電性制御"、第72回CVD研究会、オンライン (Zoom)、2020年12月18日.
  • 東脇 正高、Man Hoi Wong、後藤 健、村上 尚、熊谷 義直:"イオン注入ドーピングプロセスを用いた縦型β-Ga2O3パワートランジスタ開発"、応用物理学会先進パワー半導体分科会 第17回研究会「次世代パワー半導体Ga2O3とダイヤモンドの進展」、オンライン (Zoom)、2020年9月24日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスの技術と実用化【最新展望】"、S&T出版セミナー「SiC/GaN/酸化ガリウムパワーデバイスの技術と実用化【最新展望】」、連合会館、神田、東京、2020年3月3日.
2019
  • 熊谷 義直、後藤 健、村上 尚、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"ハライド気相成長法を用いたβ-Ga2O3ホモエピタキシャルウェハ量産技術の確立"、第48回結晶成長国内会議 (JCCG-48)、大阪大学 銀杏会館 、吹田、大阪、2019年10月30日~11月1日.
  • 東脇 正高、ワン マンホイ、後藤 健、村上 尚、熊谷 義直:"縦型酸化ガリウムトランジスタのデバイスプロセスと特性"、2019年電気学会 電子・情報・システム部門大会「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用(電子デバイス技術委員会)」、琉球大学 工学部、中頭郡、沖縄、2019年9月4-7日.
  • 東脇 正高:"縦型酸化ガリウムパワーデバイス開発の現状"、新規事業研究会第319回月例研究会、東京工業大学大岡山キャンパス 蔵前会館、目黒、東京、2019年7月20日.
  • 東脇 正高、Man Hoi Wong、後藤 健、村上 尚、熊谷 義直:"酸化ガリウムトランジスタ開発の進展"、2019年日本結晶成長学会特別講演会「高機能・高性能デバイスへ向けた最先端研究から探る結晶成長の課題」、京都国立博物館、東山、京都、2019年6月7日.
  • 東脇 正高、Man Hoi Wong、林 家弘、湯田 洋平、綿引 達郎、山向 幹雄、後藤 健、村上 尚、熊谷 義直:"p型酸化ガリウムの形成とそのデバイス応用"、日本学術振興会151委員会 令和元年度第1回研究会「ワイドバンドギャップ半導体の結晶成長の動向」、東京工業大学大岡山キャンパス 西8号館、目黒、東京、2019年5月31日.
  • 東脇 正高:"次世代パワーデバイス応用に向けた酸化ガリウム半導体材料・デバイスの基礎及び今後の展開"、情報機構セミナー、新宿文化センター、新宿、東京、2019年5月15日.
  • 東脇 正高、Man Hoi Wong、林 家弘、湯田 洋平、綿引 達郎、山向 幹雄、後藤 健、村上 尚、熊谷 義直:"イオン注入ドーピングを用いたβ-Ga2O3縦型パワーデバイス開発"、日本学術振興会162委員会 第113回研究会「ここまで来た!酸化ガリウム半導体・デバイス開発」、大阪大学吹田キャンパス 銀杏会館、吹田、大阪、2019年5月10日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスの基礎と開発動向、課題と展望"、サイエンス&テクノロジーセミナー「酸化ガリウムパワーデバイスの基礎と実用化に向けた開発動向」、芝エクセレントビル、浜松町、品川区、東京、2019年4月18日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウム(Ga2O3)パワーデバイス基盤技術開発の現状と今後"、SIP「次世代パワーエレクトロニクス」公開シンポジウム ~どこでもパワエレ機器で豊かな省エネ社会~、東京ガーデンテラス紀尾井町 紀尾井カンファレンス、千代田、東京、2019年3月28-29日.
  • 東脇 正高、ワン マンホイ、林 家弘、佐々木 公平、後藤 健、倉又 朗人、山腰 茂伸、村上 尚、熊谷 義直:"Ga2O3イオン注入技術の進展とデバイスプロセスへの適用"、第66回応用物理学会春季学術講演会:シンポジウム「イオン注入技術の進展 ~Si、GaAsから最先端WBG半導体まで~」、東工大大岡山キャンパス、目黒、東京、2019年3月9-12日.
2018
  • 東脇 正高、Man Hoi Wong、林 家弘、後藤 健、倉又 朗人、山腰 茂伸、村上 尚、熊谷 義直:"Development of vertical gallium oxide power transistors"、第28回日本MRS年次大会 シンポジウムA-1「先進機能性酸化物材料 -作製プロセスおよび物性評価-」、北九州国際会議場・西日本総合展示場、小倉、福岡、2018年12月18-20日.
  • 東脇 正高、Man Hoi Wong、林 家弘、後藤 健、村上 尚、熊谷 義直:"Ga2O3パワーデバイスの最新動向"、URSI-C小委員会 第24期 第3回公開研究会、秋保温泉 篝火の湯「緑水亭」、仙台、宮城、2018年12月14日.
  • 熊谷 義直、村上 尚、後藤 健、東脇 正高、倉又 朗人、山腰 茂伸:"HVPE 法によるβ-Ga2O3結晶のエピタキシャル成長"、日本学術振興会 第145委員会 第160回研究会、明治大学駿河台キャンパス、千代田、東京、2018年10月19日.
  • 東脇 正高、ワン マンホイ、林 家弘、武山 昭憲、牧野 高紘、大島 武、八田 直記、八木 邦明、渡辺 信也、佐々木 公平、倉又 朗人、山腰 茂伸、Manikant, M. A. Casbon, M. J. Uren, J. W. Pomeroy, S. Dalcanale, S. Karboyan, P. J. Tasker, M. Kuball:"高周波デバイス応用に向けた酸化ガリウムトランジスタ開発"、第79回応用物理学会秋季学術講演会:シンポジウム「IoTに資する高周波デバイスにおける機能性酸化物の役割」、名古屋国際会議場、名古屋、愛知、2018年9月18-21日.
  • 東脇 正高、ワン マンホイ、林 家弘、八田 直記、八木 邦明、渡辺 信也、後藤 健、佐々木 公平、倉又 朗人、山腰 茂伸、Manikant, M. A. Casbon, M. J. Uren, J. W. Pomeroy, S. Dalcanale, S. Karboyan, P. J. Tasker, M. Kuball、小西 啓太、村上 尚、熊谷 義直:"酸化ガリウムデバイス技術 -異種材料接合への期待-"、日本学術振興会 接合界面創成技術第191委員会 第18回研究会、東大 本郷キャンパス、文京、東京、2018年9月14日.
  • 東脇 正高、ワン マンホイ、林 家弘、八田 直記、八木 邦明、後藤 健、佐々木 公平、倉又 朗人、山腰 茂伸、小西 敬太、村上 尚、熊谷 義直:"酸化ガリウムパワーデバイス技術の開発動向と今後の課題"、第82回半導体・集積回路技術シンポジウム(主催:電気化学会電子材料委員会)、東京理科大 森戸記念館、新宿、東京、2018年8月30-31日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスの研究開発状況、課題と実用化展望"、技術情報協会講演会セミナー「次世代パワーデバイスの最新開発動向と実用化展望」、技術情報協会セミナールーム、五反田、東京、2018年7月30日.
  • 熊谷 義直、小西 啓太、後藤 健、村上 尚、倉又 朗人、山腰茂伸、東脇 正高:"ハライド気相成長法によるⅢ族セスキ酸化物半導体結晶の成長"、日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会、名古屋大学 東山キャンパス、名古屋、愛知、2018年7月12-13日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスの研究開発動向と今後の展望"、東レリサーチセンター 半導体分析セミナー2018、東京コンファレンスセンター・品川、港区、東京、2018年7月5日.
  • 東脇 正高:"次世代パワーデバイス 酸化ガリウム"、野村證券機関投資家向けセミナー、アーバンネット大手町ビル、大手町、千代田区、東京、2018年6月20日.
  • 中田 義昭、上村 崇史、リンガバルティ ラビキラン、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"パワーデバイスへの応用を目指した酸化ガリウムのMBE成長"、日本表面真空学会 スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会(SP部会)第158回定例研究会「成膜用プラズマプロセスと先端材料薄膜堆積」、機械振興会館、芝公園、港区、東京、2018年6月1日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスの開発動向"、ジャパンマーケティングサーベイセミナー「次世代パワーデバイス」、東京都中央区立産業会館、東日本橋、中央区、東京、2018年4月27日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスのインパクトと実用化に向けた開発動向"、サイエンス&テクノロジーセミナー、芝エクセレントビル、浜松町、品川区、東京、2018年4月24日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスの概要、開発動向"、CMCリサーチセミナー、ちよだプラットフォームスクウェア、神田、千代田区、東京、2018年3月28日.
  • 東脇 正高:"次世代パワーデバイス酸化ガリウムトランジスタ・ダイオード開発の最新動向と今後の課題"、キーサイト・テクノロジー「パワーエレクトロニクス設計者のためのデバイスモデリングセミナー」、キーサイト・テクノロジー 八王子事業所、八王子、東京、2018年3月15日: [基調講演].
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開"、R&D支援センターセミナー、新宿文化センター、新宿、東京、2018年2月26日.
2017
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスの研究・開発動向"、S&T出版セミナー「酸化ガリウム単結晶・ウェハ・薄膜とパワーデバイス研究・開発最前線」、高橋ビルヂング、千代田、東京、2017年12月8日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムトランジスタ・ダイオード開発の最新動向と離陸への課題"、パワーデバイス・イネーブリング協会 (PDEA) 主催セミナー「次世代パワーデバイスの有力候補を斬る:注目の酸化ガリウム&ダイヤモンドの最新開発動向」、品川フロントビル、品川、東京、2017年12月6日.
  • 東脇 正高、倉又 朗人、村上 尚、熊谷 義直:"酸化ガリウムパワーデバイスの最先端"、日本学術振興会第162委員会 委員会100回記念特別公開シンポジウム「ワイドギャップ半導体の基盤技術と将来展望 ~パワー半導体を中心として~」、ロワジールホテル豊橋、愛知、2017年10月26-27日: [レビュー講演].
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスの現状と将来展望"、第3回先導技術研究会幹事会、研究産業・産業技術振興協会 東京本部会議室、本郷、東京、2017年10月3日.
  • 東脇 正高、ワン マンホイ、小西 敬太、中田 義昭、上村 崇史、林 家弘、後藤 健、佐々木 公平、武山 昭憲、牧野 高紘、大島 武、倉又 朗人、山腰 茂伸、村上 尚、熊谷 義直:"Ga2O3電子デバイス開発の現状と展望 ~パワーデバイス、そして~"、第78回応用物理学会秋季学術講演会: シンポジウム「これからの未来を担う新ワイドギャップ酸化物材料Ga2O3」、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス、博多、福岡、2017年9月5-8日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスの課題と開発動向"、技術情報協会講演会セミナー、技術情報協会セミナールーム、五反田、東京、2017年8月25日.
  • 東脇 正高、ワン マンホイ、小西 敬太、中田 義昭、後藤 健、佐々木 公平、倉又 朗人、山腰 茂伸、村上 尚、熊谷 義直:"酸化ガリウムパワーデバイスの進展"、日本学術振興会154委員会 第104回研究会「酸化物半導体:現状と今後の進展」、キャンパス・イノベーションセンター (CIC) 東京、田町、東京、2017年8月7日.
  • 東脇 正高、小西 敬太、後藤 健、村上 尚、熊谷 義直、倉又 朗人、山腰 茂伸:"耐圧1 kV超Ga2O3ショットキーバリアダイオード"、応用物理学会応用電子物性分科会研究例会「ワイドバンドギャップ半導体デバイス ~成長およびデバイスプロセスの理解~」、大阪大学大学院 基礎工学研究科 シグマホール、豊中、大阪、2017年6月8日.
  • 倉又 朗人、輿 公祥、佐々木 公平、後藤 健、渡辺 信也、山岡 優、脇本 大樹、ティユ クァン トゥ、増井 建和、山腰 茂伸、村上 尚、熊谷 義直、東脇 正高:"パワーデバイスに向けたGa2O3ウエハプロセス技術"、第64回応用物理学会春季学術講演会: シンポジウム「先進パワーデバイスのプロセス技術」、パシフィコ横浜、みなとみらい、神奈川、2017年3月14-17日.
  • 尾沼 猛儀、齋藤 伸吾、佐々木 公平、後藤 健、増井 建和、山口 智広、本田 徹、倉又 朗人、東脇 正高:"単斜晶酸化ガリウム結晶における光学遷移過程"、第64回応用物理学会春季学術講演会: シンポジウム「金属酸化物の結晶物性に迫る」、パシフィコ横浜、みなとみらい、神奈川、2017年3月14-17日.
  • 尾沼 猛儀、山口 智広、本田 徹、佐々木 公平、後藤 健、増井 建和、倉又 朗人、齋藤 伸吾、東脇 正高:"β-Ga2O3結晶における光学的異方性の解析"、日本学術振興会161委員会 第98回研究会「ワイドギャップ酸化物半導体β-Ga2O3結晶成長、結晶評価、デバイス応用」、長浜ロイヤルホテル、滋賀、2017年1月12-13日.
  • 熊谷 義直、村上 尚、後藤 健、倉又 朗人、東脇 正高:"ハライド気相成長法による単結晶β-Ga2O3基板上高速ホモエピタキシャル成長"、日本学術振興会161委員会 第98回研究会「ワイドギャップ酸化物半導体β-Ga2O3結晶成長、結晶評価、デバイス応用」、長浜ロイヤルホテル、滋賀、2017年1月12-13日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムデバイス開発の現状と展望"、日本学術振興会161委員会 第98回研究会「ワイドギャップ酸化物半導体β-Ga2O3結晶成長、結晶評価、デバイス応用」、長浜ロイヤルホテル、滋賀、2017年1月12-13日.
2016
  • 佐々木 公平、倉又 朗人、増井 建和、後藤 健、富樫 理恵、村上 尚、熊谷 義直、モネマー ボ、東脇 正高、山腰 茂伸:"酸化ガリウムエピ/基板開発の進展"、第77回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム「酸化物エレクトロニクスの未来展望を描く」、朱鷺メッセ、新潟、2016年9月13日.
  • 東脇 正高、Man Hoi Wong、小西 敬太、佐々木 公平、後藤 健、富樫 理恵、村上 尚、熊谷 義直、Bo Monemar、倉又 朗人、山腰 茂伸:"酸化ガリウムパワーデバイス開発の進捗状況"、応用電子物性分科会研究例会「酸化物材料の基礎物性とその応用」、首都大学東京 秋葉原サテライトキャンパス、東京、2016年7月29日.
  • 東脇 正高、Man Hoi Wong、小西 敬太、佐々木 公平、後藤 健、Quang Tu Thieu、富樫 理恵、村上 尚、熊谷 義直、Bo Monemar、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"Recent progress in development of gallium oxide power devices"、35th Electronic Materials Syposium (EMS-35)、ラフォーレ琵琶湖、滋賀、2016年7月6-8日.
  • 佐々木 公平、倉又 朗人、増井 建和、後藤 健、森島 嘉克、飯塚 和幸、ティユ クァン トゥ、富樫 理恵、村上 尚、熊谷 義直、モネマー ボ、東脇 正高、山腰茂伸:"Ga2O3基板とホモ/ヘテロエピタキシャル成長技術"、応用物理学会結晶工学分科会第145回研究会「ワイドギャップ半導体を支えるバルク基板とエピ技術」、名古屋大学 東山キャンパス 坂田・平田ホール、名古屋、愛知、2016年6月3日.
  • 東脇 正高、Man Hoi Wong、小西 敬太、佐々木 公平、後藤 健、野村 一城、Quang Tu Thieu、富樫 理恵、村上 尚、熊谷 義直、Bo Monemar、纐纈 明伯、倉又 朗人、山腰 茂伸:"酸化ガリウムデバイスの現状と今後の展開"、応用物理学会 電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回) ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―、東レ研修センター、三島、静岡、2016年1月22-23日.
  • 東脇 正高、Man Hoi Wong、小西 敬太、佐々木 公平、後藤 健、野村 一城、Quang Tu Thieu、富樫 理恵、村上 尚、熊谷 義直、Bo Monemar、纐纈 明伯、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術"、電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会(ED研) 1月研究会「パワーデバイスおよび超高周波デバイス/マイクロ波一般」、機械振興会館、東京、2016年1月20日.
2015
  • 東脇 正高、佐々木 公平、小西 敬太、Man Hoi Wong、後藤 健、野村 一城、Quang Tu Thieu、富樫 理恵、村上 尚、熊谷 義直、Bo Monemar、纐纈 明伯、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"Ga2O3パワーデバイス開発の現状と課題"、日本学術振興会第131委員会第276回研究会・第162委員会第95回研究会研究会「エネルギーマネージメントデバイス」、京都リサーチパーク(KRP)、京都、2015年10月2日.
  • 東脇 正高、佐々木 公平、Man Hoi Wong、上村 崇史、後藤 健、野村 一城、Quang Tu Thieu、富樫 理恵、村上 尚、熊谷 義直、Bo Monemar、纐纈 明伯、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"酸化ガリウムパワーデバイス基盤技術の開発"、応用物理学会 第3回先進パワー半導体分科会研究会「次世代パワー半導体デバイスの進展」、産総研つくば西事業所 TIA連携棟 TIA-nanoホール、筑波、茨城、2015年7月9日.
  • 上村 崇史、キルシナムルティ ダイワシガマニ、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性"、電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)6月研究会「MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術」、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー、名古屋、愛知、2015年6月19日.
  • 東脇 正高、佐々木 公平、Man Hoi Wong、上村 崇史、倉又 朗人、山腰 茂伸:"酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現状と課題"、電気学会 電子デバイス研究会「次世代化合物電子デバイスとその応用」、絹の渓谷 碧流、日光、栃木、2015年3月4日.
  • 東脇 正高:"次世代ワイドバンドギャップ半導体酸化ガリウムパワーデバイス:現状と挑戦"、オートモーティブワールド2015 専門技術セミナー「高効率を追求するSiC/GaN インバータ最前線 (Auto-3)」、東京ビッグサイト(東京国際展示場) 会議棟、有明、東京、2015年1月15日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現状と今後の展開"、大阪大学ナノ理工学人材育成産学コンソーシアム 平成26年度 第3回ナノ理工学情報交流会「シリコンを越えるナノエレクトロニクス関連材料とデバイス」、大阪大学豊中キャンパス文理融合型研究棟、豊中、大阪、2015年1月14日.
2014
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現状と今後の展開"、アナログ技術トレンドセミナ「新しいワイドギャップ半導体;酸化ガリウムデバイスの動向」、京都テルサ、南区、京都、2014年11月26日.
  • 佐々木 公平、東脇 正高、倉又 朗人、増井 建和、森島 嘉克、飯塚 和幸、山腰 茂伸:"酸化ガリウム単結晶の光・電子デバイス応用"、誘電体研究委員会第135回定例会、東工大蔵前会館、目黒、東京、2014年11月14日.
  • 増井 建和、東脇 正高、倉又 朗人、佐々木 公平、森島 嘉克、飯塚 和幸、山腰 茂伸:"酸化ガリウム基板の開発について"、先端加工ネットワーク 第4回産官学連携研究開発講演会「ワイドギャップ半導体ウェハの最新動向と先進加工技術 」、産総研西事業所TIA連携棟、つくば、茨城、2014年11月7日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイス★徹底解説 ~注目の新しいパワー半導体材料Ga2O3を徹底解説~"、Electronic Journal 第2483回 Technical Seminar、連合会館、御茶ノ水、東京、2014年10月10日.
  • 佐々木 公平、東脇 正高、倉又 朗人、増井 建和、森島 嘉克、飯塚 和幸、山腰 茂伸:"酸化ガリウム単結晶の光・電子デバイス応用"、第93回バルク成長分科会研究会、早稲田大学 西早稲田キャンパス、新宿、東京、2014年10月2日.
  • 尾沼 猛儀、山口 智広、伊藤 雄三、本田 徹、佐々木 公平、増井 建和、東脇 正高:"Ga2O3基板の光学的特性評価"、日本学術振興会第162委員会研究会「酸化物材料の最近の進展」、京都大学 東京オフィス、品川、東京、2014年9月26日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現在までの進展と今後"、電子情報技術産業協会 エネルギーマネージメント・キーデバイス技術分科会 講演会、大手センタービル、大手町、東京、2014年9月12日.
  • 佐々木 公平、東脇 正高、倉又 朗人、増井 建和、森島 嘉克、飯塚 和幸、山腰 茂伸:"酸化ガリウムMBE成長とデバイス応用"、第59回CVD研究会(第25回夏季セミナー)、犬山館、犬山市、愛知、2014年8月27, 28日.
  • 東脇 正高:"ワイドギャップ系化合物デバイスの動向 ~2014年DRC/CSWを中心に~"、電気学会「次世代化合物電子デバイスとその応用」調査専門委員会研究会、HOMAT HORIZONビル(電気学会 第1,2会議室)、市ヶ谷、東京、2014年7月15日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウム(Ga2O3)パワーデバイスの研究開発の現状と展望"、SMBC日興証券テーマセミナー、新丸の内ビルディング コンファレンススクエア、丸の内、東京、2014年6月4日.
  • 東脇 正高、佐々木 公平、Man Hoi Wong、上村 崇史、Daivasigamani Krishnamurthy、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"酸化ガリウムトランジスタ開発の現在までの進展と今後"、日本学術振興会第151・162委員会合同研究会「ワイドギャップ半導体パワーデバイス研究開発の最前線」、主婦会館プラザエフ、四ツ谷、東京、2014年5月9日.
  • 倉又 朗人、増井 建和、輿 公祥、佐々木 公平、 森島 嘉克、飯塚 和幸、東脇 正高、山腰 茂伸:"バルクGa2O3単結晶育成"、日本学術振興会第161委員会 第87回研究会「新しい結晶・育成方法およびその応用」、メルパルク京都、京都、2014年5月9日.
  • 東脇 正高、佐々木 公平、Man Hoi Wong、上村 崇史、Daivasigamani Krishnamurthy、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"酸化ガリウム (Ga2O3) MOSFET"、電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会(ED研)特別ワークショップ「酸化物材料: その多彩なデバイス応用」、首都大学東京 秋葉原サテライトキャンパス、東京、2014年3月5日.
  • 東脇 正高、佐々木 公平、Man Hoi Wong、上村 崇史、Daivasigamani Krishnamurthy、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"Ga2O3パワーデバイス研究開発の現状と今後"、応用物理学会関西支部セミナー「光物性とその光機能―酸化物半導体の光物性・評価」、大阪市立大学 学術情報総合センター、住吉、大阪、2014年1月11日.
2013
  • M. H. Wong, S. Keller, Nidhi, S. Dasgupta, D. J. Denninghoff, S. Kolluri, D. F. Brown, J. Lu, N. A. Fichtenbaum, E. Ahmadi, U. Singisetti, A. Chini, S. Rajan, S. P. DenBaars, J. S. Speck, U. K. Mishra, T. Kamimura, K. Sasaki, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Wide-bandgap nitride- and oxide-based electronics –Vision, challenges, and opportunities-," 10th Nano Bio Info Chemistry Symposium (NaBiT 2013), Hiroshima University, Hiroshima, Dec. 14-15, 2013.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウム次世代パワーデバイスの開発動向 ~注目の新しいパワー半導体材料Ga2O3を徹底解説~"、Electronic Journal 第1869回 Technical Seminar、連合会館、御茶ノ水、東京、2013年9月11日.
  • 佐々木 公平、東脇 正高、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"Development of gallium oxide power devices"、32nd Electronic Materials Syposium、ラフォーレ琵琶湖、滋賀、2013年7月10-12日.
  • 東脇 正高、佐々木 公平、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"Ga2O3パワーデバイス研究開発の現状と今後"、応用電子物性分科会研究例会「ワイドギャップ半導体の基板から展開するデバイス ~ 実用デバイスへの展開 ~」、京都テルサ、京都、2013年6月7日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウム(Ga2O3)次世代パワーデバイスの研究開発の現状と今後の展望"、サイエンス&テクノロジーセミナー、東京流通センター、平和島、東京、2013年5月29日.
2012
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現状と今後の展望"、プラナリゼーションCMP委員会(第121回研究会)、主婦会館プラザエフ、四ツ谷、東京、2012年10月26日.
  • 東脇 正高:"新材料 酸化ガリウムを用いたSiCより安価で高性能な次世代パワーデバイスの開発と今後の展望"、DAFS新技術・応用研究委員会 最新技術講演会、伯東㈱本社、2012年10月25日.
  • 佐々木 公平、東脇 正高、倉又 朗人、増井 建和、E.G. Villora、島村 清史、山腰 茂伸:"Ga2O3のMBE成長とパワーデバイス応用"、日本学術振興会透明酸化物光・電子材料第166委員会 第57回研究会、アイビーホール青学会館、渋谷、東京、2012年10月19日.
  • 東脇 正高:"Ga2O3電子デバイス研究開発の現状と今後"、日本学術振興会 半導体界面制御技術第154委員会 第82回研究会、首都大学東京 秋葉原サテライトキャンパス、東京、2012年8月1日.
  • 東脇 正高:"新ワイドギャップ半導体酸化ガリウムデバイスの研究開発動向"、JFCAイブニングセミナー、日本ファインセラミックス協会、浜松町、東京、2012年7月26日.
  • 東脇 正高、佐々木 公平、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"Single-crystal gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors"、31st Electronic Materials Syposium、ラフォーレ修善寺、伊豆、静岡、2012年7月11-13日.
  • 東脇 正高、佐々木 公平、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"酸化ガリウムパワーデバイス開発の現状と今後"、電気学会「クライド時代のユビキタス電子デバイス調査専門委員会」、法政大マイクロ・ナノテクノロジー研究センター、小金井、東京、2012年7月10日.
  • 東脇 正高:"新材料:酸化ガリウム ~SiCよりも安くて高性能なパワー素子を目指して~"、日経エレクトロニクス「パワー半導体フォーラム2012」、日本化学会化学会館、御茶ノ水、東京、2012年6月26日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開"、日本技術情報センターセミナー「低コスト化進む次世代パワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開」、メディアボックス、新宿、東京、2012年5月31日.
  • 藤田 静雄、東脇 正高、佐々木 公平、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸、大島 孝仁、大友 明:"ワイドギャップ半導体酸化ガリウムの基本特性と応用"、日本学術振興会透明酸化物光・電子材料第166委員会 第55回研究会、アイビーホール青学会館、渋谷、東京、2012年4月27日.
  • 藤田 静雄、東脇 正高、佐々木 公平、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸、大島 孝仁、大友 明:"酸化ガリウム半導体の機能とデバイス応用"、日本学術振興会第161・162委員会合同研究会「AlGaN, II-VI族, 酸化物の伝導制御とデバイス展開 ~ワイドギャップ半導体を俯瞰して~」、主婦会館プラザエフ、四ツ谷、東京、2012年3月2日.
2011
  • 東脇 正高、佐々木 公平、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"単結晶酸化ガリウムMESFET"、SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第20回講演会、ウィンク愛知、名古屋、愛知、2011年12月8-9日.
  • 東脇 正高:"米国における窒化物半導体開発動向; 超高周波GaN 電子デバイス"、第10回窒化物半導体応用研究会、名古屋銀行協会大ホール、名古屋、愛知、2011年3月10日.
2010
  • 東脇 正高、Srabanti Chowdhury、Yi Pei、Rongming Chu、Brian L. Swenson、Umesh K. Mishra:"AlGaN/GaNヘテロ構造における表面ドナー準位とドレイン電流コラプス"、電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会11月研究会「GaNトランジスタの進展と課題」、大阪大学中之島センター、中之島、大阪、2010年11月12日.

国内大学・企業 セミナー


2021
  • 東脇 正高:"次世代ワイドギャップ半導体酸化ガリウムデバイスの現状と将来展望"、2021年度 第1回機能創成科学セミナー、大阪市立大学工学研究科機能創成科学教育研究センター、2021年6月18日.
2018
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムエレクトロニクス ~新しい半導体分野の開拓~"、「応用マテリアル工学」(学部3回生講義)、東京大学工学部マテリアル工学科、2018年10月10日.
2017
  • 東脇 正高:"Ga2O3半導体の開発状況と未来"、第24回トヨタグループ半導体技術研究会、豊田中央研究所、2017年11月13日.
2016
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現状"、TDKテクニカルセンター講演会、2016年7月19日.
2014
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスの研究開発の現状と展望"、三菱電機先端技術総合研究所講演会、2014年12月16日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムエレクトロニクスの現状と今後"、佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター講演会、2014年11月21日.
  • 東脇 正高:"次世代パワーデバイス応用を目指した酸化ガリウムトランジスタ"、大学院特別講義、東京理科大学大学院基礎工学研究科電子応用工学専攻、2014年11月13日.
  • 東脇 正高:"新ワイドバンドギャップ半導体酸化ガリウムトランジスタの研究開発の現状と今後"、光ナノサイエンス特別講義、奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科、2014年7月8日.

国際会議一般講演


2022
  • C. De Santi, M. Fregolent, M. Buffolo, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E. Zanoni, and M. Meneghini, "Modeling of the conduction processes and deep levels in annealed nitrogen-implanted β-gallium oxide Schottky diodes," Compound Semiconductor Week 2022 (CSW 2022), Ann Arbor, MI, USA, June 1-3, 2022.
  • C. De Santi, M. Fregolent, M. Buffolo, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E. Zanoni, and M. Meneghini, "Deep levels and conduction processes in nitrogen-implanted Ga2O3 Schottky barrier diodes," SPIE Photonics West 2022, San Francisco, CA, USA, Jan. 22-27, 2022.
2021
  • J. Liang, D. Takatsuki, Y. Shimizu, M. Higashiwaki, Y. Ohno, Y. Nagai, and N. Shigekawa, "Fabrication of Ga2O3/Si direct bonding interface for high power device applications," 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021), Online (Zoom), Oct. 5-11, 2021.
  • T. Kamimura, R. Quaglia, M. Kuball, P. Tasker, and M. Higashiwaki, "RF device performance of Ga2O3 field-effect transistors grown on Ga2O3 (010) substrates by plasma-assisted MBE," 21st International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2021), Online (Whova), Sep. 6-9, 2021.
  • T. Moule, M. Singh, M. J. Uren, S. Dacanale, M. H. Wong, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Trapping and memory effects in β-Ga2O3 MOSFETs," 44th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE 2021), Online (Zoom), June 14-17, 2021.
2020
  • M. H. Wong, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Aperture-limited conduction from acceptor diffusion in current aperture vertical β-Ga2O3 MOSFETs," 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020), Online (Zoom), USA, Sep. 27-30, 2020.
  • T. Kamimura, Y. Nakata, and M. Higashiwaki, "RF small-signal characteristics and delay time analysis of submicron Ga2O3 MOSFETs," 78th Device Research Conference (DRC 2020), Online (Zoom), USA, June 21-24, 2020:(コロナウィルス禍のためオンライン会議に変更).
  • C. De Santi, A. Nardo, M. H. Wong, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini, "Charge trapping and degradation of Ga2O3 isolation structures for power electronics," SPIE Photonics West 2020, San Francisco, CA, USA, Feb. 1-6, 2020.
2019
  • Y. Nakata and M. Higashiwaki, "Removal process of residual Si impurities on Ga2O3 substrate by CF4 reactive ion etching treatment," 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), Onna, Okinawa, Nov. 10-14, 2019.
  • C. De Santi, A. Nardo, M. H. Wong, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E. Zanoni, and M. Meneghini, "Stability and degradation of isolation and surface in Ga2O3 devices," 30th European Symposium on Reliability of Electron Devioces, Failure Physics and Analysis (ESREF 2019), Toulouse, France, Sep. 23-26, 2019.
  • M. H. Wong, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Aperture size engineering of current aperture vertical Ga2O3 MOSFETs," 13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019), Toyama, Toyama, Japan, Aug. 26-29, 2019.
  • T. Onuma, K. Tanaka, K. Sasaki, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Optical transitions in β-Ga2O3 single crystal studied by electroreflectance measurements," 3rd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-3), Columbus, OH, USA, Aug. 13-15, 2019.
  • C.-H. Lin, A. Takeyama, M. Sato, N. Takekawa, K. Konishi, Y. Yuda, T. Watahiki, M. Yamamuka, H. Murakami, Y. Kumagai, T. Ohshima, and M. Higashiwaki, "Impact of electron-beam irradiation on the performance of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes," 3rd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-3), Columbus, OH, USA, Aug. 13-15, 2019.
  • C. De Santi, A. Nardo, M. H. Wong, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E. Zanoni, and M. Meneghini, "Comparison between lateral and vertical Ga2O3 isolation structures," 3rd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-3), Columbus, OH, USA, Aug. 13-15, 2019.
  • T. Kamimura, Y. Nakata, and M. Higashiwaki, "Ga2O3 MOSFETs with (AlGa)2O3 back barrier," 3rd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-3), Columbus, OH, USA, Aug. 13-15, 2019.
  • Y. Nakata, T. Kamimura, M. H. Wong, P. H. Than, and M. Higashiwaki, "Unintentional incorporation of Si and N atoms in Ga2O3 films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy," 61st Electronic Materials Conference (EMC 2019), Ann Arbor, MI, USA, June 26-28, 2019.
  • M. H. Wong, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Enhancement-mode current aperture vertical Ga2O3 MOSFETs," 77th Device Research Conference (DRC 2019), Ann Arbor, MI, USA, June 23-26, 2019: [Late news].
  • C.-H. Lin, Y. Yuda, M. H. Wong, M. Sato, N. Takekawa, K. Konishi, T. Watahiki, M. Yamamuka, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Vertical Ga2O3 Schottky barrier diodes with guard ring formed by nitrogen-ion implantation," Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), Nara, Japan, May 19-23, 2019.
  • T. Kamimura, Y. Nakata, M. H. Wong, P. H. Than, and M. Higashiwaki, "Nitrogen-doped channel β-Ga2O3 MOSFET with normally-off operation," Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), Nara, Japan, May 19-23, 2019.
  • T. Moule, M. Singh, J. Pomeroy, S. Karboyan, M. J. Uren, M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Dynamic RON in β-Ga2O3 MOSFET power devices," Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), Nara, Japan, May 19-23, 2019.
  • T. Onuma, K. Tanaka, K. Sasaki, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Observation of electroreflectance spectra of β-Ga2O3 single crystal," Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), Nara, Japan, May 19-23, 2019.
  • M. Singh, J. Pomeroy, T. Moule, S. Dalcanale, S. Karboyan, M. J. Uren, M. Casbon, P. Tasker, M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Record large signal RF performance for β-Ga2O3 MOSFETs," UK Nitrides Consortium Winter Conference 2019, University of Strathclyde, Glasgow, UK, January 9-10, 2019.
2018
  • C.-H. Lin, M. H. Wong, M. Sato, N. Takekawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Vertical Ga2O3 Schottky barrier diodes with a guard ring formed by nitrogen-ion implantation," 2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2018), Kokura, Fukuoka, Japan, July 1-4, 2018.
  • C.-H. Lin, N. Hatta, K. Konishi, S. Watanabe, A. Kuramata, K. Yagi, M. Higashiwaki, "Characterization of electrical resistance at heterointerface of single-crystal Ga2O3/polycrystalline SiC bonded substrates," 60th Electronic Materials Conference (EMC 2018), Santa Barbara, CA, USA, June 27-29, 2018.
  • J. W. Pomeroy, Manikant, C. Middleton, M. J. Uren, M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Thermal characterization of β-Ga2O3 MOSFETs," 60th Electronic Materials Conference (EMC 2018), Santa Barbara, CA, USA, June 27-29, 2018.
  • Manikant, M. A. Casbon, M. J. Uren, J. W. Pomeroy, P. J. Tasker, M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Pulse and large signal RF performance of β-Ga2O3 MOSFETs," 60th Electronic Materials Conference (EMC 2018), Santa Barbara, CA, USA, June 27-29, 2018.
  • Manikant, J. W. Pomeroy, C. Middleton, M. J. Uren, M. A. Casbon, P. J Tasker, M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, and M. Kuball, "Evaluation of electrical and thermal performance of β-Ga2O3 MOSFETs for RF operation," Compound Semiconductor Week 2018 (CSW 2018), Cambridge, MA, USA, May 29-June 1, 2018.
  • T. Onuma, Y. Nakata, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Blue luminescence quenching in β-Ga2O3 epitaxial films by nitrogen doping," Compound Semiconductor Week 2018 (CSW 2018), Cambridge, MA, USA, May 29-June 1, 2018.
  • M. H. Wong, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "Ga2O3 current aperture vertical electron transistors with N-ion-implanted current blocking layer," Compound Semiconductor Week 2018 (CSW 2018), Cambridge, MA, USA, May 29-June 1, 2018.
  • N. Ueda, Y. Sawada, K. Konishi, Y. Nakata, M. Higashiwaki, and Y. Kumagai, "Thermodynamic and experimental analyses of β-Ga2O3 growth by ozone molecular beam epitaxy," The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications (LEDIA'18), Yokohama, Kanagawa, Japan, Apr. 25-27, 2018.
  • M. Ono, K. Sasaki,T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, T. Honda, and T. Onuma, "Spectroscopic ellipsometry study on p-type NiO films," The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications (LEDIA'18), Yokohama, Kanagawa, Japan, Apr. 25-27, 2018.
  • M. Schubert, A. Mock, R. Korlacki, S. Knight, V. Darakchieva, B. Monemar, Y. Kumagai, K. Goto, and M. Higashiwaki, "Optical and electronic properties of monoclinic Ga2O3 unravelled," 45th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (ICMCTF-45), San Diego, CA, USA, Apr. 23-27, 2018.
  • H. Gao, G. Foster, H. Von Wenckstern, M. Grundmann, M. Higashiwaki, H. Zhao, and L. Brillson, "Native point defect measurement, processing, and identification near Ga2O3 surfaces," 45th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-45), Kona, HI, USA, Jan. 14-18, 2018.
2017
  • N. Hatta, K. Yagi, S. Watanabe, A. Kuramata, K. Konishi, C.-H. Lin, and M. Higashiwaki, "Direct bonding of gallium oxide and polycrystalline silicon carbide substrates using Surface-Activated-Bonding method," 2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-2), Parma, Italy, Sep. 13-15, 2017.
  • T. Onuma, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, and M. Higashiwaki, "Cathodoluminescence spectra of Si-doped and Si-implanted β-Ga2O3 single crystals," 2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-2), Parma, Italy, Sep. 13-15, 2017.
  • C. De Santi, M. Meneghini, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, and E. Zanoni, "Charge trapping processes in Ga2O3 Schottky diodes," 2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-2), Parma, Italy, Sep. 13-15, 2017.
  • N.T. Son, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, M. Higashiwaki, S. Yamakoshi, and B. Monemar, "Electronic properties of residual donor in unintentionally doped β-Ga2O3," 2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-2), Parma, Italy, Sep. 13-15, 2017.
  • M. Schubert, A. Mock, R. Korlacki, S. Knight, V. Darakchieva, B. Monemar, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Goto, and M. Higashiwaki, "Optical and electronic properties of monoclinic Ga2O3 unravelled," 2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-2), Parma, Italy, Sep. 13-15, 2017.
  • T. Kamimura, Y. Nakata, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Ozone MBE growth and characterization of nitrogen-doped β-Ga2O3 (010) thin films," 2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-2), Parma, Italy, Sep. 13-15, 2017.
  • M. H. Wong, Y. Morikawa, and M. Higashiwaki, "Simulation of improved thermal performance in Ga2O3 power devices with an integrated substrate heat sink," 12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2017), Kirishima, Kagoshima, Japan, Aug. 28-31, 2017.
  • C.-H. Lin, M. H. Wong, K. Konishi, and M. Higashiwaki, "Design of vertical Ga2O3 Schottky barrier diodes with over 3-kV breakdown voltage," 2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2017), Gyeongju, Korea, July 3-5, 2017.
  • M. H. Wong, C.-H. Lin, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Investigation of nitrogen ion implantation for current blocking in vertical Ga2O3 transistors," 59th Electronic Materials Conference (EMC 2017), South Bend, IN, USA, June 28-30, 2017.
  • M. H. Wong, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, "First demonstration of vertical Ga2O3 MOSFET: Planar structure with a current aperture," 75th Device Research Conference (DRC 2017), South Bend, IN, USA, June 25-28, 2017: [Late news].
  • K. Sasaki, D. Wakimoto, Q. T. Thieu, Y. Koishikawa, A. Kuramata, M. Higashiwaki, and S. Yamakoshi, "Demonstration of Ga2O3 trench MOS-type Schottky barrier diodes," 75th Device Research Conference (DRC 2017), South Bend, IN, USA, June 25-28, 2017.
  • M. H. Wong, A. Takeyama, T. Makino, T. Ohshima, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Radiation hardness of Ga2O3 MOSFETs against gamma-ray irradiation," 75th Device Research Conference (DRC 2017), South Bend, IN, USA, June 25-28, 2017.
  • M. Ono, T. Onuma, R. Goto, K. Sasaki, H. Nagai, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Sato, and T. Honda, "Relation between electrical and optical properties of p-type NiO films," Compound Semiconductor Week 2017 (CSW 2017), Berlin, Germany, May 14-18, 2017.
  • M. Ono, T. Onuma, K. Sasaki, H. Nagai, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Sato, and T. Honda, "Charge transfer transitions in p-type NiO films studied by optical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy," The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Thier Industrial Applications (LEDIA'17), Yokohama, Kanagawa, Japan, Apr. 19-21, 2017.
2016
  • M. H. Wong, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Mg-ion-implantation technology for vertical Ga2O3 power devices," 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, MA, USA, Nov. 28-Dec. 2, 2016.
  • Y. Kozakai, K. Nomura, M. Takahashi, K. Goto, K. Sasaki, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and Y. Kumagai, "Influence of growth rate at 1000°C on homoepitaxial growth of β-Ga2O3 (001) by halide vapor phase epitaxy," 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya, Aichi, Japan, Aug. 7-12, 2016.
  • T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, A. Kuramata, and M. Higashiwaki, "Anisotropic optical constants in β-Ga2O3 single crystal," 58th Electronic Materials Conference (EMC 2016), Newark, DE, USA, June 22-24, 2016.
  • K. Konishi, T. Kamimura, M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, "Effects of post-deposition anneal on SiO2 films on Ga2O3 (010)," 58th Electronic Materials Conference (EMC 2016), Newark, DE, USA, June 22-24, 2016.
  • M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Investigation of Mg-ion-implanted Ga2O3 as current blocking layer in vertical Ga2O3 transistors," 58th Electronic Materials Conference (EMC 2016), Newark, DE, USA, June 22-24, 2016.
  • K. Konishi, K. Goto, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Ga2O3 field-plated Schottky barrier diodes with a breakdown voltage of over 1 kV," 74th Device Research Conference (DRC 2016), Newark, DE, USA, June 19-22, 2016: [Late news].
2015
  • T. Nagata, S. Ueda, Y. Yamashita, M. Higashiwaki, A. Kuramata, N. Ikeno, Y. Suzuki, and T. Chikyow, "Electronic states of β-Ga2O3 single crystals studied by hard x-ray photoelectron spectroscopy," 2015 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, MA, USA, Nov. 30-Dec. 4, 2015.
  • H. Murakami, K. Nomura, K. Goto, K. Sasaki, Q.-T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, K. Konishi, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and A. Koukitu, "Homoepitaxial growth of Si-doped thick (001) β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy," 2015 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, MA, USA, Nov. 30-Dec. 4, 2015.
  • M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Field-plated Ga2O3 MOSFETs with a breakdown voltage of over 750 V," 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-1), Kyoto, Japan, Nov. 3-6, 2015.
  • N. T. Son, K. Goto, K. Nomura, H. Murakami, Q. T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, A. Kuramata, M. Higashiwaki, A. Koukitu, S. Yamakoshi, B. Monemar, and E. Janzén, "EPR studies of defects in β-Ga2O3," 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-1), Kyoto, Japan, Nov. 3-6, 2015.
  • I. G. Ivanov, K. Goto, K. Nomura, H. Murakami, Q.-T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, A. Kuramata, M. Higashiwaki, A. Koukitu, S. Yamakoshi, E. Janzen, and B. Monemar, "Optical properties of doped and intrinsic β-Ga2O3," 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-1), Kyoto, Japan, Nov. 3-6, 2015.
  • T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki, "Optical anisotropy in (010) plane of β-Ga2O3 single crystals," 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-1), Kyoto, Japan, Nov. 3-6, 2015.
  • K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Temperature-dependent device characteristics of HVPE-grown Ga2O3 Schottky barrier diodes," 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-1), Kyoto, Japan, Nov. 3-6, 2015.
  • M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Ga2O3 MOSFETs with a resistive buffer layer for reliable channel doping by implantation," 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-1), Kyoto, Japan, Nov. 3-6, 2015.
  • M. Schubert, R. Korlacki, S. Schoeche, V. Darakchieva, B. Monemar, K. Goto, K. Nomura, H. Murakami, Q.-T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, A. Kuramata, M. Higashiwaki, A. Koukitu, S. Yamakoshi, E. Janzen, D. Gogova, M. Schmidbauer, and Z. Galazka, "Anisotropy, phonon modes and band-to-band transitions in single-crystal monoclinic beta-Ga2O3 determined by THz to VUV generalized ellipsometry," 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-1), Kyoto, Japan, Nov. 3-6, 2015.
  • T. Kamimura, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Characterization of Au/ALD-Al2O3/Ga2O3 (010) MOS capacitor by optical-isothermal capacitance transient spectroscopy," 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-1), Kyoto, Japan, Nov. 3-6, 2015.
  • S. Saito, M. Ichida, T. Onuma, K. Sasaki, A. Kuramata, N. Sekine, A. Kasamatsu, and M. Higashiwaki, "Measurements of third-order nonlinear optical susceptibility of β-Ga2O3 single crystals," 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-1), Kyoto, Japan, Nov. 3-6, 2015.
  • T. Nagata, S. Ueda, Y. Yamashita, M. Higashiwaki, A. Kuramata, N. Ikeno, Y. Suzuki, and T. Chikyow, "Photoelectron spectroscopic study of electronic state of β-Ga2O3 single crystal," 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-1), Kyoto, Japan, Nov. 3-6, 2015.
  • K. Sasaki, M. Higashiwaki, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "First demonstration of β-Ga2O3 Schottky barrier diode with field plate edge termination," 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015), Sapporo, Hokkaido, Japan, Sep. 27-30, 2015.
  • Y. Sugiura, T. Honda, D. Isono, T. Yamaguchi, T. Onuma, and M. Higashiwaki, "Angle-resolved XPS Spectra of AlOx/AlN/GaN structures," 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11), Beijing, China, Aug. 30-Sep. 4, 2015.
  • S. Saito, T. Onuma, K. Sasaki, A. Kuramata, N. Sekine, A. Kasamatsu, and M. Higashiwaki, "Estimation of carrier density of wide bandgap semiconductor β-Ga2O3 single crystals by THz reflectance measurement," 40th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2015), Hong Kong, China, Aug. 23-28, 2015.
  • M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Molecular beam epitaxy of undoped β-Ga2O3 (010) for Si-ion-implanted field effect transistors," 11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015), Takayama, Gifu, Japan, Aug. 23-26, 2015.
  • T. Kamimura, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Improvement of Al2O3/Ga2O3 interface quality with thick crystalline Al2O3 interlayer," 11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015), Takayama, Gifu, Japan, Aug. 23-26, 2015.
  • S. Saito, N. Sekine, A. Kasamatsu, M. Higashiwaki, T. Onuma, K. Sasaki, and A. Kuramata, "THz time-domain spectroscopy of widegap semiconductor β-Ga2O3 single crystals," 3rd International Symposium on Microwave/Terahertz Science and Applications (MTSA 2015) and 6th International Symposium on Terahertz Nanoscience (TeraNano 6), Naha, Okinawa, Japan, June 30-July 4, 2015.
  • K. Konishi, T. Kamimura, M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Large conduction band offset at SiO2/β-Ga2O3 heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy," 42nd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2015), Santa Barbara, CA, USA, June 28-July 2, 2015.
  • T. Kamimura, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Suppression of interface state by formation of crystalline Al2O3 layer on β-Ga2O3 (010)," 57th Electronic Materials Conference (EMC 2015), Columbus, OH, USA, June 24-26, 2015.
  • T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki, "Determination of direct and indirect bandgap-energies of β-Ga2O3 by polarized transmittance and reflectance spectroscopy," 57th Electronic Materials Conference (EMC 2015), Columbus, OH, USA, June 24-26, 2015.
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, and S. Yamakoshi, "Ga2O3 Schottky barrier diodes with n--Ga2O3 drift layers grown by HVPE," 73rd Device Research Conference (DRC 2015), Columbus, OH, USA, June 21-24, 2015.
  • T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki, "Optical anisotropy in β-Ga2O3 crystals grown by melt-growth methods," The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'15), Yokohama, Kanagawa, Japan, Apr. 22-24, 2015.
  • M. H. Wong, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Enhanced Fe diffusion in Si-ion-implanted β-Ga2O3 and its suppression in Ga2O3 transistor structures through highly-resistive buffer layers," 2015 MRS Spring Meeting & Exhibit, San Francisco, CA, USA, Apr. 6-10, 2015.
2014
  • S. Saito, T. Onuma, K. Sasaki, A. Kuramata, N. Sekine, A. Kasamatsu, M. Higashiwaki, "THz wave absorption spectra of widegap semiconductor β-Ga2O3 single crystals," 2014 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston, MA, USA, Nov. 30-Dec. 5, 2014.
  • F. Ricci, A. Filippetti, V. Fiorentini, A. Baraldi, F. Boschi, R. Fornari, M. Higashiwaki, A. Kuramata, and M. Bosi, "A combined theoretical and experimental study of the bandgap of beta-Ga2O3 wafers and epilayers," E-MRS 2014 Fall Meeting, Warsaw, Poland, Sep. 15-18, 2014.
  • T. Kamimura, K. Sasaki, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Electrically estimated conduction band offset between ALD-Al2O3 and β-Ga2O3 (-201) using Fowler-Nordheim tunneling current," 56th Electronic Materials Conference (EMC 2014), Santa Barbara, USA, June 25-27, 2014.
  • M. H. Wong, T. Kamimura, K. Sasaki, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Mobility of electrons in β-Ga2O3 (010)," 41st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2014), Montpellier, France, May 11-15, 2014.
2013
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, M. H. Wong, T. Kamimura, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Depletion-mode Ga2O3 MOSFETs on β-Ga2O3 (010) substrates with Si-ion-implanted channel and contact," 2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2013), Washington, D.C., USA, Dec. 9-11, 2013.
  • T. Kamimura, M. H. Wong, K. Sasaki, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki, "Structural and electrical properties of Al2O3/Ga2O3 MOS diode on β-Ga2O3 (010)," 2013 MRS Fall Meeting, Boston, MA, USA, Dec. 1-6, 2013.
  • K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Formation of low-resistance ohmic contacts on β-Ga2O3 using Si ion implantation," 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2013), Hakodate, Hokkaido, Japan, Sep. 2-5, 2013.
  • Y. Sugiura, T. Honda, and M. Higashiwaki, "Crystallized AlOx/AlN/GaN heterostructures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy," 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10), Washington, D.C., USA, Aug. 25-30, 2013.
  • T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, and T. Honda, "Polarized Raman spectra in β-Ga2O3 crystals," 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), Warsaw, Poland, Aug. 11-16, 2013.
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Depletion-mode Ga2O3 MOSFETs," 71st Device Research Conference (DRC 2013), South Bend, IN, USA, June 23-26, 2013.
  • K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Growth temperature dependence of β-Ga2O3 homoepitaxial films by molecular beam epitaxy," 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013)," Kobe, Hyogo, Japan, May 19-23, 2013.
  • Y. Sugiura, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki, "In-situ RF-MBE growth of AlOx/AlN/GaN heterostructures," 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013), Kobe, Hyogo, Japan, May 19-23, 2013.
  • M. Higashiwaki, D. Krishnamurthy, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Al2O3/n-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor diodes," 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2013), Tamsui, New Taipei, Taiwan, May 12-15, 2013.
  • T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, and T. Honda, "Temperature dependent cathodoluminescence spectra of β-Ga2O3 crystals," 1st Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA'13), Yokohama, Kanagawa, Japan, Apr. 23-25, 2013.
2012
  • M. Higashiwaki, T. Igaki, T. Yamaguchi, and T. Honda, "In-situ RF-MBE growth of AlOx/n-GaN composite structures," 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4), Saint-Petersburg, Russia, July 16-19, 2012.
  • K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, "Ga2O3 Schottky barrier diodes fabricated on single-crystal β-Ga2O3," 70th Device Research Conference (DRC 2012), University Park, PA, USA, June 18-20, 2012.
2010
  • M. Higashiwaki, S. Chowdhury, B. L. Swenson, and U. K. Mishra, "Study of thermal oxidation effects on surface barrier height of AlGaN/GaN heterostructures," International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010), Tampa, Florida, USA, Sep. 19–24, 2010.

国内会議・研究会一般講演


2021
  • Sandeep Kumar, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Masataka Higashiwaki:"Vertical trench field plated Ga2O3 Schottky barrier diodes"、第69回応用物理学会春季学術講演会、青山学院大 相模原キャンパス&オンライン、相模原、神奈川、2022年3月22-26日.
  • Zhenwei Wang, Daiki Takatsuki, Jianbo Liang, Takahiro Kitada, Naoteru Shigekawa, and Masataka Higashiwaki:"Investigation of conduction band offset at n-Si/n-Ga2O3 heterojunction fabricated by surface-activated bonding"、第69回応用物理学会春季学術講演会、青山学院大 相模原キャンパス&オンライン、相模原、神奈川、2022年3月22-26日.
2021
  • Zhenwei Wang, Daiki Takatsuki, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, and Masataka Higashiwaki:"Electrical characteristics of n-Ga2O3/n-Si heterojunction formed by surface-activated bonding"、第82回応用物理学会秋季学術講演会、オンライン (Zoom)、2021年9月10-13日.
  • 高月 大輝、東脇 正高、清水 康雄、大野 裕、永井 康介、重川 直輝、梁 剣波:"Ga2O3/Siヘテロ構造の作製及び構造評価"、第82回応用物理学会秋季学術講演会、オンライン (Zoom)、2021年9月10-13日.
  • 上村 崇史、Roberto Quaglia、Martin Kuball、Paul Tasker、東脇 正高:"サブミクロンGa2O3 MOSFETの高周波パワー特性"、第82回応用物理学会秋季学術講演会、オンライン (Zoom)、2021年9月10-13日.
  • 大槻 匠、東脇 正高:"窒素イオン注入した基板上への横型Ga2O3 MOSFETの作製"、第82回応用物理学会秋季学術講演会、オンライン (Zoom)、2021年9月10-13日.
  • 上村 崇史、中田 義昭、東脇 正高:"β-Ga2O3 MOSFETの高周波特性評価と遅延時間解析"、電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会(ED研)1月研究会「化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波一般 」、オンライン (Zoom)、2021年1月29日.
2020
  • 中西 雅彦、ワン マンホイ、山口 智広、本田 徹、東脇 正高、尾沼 猛儀:"窒素イオン注入による酸化ガリウム結晶の光電流スペクトルの変化"、第3回結晶工学×ISYSE合同研究会、オンライン (Zoom)、2020年12月23日.
  • 上村 崇史、中田 義昭、東脇 正高:"サブミクロンGa2O3 MOSFETの遅延時間解析"、第81回応用物理学会秋季学術講演会、オンライン (Zoom)、2020年9月8-11日.
  • Man Hoi Wong, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Masataka Higashiwaki:"Aperture-limited conduction in vertical β-Ga2O3 MOSFETs with nitrogen-implanted current blocking layer"、第81回応用物理学会秋季学術講演会、オンライン (Zoom)、2020年9月8-11日.
  • Sandeep Kumar, Takafumi Kamimura, Chia-Hung Lin, Yoshiaki Nakata, and Masataka Higashiwak:"Reduction of leakage current through interface between Ga2O3 epitaxial layer and substrate by Mg/ Fe implantation"、第81回応用物理学会秋季学術講演会、オンライン (Zoom)、2020年9月8-11日.
  • 万 澤欣、高月 大輝、林 家弘、梁 剣波、東脇 正高、重川 直輝:"ラマン分光法によるGa2O3ショットキーバリアダイオードの自己発熱評価"、第81回応用物理学会秋季学術講演会、オンライン (Zoom)、2020年9月8-11日.
  • 中西 雅彦、ワン マンホイ、山口 智広、本田 徹、東脇 正高、尾沼 猛儀:"酸化ガリウム結晶への窒素イオン注入が分光感度特性に及ぼす影響"、第81回応用物理学会秋季学術講演会、オンライン (Zoom)、2020年9月8-11日.
  • 中西 雅彦、ワン マンホイ、山口 智広、本田 徹、東脇 正高、尾沼 猛儀:"窒素イオン注入酸化ガリウム結晶の光電流スペクトル"、第67回応用物理学会春季学術講演会、上智大 四ッ谷キャンパス、目黒、東京、2020年3月12-15日:(コロナウィルスのため講演会中止、予稿出版を持って発表扱い).
  • 上村 崇史、中田 義昭、東脇 正高:"最大発振周波数 27 GHzを有するGa2O3 MOSFET"、第67回応用物理学会春季学術講演会、上智大 四ッ谷キャンパス、目黒、東京、2020年3月12-15日:(コロナウィルスのため講演会中止、予稿出版を持って発表扱い).
2019
  • 山原 滉太、Abdul Mannan、芹田 和則、村上 博成、中西 英俊、東脇 正高、斗内 政吉、川山 巌:"窒化物半導体ヘテロ構造からのテラヘルツ放射特性"、第80回応用物理学会秋季学術講演会、北大 札幌キャンパス、札幌、北海道、2019年9月18-21日.
  • 上村 崇史、中田 義昭、東脇 正高:"Ga2O3 MOSFET における(AlGa)2O3バックバリア挿入による閾値電圧の正方向シフト"、第80回応用物理学会秋季学術講演会、北大 札幌キャンパス、札幌、北海道、2019年9月18-21日.
  • 林 家弘、武山 昭憲、湯田 洋平、綿引 達郎、村上 尚、熊谷 義直、大島 武、東脇 正高:"β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードの電子線照射に対する耐性"、第80回応用物理学会秋季学術講演会、北大 札幌キャンパス、札幌、北海道、2019年9月18-21日.
  • Man Hoi Wong, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Masataka Higashiwaki:"Vertical enhancement-mode β-Ga2O3 MOSFETs with a current aperture"、第80回応用物理学会秋季学術講演会、北大 札幌キャンパス、札幌、北海道、2019年9月18-21日.
  • 上村 崇史、中田 義昭、ワン マンホイ、タン ホング フック、東脇 正高:"窒素ドープチャネルを有するノーマリーオフβ-Ga2O3 MOSFET"、第66回応用物理学会春季学術講演会、東工大大岡山キャンパス、目黒、東京、2019年3月9-12日.
  • Man Hoi Wong, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Masataka Higashiwaki:"β-Ga2O3 MOSFETs with nitrogen-ion-implanted back-barrier"、第66回応用物理学会春季学術講演会、東工大大岡山キャンパス、目黒、東京、2019年3月9-12日.
  • Man Hoi Wong, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Masataka Higashiwaki:"Vertical triple-ion-implanted β-Ga2O3 MOSFETs with nitrogen-doped current blocker"、第66回応用物理学会春季学術講演会、東工大大岡山キャンパス、目黒、東京、2019年3月9-12日.
  • 林 家弘、湯田 洋平、ワン マンホイ、佐藤 万由子、竹川 直、小西 敬太、綿引 達郎、山向 幹雄、村上 尚、熊谷 義直、東脇 正高:"窒素イオン注入を用いて作製したガードリング付き縦型Ga2O3ショットキーバリアダイオード (II)"、第66回応用物理学会春季学術講演会、東工大大岡山キャンパス、目黒、東京、2019年3月9-12日.
  • 田中 広也、佐々木 公平、山口 智広、本田 徹、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高、尾沼 猛儀:"酸化ガリウム結晶における電界変調反射スペクトルの観測"、第66回応用物理学会春季学術講演会、東工大大岡山キャンパス、目黒、東京、2019年3月9-12日.
2018
  • 林 家弘、ワン マンホイ、佐藤 万由子、竹川 直、小西 敬太、村上 尚、熊谷 義直、東脇 正高:"窒素イオン注入を用いて作製したガードリング付き縦型Ga2O3ショットキーバリアダイオード"、第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場、名古屋、愛知、2018年9月18-21日.
  • 尾沼 猛儀、中田 義昭、佐々木 公平、増井 建和、山口 智広、本田 徹、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"窒素ドープ酸化ガリウム薄膜における青色発光の強度変化"、第65回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学⻄早稲田キャンパス、新宿、東京、2018年3月17-20日.
  • リンガパルティ ラビキラン、中田 義昭、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"Ga2O3 (010)基板上にRF-MBE成長した(AlGa)2O3薄膜の構造解析"、第65回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学⻄早稲田キャンパス、新宿、東京、2018年3月17-20日.
  • 中田 義昭、上村 崇史、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"β-Ga2O3のRF-MBE成長における窒素取り込み"、第65回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学⻄早稲田キャンパス、新宿、東京、2018年3月17-20日.
  • Man Hoi Wong、後藤 健、倉又 朗人、山腰 茂伸、村上 尚、熊谷 義直、東脇 正高:"Current aperture vertical Ga2O3 MOSFETs with N-ion-implanted current blocking layer"、第65回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学⻄早稲田キャンパス、新宿、東京、2018年3月17-20日.
  • Man Hoi Wong、森川 陽二、東脇 正高:"Simulation of heat extraction from Ga2O3 MOSFETs with an integrated SiC heat sink"、第65回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学⻄早稲田キャンパス、新宿、東京、2018年3月17-20日.
  • 林 家弘、八田 直記、小西 敬太、渡辺 信也、倉又 朗人、八木 邦明、東脇 正高:"単結晶Ga2O3/多結晶SiC貼り合わせ基板のヘテロ界面電気抵抗評価"、第65回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学⻄早稲田キャンパス、新宿、東京、2018年3月17-20日.
  • 林 家弘、八田 直記、小西 敬太、渡辺 信也、倉又 朗人、八木 邦明、東脇 正高:"単結晶Ga2O3/多結晶SiC貼り合わせ基板のヘテロ界面電気抵抗評価"、応用物理学会 電子デバイス界面テクノロジー研究会(第23回)-材料・プロセス・デバイス特性の物理-、東レ総合研修センター、三島、静岡、2018年1月19-20日.
2017
  • 尾沼 猛儀、佐々木 公平、増井 建和、山口 智広、本田 徹、倉又 朗人、東脇 正高:"SiドープとSiイオン注入単結晶酸化ガリウム結晶の光学的特性"、第78回応用物理学会秋季学術講演会、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス、博多、福岡、2017年9月5-8日.
  • Lingaparthi Ravikiran、中田 義昭、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"Morphological and electrical properties of β-Ga2O3 (010) layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy"、第78回応用物理学会秋季学術講演会、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス、博多、福岡、2017年9月5-8日.
  • 小西 敬太、後藤 健、富樫 理恵、村上 尚、東脇 正高、倉又 朗人、山腰 茂伸、Bo Monemar、熊谷 義直:"異なる酸素源を用いた酸化ガリウムハライド気相成長の比較"、第78回応用物理学会秋季学術講演会、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス、博多、福岡、2017年9月5-8日.
  • 林 家弘、ワン マンホイ、小西 敬太、東脇 正高:"耐圧3 kV超縦型Ga2O3ショットキーバリアダイオードの設計"、第78回応用物理学会秋季学術講演会、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス、博多、福岡、2017年9月5-8日.
  • Man Hoi Wong、林 家弘、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"Nitrogen ion implantation technology for vertical Ga2O3 power devices"、第78回応用物理学会秋季学術講演会、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス、博多、福岡、2017年9月5-8日.
  • Man Hoi Wong、後藤 健、倉又 朗人、山腰 茂伸、村上 尚、熊谷 義直、東脇 正高:"Planar vertical Ga2O3 MOSFETs with a current aperture"、第78回応用物理学会秋季学術講演会、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス、博多、福岡、2017年9月5-8日.
  • Man Hoi Wong、武山 昭憲、牧野 高紘、大島 武、佐々木 公平、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"Gamma-ray irradiation effects on Ga2O3 MOSFETs"、第78回応用物理学会秋季学術講演会、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス、博多、福岡、2017年9月5-8日.
  • 上村 崇史,中田 義昭, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 東脇 正高:"窒素添加β-Ga2O3 (010) 薄膜のオゾンMBE成膜と特性評価"、第78回応用物理学会秋季学術講演会、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス、博多、福岡、2017年9月5-8日.
  • 中田 義昭、佐々木 公平、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"β-Ga2O3 (010) 基板上へのGa2O3のMBE成長"、第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、みなとみらい、神奈川、2017年3月14-17日.
  • 中田 義昭、佐々木 公平、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"β-Ga2O3 (001) 基板上へのGa2O3のMBE成長"、第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、みなとみらい、神奈川、2017年3月14-17日.
  • Man Hoi Wong、中田 義昭、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"Enhancement-mode Ga2O3 MOSFETs with Si-ion-implanted source and drain"、第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、みなとみらい、神奈川、2017年3月14-17日.
  • 佐々木 公平、脇本 大樹、ティユ クァン トゥ、小石川 結樹、倉又 朗人、東脇 正高、山腰 茂伸:"トレンチMOS構造を設けたGa2O3ショットキーバリアダイオード"、第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、みなとみらい、神奈川、2017年3月14-17日.
  • L. Ravikiran、中田 義昭、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"Effect of nitridation on properties of AlN/β-Ga2O3 composite structures"、第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、みなとみらい、神奈川、2017年3月14-17日.
  • 小野 瑞生、尾沼 猛儀、後藤 良介、佐々木 公平、永井 裕己、山口 智広、東脇 正高、倉又 朗人、山腰 茂伸、佐藤 光史、本田 徹:"p形NiO薄膜における電気的特性と光学的特性の関係"、第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、みなとみらい、神奈川、2017年3月14-17日.
  • M. H. Wong, Y. Nakata, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki:"Enhancement-mode Ga2O3 MOSFETs with Al2O3 gate dielectric and Si-ion-implanted source and drain"、応用物理学会 電子デバイス界面テクノロジー研究会(第22回) ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―、東レ研修センター、三島、静岡、2017年1月20-21日.
2016
  • 尾沼 猛儀、齋藤 伸吾、佐々木 公平、増井 建和、山口 智広、本田 徹、倉又 朗人、東脇 正高:"β-Ga2O3薄膜と単結晶の光学定数の比較"、第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、新潟、2016年9月13-16日.
  • 佐々木 公平、東脇 正高、倉又 朗人、山腰 茂伸:"スパッタで堆積したp-NiO膜の電気特性"、第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、新潟、2016年9月13-16日.
  • 小西 敬太、後藤 健、富樫 理恵、村上 尚、熊谷 義直、Bo Monemar、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"1 kV耐圧Ga2O3フィールドプレート付きショットキーバリアダイオード"、第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、新潟、2016年9月13-16日.
  • Man Hoi Wong、森川 陽二、佐々木 公平、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"Channel temperature in Ga2O3 MOSFETs"、第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、新潟、2016年9月13-16日.
  • Man Hoi Wong、佐々木 公平、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"Mg-ion-implanted Ga2O3 for current blocking in vertical Ga2O3 transistors"、第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、新潟、2016年9月13-16日.
  • 小西 敬太、上村 崇史、ワン マンホイ、佐々木 公平、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"Ga2O3上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響"、電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会(ED研) 7月研究会「半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般」、首都大学東京南大沢キャンパス、八王子、東京、2016年7月23-24日.
  • Man Hoi Wong、佐々木 公平、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"High-breakdown depletion-mode Ga2O3 MOSFETs with a field plate"、電気学会 電子デバイス研究会「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用」、絹の渓谷 碧流、日光、栃木、2016年3月28-29日.
  • Man Hoi Wong、佐々木 公平、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"Field-plated Ga2O3 MOSFETs with a breakdown voltage of over 750 V"、第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学大岡山キャンパス、大岡山、東京、2016年3月19-22日.
  • 小西 敬太、上村 崇史、ワン マンホイ、佐々木 公平、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"Ga2O3 (010)上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響"、第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学大岡山キャンパス、大岡山、東京、2016年3月19-22日.
  • 尾沼 猛儀、齋藤 伸吾、佐々木 公平、後藤 健、増井 建和、山口 智広、本田 徹、倉又 朗人、東脇 正高:"β-Ga2O3結晶における励起子-LOフォノン相互作用"、第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学大岡山キャンパス、大岡山、東京、2016年3月19-22日.
  • 中田 義昭、佐々木 公平、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"β-Ga2O3 (010)基板上へのGa照射"、第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学大岡山キャンパス、大岡山、東京、2016年3月19-22日.
  • 中田 義昭、佐々木 公平、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"オゾンを用いたβ-Ga2O3のMBE成長"、第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学大岡山キャンパス、大岡山、東京、2016年3月19-22日.
    2015
  • Man Hoi Wong、佐々木 公平、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"Molecular beam epitaxy of undoped β-Ga2O3 (010) for Si-ion-implanted field effect transistors"、第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場、名古屋、愛知、2015年9月13-16日.
  • 佐々木 公平、東脇 正高、後藤 健、野村 一城、Quang Tu Thieu、富樫 理恵、村上 尚、熊谷 義直、Bo Monemar、纐纈 明伯、倉又 朗人、山腰 茂伸:"フィールドプレート電極終端構造を設けたβ-Ga2O3ショットキーバリアダイオード"、第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場、名古屋、愛知、2015年9月13-16日.
  • 小西 敬太、佐々木 公平、後藤 健、野村 一城、Quang Tu Thieu、富樫 理恵、村上 尚、熊谷 義直、Bo Monemar、纐纈 明伯、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"HVPE成長したGa2O3ショットキーバリアダイオードのデバイス特性温度依存性"、第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場、名古屋、愛知、2015年9月13-16日.
  • 東脇 正高、佐々木 公平、小西 敬太、後藤 健、野村 一城、Quang Tu Thieu、富樫 理恵、村上 尚、熊谷 義直、Bo Monemar、纐纈 明伯、倉又 朗人、山腰 茂伸:"HVPE成長したドリフト層を有するGa2O3ショットキーバリアダイオード"、第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場、名古屋、愛知、2015年9月13-16日.
  • 野村 一城、後藤 健、佐々木 公平、ティユ クァン トゥ、富樫 理恵、村上 尚、熊谷 義直、東脇 正高、倉又 朗人、山腰 茂伸、Bo Monemar、纐纈 明伯:"ハライド気相成長法によるSiドープn形β-Ga2O3 (001)厚膜のホモエピタキシャル成長"、第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場、名古屋、愛知、2015年9月13-16日.
  • 尾沼 猛儀、齋藤 伸吾、佐々木 公平、増井 建和、山口 智広、本田 徹、東脇 正高:"β-Ga2O3結晶の(010)面における光学異方性"、第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場、名古屋、愛知、2015年9月13-16日.
  • 齋藤 伸吾、市田 正夫、尾沼 猛儀、佐々木 公平、倉又 朗人、関根 徳彦、笠松 章史、東脇 正高:"β-Ga2O3単結晶の光学非線形屈折率測定"、第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場、名古屋、愛知、2015年9月13-16日.
  • 小西 敬太、上村 崇史、ワン マンホイ、佐々木 公平、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"X線光電子分光法によるSiO2/β-Ga2O3界面のバンドアライメント評価"、電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会(ED研) 7月研究会「半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般」、ITビジネスプラザ武蔵、金沢、石川、2015年7月24-25日.
  • 河原 克明、野村 一城、後藤 健、佐々木 公平、ティユ クァン トゥ、富樫 理恵、村上 尚、熊谷 義直、東脇 正高、倉又 朗人、山腰 茂伸、Bo Monemar、纐纈 明伯:"Thermodynamic and experimental studies on homoepitaxial growth of β-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy"、34th Electronic Materials Syposium、ラフォーレ琵琶湖、滋賀、2015年7月15-17日.
  • 野村 一城、後藤 健、佐々木 公平、河原 克明、ティユ クァン トゥ、富樫 理恵、村上 尚、熊谷 義直、東脇 正高、倉又 朗人、山腰 茂伸、Bo Monemar、纐纈 明伯:"ハライド気相成長法によるβ-Ga2O3基板上ホモエピタキシャル成長"、第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学湘南キャンパス、平塚、神奈川、2015年3月11-14日.
  • 齋藤 伸吾、尾沼 猛儀、佐々木 公平、倉又 朗人、関根 徳彦、笠松 章史、東脇 正高:"ワイドギャップ半導体β-Ga2O3単結晶のテラヘルツ波反射測定によるキャリア密度評価"、第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学湘南キャンパス、平塚、神奈川、2015年3月11-14日.
  • 尾沼 猛儀、齋藤 伸吾、佐々木 公平、増井 建和、山口 智広、本田 徹、東脇 正高:"β-Ga2O3結晶の透過と反射スペクトルの偏光依存性"、第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学湘南キャンパス、平塚、神奈川、2015年3月11-14日.
  • Man Hoi Wong、佐々木 公平、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"Planar device isolation for β-Ga2O3 field effect transistors"、第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学湘南キャンパス、平塚、神奈川、2015年3月11-14日.
  • 上村 崇史、ダイワシガマニ キルシナムルティ、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"(010) Ga2O3上Al2O3結晶化層厚と界面準位密度の相関"、第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学湘南キャンパス、平塚、神奈川、2015年3月11-14日.
  • 上村 崇史、ダイワシガマニ キルシナムルティ、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"(-201), (010) Ga2O3上における結晶化Al2O3層の面方位依存性"、第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学湘南キャンパス、平塚、神奈川、2015年3月11-14日.
  • 東脇 正高、中田 義昭、倉又 朗人、山腰 茂伸:"(-201) Ga2O3基板上へのAlN薄膜のRF-MBE成長"、第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学湘南キャンパス、平塚、神奈川、2015年3月11-14日.
    2014
  • 尾沼 猛儀、杉浦 洋平、山口 智広、本田 徹、東脇 正高:"AlOx/AlN/GaNヘテロ構造の発光特性"、第75回応用物理学会秋季学術講演会、北海道大学札幌キャンパス、札幌、北海道、2014年9月17-20日.
  • 上村 崇史、佐々木 公平、ワン マン ホイ、ダイワシガマニ キルシナムルティ、倉又 朗人、山腰 茂伸、東脇 正高:"Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合バンドアライメント"、第75回応用物理学会秋季学術講演会、北海道大学札幌キャンパス、札幌、北海道、2014年9月17-20日.
  • 佐々木 公平、ワン マンホイ、東脇 正高、倉又 朗人、山腰 茂伸:"Ga2O3中のFe原子の拡散に関する調査"、第75回応用物理学会秋季学術講演会、北海道大学札幌キャンパス、札幌、北海道、2014年9月17-20日.
  • 齋藤 伸吾、尾沼 猛儀、佐々木 公平、倉又 朗人、関根 徳彦、笠松 章史、東脇 正高:"ワイドギャップ半導体β-Ga2O3単結晶のテラヘルツ波吸収測定"、第75回応用物理学会秋季学術講演会、北海道大学札幌キャンパス、札幌、北海道、2014年9月17-20日.
  • 上村 崇史、佐々木 公平、Man Hoi Wong、Daivasigamani Krishnamurthy、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸、東脇 正高:"Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット"、電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会(ED研) 8月研究会「半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般」、機械振興会館、東京、2014年8月1日.
  • Man Hoi Wong、上村 崇史、佐々木 公平、Daivasigamani Krishnamurthy、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸、東脇 正高:"Electron mobility of Sn-doped and Si-implanted n-type β-Ga2O3"、第61回応用物理学会春季学術講演会、青山学院大学相模原キャンパス、相模原、神奈川、2014年3月17-20日.
  • 東脇 正高、佐々木 公平、Man Hoi Wong、上村 崇史、Daivasigamani Krishnamurthy、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"Siイオン注入を用いて作製したディプレッションモードGa2O3 MOSFET"、第61回応用物理学会春季学術講演会、青山学院大学相模原キャンパス、相模原、神奈川、2014年3月17-20日.
  • 東脇 正高:"酸化ガリウム (Ga2O3) パワーデバイスの研究開発"、nanotech2014「ナノICTシンポジウム2014 ~ナノテクの基礎研究成果をICT実用技術へ~」、東京ビックサイト、2014年1月29日.
  • 東脇 正高、佐々木 公平、Man Hoi Wong、上村 崇史、Daivasigamani Krishnamurthy、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET"、電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会(ED研) 1月研究会「パワーデバイスおよび超高周波デバイス/マイクロ波一般」、機械振興会館、東京、2014年1月16-17日.
2013
  • 上村 崇史、Man Hoi Wong、佐々木 公平、Daivasigamani Krishnamurthy、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸、東脇 正高:"Al2O3/n-Ga2O3 MOS ダイオード(2)"、第74回応用物理学会秋季学術講演会、同志社大学京田辺キャンパス、田辺、京都、2013年9月16-20日.
  • 東脇 正高、佐々木 公平、上村 崇史、Man Hoi Wong、Daivasigamani Krishnamurthy、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"ディプレッションモードGa2O3 MOSFET"、第74回応用物理学会秋季学術講演会、同志社大学京田辺キャンパス、田辺、京都、2013年9月16-20日.
  • 佐々木 公平、東脇 正高、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"Siイオン注入を用いたβ-Ga2O3へのオーミックコンタクト形成"、第74回応用物理学会秋季学術講演会、同志社大学京田辺キャンパス、田辺、京都、2013年9月16-20日.
  • 尾沼 猛儀、藤岡 秀平、山口 智広、東脇 正高、佐々木 公平、増井 建和、本田 徹:"β-Ga2O3結晶における青色発光強度と抵抗率の相関"、第74回応用物理学会秋季学術講演会、同志社大学京田辺キャンパス、田辺、京都、2013年9月16-20日.
  • 杉浦 洋平、本田 徹、東脇 正高:"In-situ RF-MBEによるAlN/GaNヘテロ構造上へのAlOx薄膜成長"、第74回応用物理学会秋季学術講演会、同志社大学京田辺キャンパス、田辺、京都、2013年9月16-20日.
  • 上村 崇史、Man Hoi Wong、佐々木 公平、Daivasigamani Krishnamurthy、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸、東脇 正高:"Al2O3/n-Ga2O3 MOS ダイオード特性評価"、電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会(ED研) 8月研究会「半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般」、富山大学五福キャンパス、富山、2013年8月8-9日.
  • 杉浦 洋平、山口 智広、本田 徹、東脇 正高:"RF-MBE growth of AlOx/AlN/GaN heterostructures"、32nd Electronic Materials Syposium、ラフォーレ琵琶湖、滋賀、2013年7月10-12日.
  • 杉浦 洋平、本田 徹、東脇 正高:"In-situ RF-MBEによる窒化物構造上AlOx薄膜の結晶成長"、第5回窒化物半導体結晶成長講演会、大阪大学銀杏会館、吹田、大阪、2013年6月21-22日.
  • 東脇 正高、Daivasigamani Krishnamurthy、佐々木 公平、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"Al2O3/n-Ga2O3 MOS ダイオード"、第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、厚木、神奈川、2013年3月27-30日.
  • 佐々木 公平、東脇 正高、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"β-Ga2O3ホモエピタキシャルMBE 成長における成長温度依存性"、第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、厚木、神奈川、2013年3月27-30日.
  • 佐々木 公平、東脇 正高、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"Sn イオン注入を用いたβ-Ga2O3へのオーミックコンタクト形成"、第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、厚木、神奈川、2013年3月27-30日.
  • 尾沼 猛儀、藤岡 秀平、山口 智広、東脇 正高、佐々木 公平、増井 建和、本田 徹:"β-Ga2O3結晶の偏光ラマンスペクトル"、第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、厚木、神奈川、2013年3月27-30日.
  • 杉浦 洋平、山口 智広、本田 徹、東脇 正高:"In-situ RF-MBE法によるAlOx/AlN/GaN構造のヘテロ成長"、第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、厚木、神奈川、2013年3月27-30日.
2012
  • 佐々木 公平、東脇 正高、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸、東脇 正高:"単結晶β-Ga2O3基板を用いたPt/β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード"、電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会(ED研) 11月研究会「窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般」、大阪市立大学杉本キャンパス、住吉、大阪、2012年11月29-30日.
  • 尾沼 猛儀、藤岡 秀平、山口 智広、東脇 正高、佐々木 公平、増井 建和、本田 徹:"酸化ガリウムのCLスペクトルの温度依存性"、第73回応用物理学会秋季学術講演会、愛媛大学文京キャンパス、松山、愛媛、2012年9月11-14日.
  • 佐々木 公平、東脇 正高、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"単結晶β-Ga2O3基板を用いたβ-Ga2O3ショットキーバリアダイオード"、第73回応用物理学会秋季学術講演会、愛媛大学文京キャンパス、松山、愛媛、2012年9月11-14日.
  • 佐々木 公平、東脇 正高、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"Device-quality β-Ga2O3 epitaxial films fabricated by ozone MBE"、31st Electronic Materials Syposium、ラフォーレ修善寺、伊豆、静岡、2012年7月11-13日.
  • 東脇 正高、井垣 辰浩、山口 智広、本田 徹:"n-GaN上へのAlOx薄膜のin-situ RF-MBE成長"、第59回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学早稲田キャンパス、新宿、東京、2012年3月15-18日.
  • 東脇 正高、佐々木 公平、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"単結晶酸化ガリウムMESFET"、第59回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学早稲田キャンパス、新宿、東京、2012年3月15-18日.
2010
  • 東脇 正高、Srabanti Chowdhury、Brian L. Swenson、Umesh K. Mishra:"AlGaN/GaNへテロ構造の表面バリアハイトに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響"、第71回応用物理学会秋季学術講演会、長崎大学文教キャンパス、長崎、2010年9月14-17日.
  • 東脇 正高、Srabanti Chowdhury、Brian L. Swenson、Umesh K. Mishra:"低パワーRIEによりエッチングしたAlGaN 表面を有するAlGaN/GaNヘテロ構造の表面ドナー準位分布"、第71回応用物理学会秋季学術講演会、長崎大学文教キャンパス、長崎、2010年9月14-17日.
  • 東脇 正高、Yi Pei、Rongming Chu、Umesh K. Mishra:"AlGaN/GaNヘテロ構造トランジスタにおけるDC-RF周波数分散に対するAlGaN障壁薄層化の影響"、第71回応用物理学会秋季学術講演会、長崎大学文教キャンパス、長崎、2010年9月14-17日.
  • 東脇 正高、Srabanti Chowdhury、Brian L. Swenson、Umesh K. Mishra:"AlGaN/GaN HFETの表面バリア高さに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響"、電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会6月研究会「半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般」、北陸先端科学技術大学院大学、小松、石川、2010年6月17日.

著書・雑誌解説記事

著書


2022
  • 東脇 正高:『次世代パワー半導体の開発・評価と実用化』、第1編「次世代パワー半導体の開発」、第4章「Ga2O3 (酸化ガリウム) パワー半導体」、第1節「β型酸化ガリウムパワーデバイス開発」、pp. 185-192、NTS出版、2022年2月25日.
2021
  • M. Higashiwaki,
    "Wide Bandgap Semiconductors for Power Electronics: Materials, Devices, Applications"
    Chapter 22 "Gallium Oxide: Material Properties and Devices,"
    pp. 659-679, Wiley, October, 2021.
  • M. Higashiwaki,
    "Ultrawide Bandgap Semiconductors"
    Chapter 1 "Fundamental technologies for gallium oxide transistors,"
    Semiconductors and Semimetals series, vol. 107, pp. 1-22, Elsevier, July, 2021.
  • 東脇 正高:『次世代パワー半導体の開発動向と応用展開』、第1編「次世代パワー半導体の開発」、第2章「材料特性と開発」、第3節「酸化ガリウム材料・デバイス開発」、pp. 39-45、シーエムシー出版、2021年8月31日.
  • 東脇 正高:『次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎 -Siから新材料への新展開-』、第4章「Ga2O3パワーデバイス」、pp. 165-200、科学情報出版、2021年1月24日.
2020
  • M. H. Wong and M. Higashiwaki,
    "Gallium Oxide - Materials Properties, Crystal Growth, and Devices -"
    Part IV "Devices,"
    Chapter 32 "Field-Effect Transistors 2 - Ga2O3 Field-Effect Transistors for Power Switching and Radiation-Hard Electronics,"
    Springer Series in Materials Science, vol. 293, pp. 583-607, Springer, April, 2020.
  • M. Schubert, A. Mock, R. Korlacki, S. Knight, B. Monemar, K. Goto, Y. Kumagai, A. Kuramata, Z. Galazka, G. Wagner, M. J. Tadjer, V. D. Wheeler, M. Higashiwaki, and V. Darakchieva,
    "Gallium Oxide - Materials Properties, Crystal Growth, and Devices -"
    Part III "Materials Properties,"
    Chapter 28 "Phonon Properties - Phonon and Free Charge Carrier Properties in Monoclinic-Symmetry β-Ga2O3,"
    Springer Series in Materials Science, vol. 293, pp. 501-534, Springer, April, 2020.
  • M. Higashiwaki,
    "Gallium Oxide - Materials Properties, Crystal Growth, and Devices -"
    Chapter 1 "Introduction,"
    Springer Series in Materials Science, vol. 293, pp. 1-12, Springer, April, 2020.
  • M. H. Wong and M. Higashiwaki,
    "Selected Topics in Electronics and Systems",
    Chapter 2 "Gallium Oxide Field Effect Transistors — Establishing New Frontiers of Power Switching and Radiation-Hard Electronics,"
    vol. 63, pp. 31-50, World Scientific, February, 2020.
2019
  • M. Higashiwaki,
    "Molecular Beam Epitaxy: Materials and Applications for Electronics and Optoelectronics,"
    Part V "Challenge of MBE to New Materials and New Researches,"
    Chapter 25 "MBE growth of Ga2O3 and its application,"
    pp. 411-422, Wiley, April 12, 2019.
  • K. Akahane and Y. Nakata,
    "Molecular Beam Epitaxy: Materials and Applications for Electronics and Optoelectronics,"
    Part III "MBE for Optoelectronic Devices,"
    Chapter 9 "Applications of III-V semiconductor quantum dots in optoelectronic devices,"
    pp. 151-167, Wiley, April 12, 2019.
2017
  • 東脇 正高:『科学立国日本を築くⅡ ~次代を拓く気鋭の研究者たち~』、第1章「LSI技術・電子デバイスの新展開」、第7節「超高周波窒化ガリウム (GaN) トランジスタ ~ミリ波帯超高速無線通信に向けて~」、pp. 49-56、日刊工業新聞社、2017年3月1日.
2015
  • 東脇 正高:『次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開』、第2編「材料開発」、第6章「酸化ガリウム:材料、デバイス開発」、pp. 47-55、シーエムシー出版、2015年6月10日.
2013
  • 東脇 正高、佐々木 公平:『ポストシリコン半導体 ~ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果~』、第2編「ポストシリコン半導体ナノ薄膜結晶成長と構造電子物性制御」、第5章「酸化物半導体」、第2節「新規ワイドギャップ半導体・酸化ガリウムの成膜と物性およびMESFET試作評価」、pp. 240-249、エヌ・ティー・エス、2013年6月11日.
  • 東脇 正高:『ワイドギャップ半導体 あけぼのから最前線へ』、第2編「ワイドギャップ半導体エコ技術の最前線」、第5章「情報・通信エコ技術」、第4節「近未来情報・通信システムへの展開」、pp. 336-342、培風館、2013年1月31日.
  • 東脇 正高:『ワイドギャップ半導体 あけぼのから最前線へ』、第2編「ワイドギャップ半導体エコ技術の最前線」、第5章「情報・通信エコ技術」、第3節「超高速電子デバイス」、pp. 326-336、培風館、2013年1月31日.
  • 東脇 正高:『2013 化合物半導体技術大全』、第2編「化合物半導体基板・デバイス技術」、第7章「その他の化合物半導体基板・応用デバイス」、第4節「Ga2O3基板・応用デバイス」、pp. 98-101、電子ジャーナル、2013年1月21日.


雑誌解説記事


2022
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスの技術動向と応用展開"、工業材料 vol. 70, no. 1(2022年冬号), pp. 8-12 (2022).
2021
  • 東脇 正高:"縦型酸化ガリウムパワーデバイスの開発動向"、車載テクノロジー vol. 8, no. 12, pp. 36-40 (2021).
  • 東脇 正高:"ベータ酸化ガリウムデバイス"、応用物理 vol. 90, no. 5, pp. 283-289 (2021).
2020
  • 東脇 正高、上村 崇史:"酸化ガリウム電子デバイス研究開発"、情報通信研究機構研究報告 vol. 66, no. 2, pp. 67-73 (2020).
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスの可能性"、日本信頼性学会誌 vol. 42, no. 5, pp. 235-240 (2020).
2019
  • M. Higashiwaki and M. H. Wong, "Ion implantation advances Ga2O3 power transistors," Compound Semiconductor vol. 25, no. 6, pp. 66-71 (2019).
  • 東脇 正高:"酸化ガリウム (Ga2O3) パワーデバイスの開発動向および実用化展望"、工業材料 vol. 67, no. 1, pp. 27-30 (2019).
2018
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスの動向"、電気総合誌オーム vol. 105, no. 1, pp. 23-25 (2018).
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムエレクトロニクス"、パリティ vol. 33, no. 1, pp. 38-39 (2018).
2017
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムトランジスターの夜明け"、パリティ vol. 32, no. 10, pp. 52-56 (2017).
  • 熊谷 義直、村上 尚、倉又 朗人、東脇 正高:"HVPE法による高品質酸化ガリウムエピタキシャル成長技術"、応用物理 vol. 86, no. 2, pp. 107-111 (2017).
2016
  • 東脇 正高、熊谷 義直、村上 尚、倉又 朗人:"酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術と実用化への課題"、エネルギーデバイス vol. 3, no. 6, pp. 43-47 (2016).
2015
  • 倉又 朗人、飯塚 和幸、佐々木 公平、輿 公祥、増井 建和、森島 嘉克、後藤 健、熊谷 義直、村上 尚、纐纈 明伯、ワン マンホイ、上村 崇史、東脇 正高、山腰 茂伸:"酸化ガリウム単結晶の光・電子デバイス応用"、日本結晶成長学会誌 vol. 42, no. 2, pp. 130-140 (2015).
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現状"、エネルギー・資源 vol. 36, no. 4, pp. 233-236 (2015).
2014
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイス研究開発の現状と今後"、電子情報通信学会誌 vol. 97, no. 3, pp. 205-208 (2014).
  • 東脇 正高、佐々木 公平:"酸化ガリウム (Ga2O3) 結晶成長およびデバイス応用"、表面科学 vol. 35, no. 2, pp. 102-107 (2014).
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスの研究開発"、FCレポート vol. 32, no. 1, pp. 12-15 (2014).
2013
  • 東脇 正高:"酸化ガリウムパワーデバイスが生み出すインパクトと研究開発テーマ"、研究開発リーダー vol. 10, no. 6, pp. 48-52 (2013).
2012
  • 東脇 正高、佐々木 公平、倉又 朗人、増井 建和、山腰 茂伸:"酸化ガリウムトランジスタ"、機能材料 vol. 32, no. 12, pp. 27-33 (2012).
  • M. Higashiwaki, "Gallium oxide trumps traditional wide bandgap semiconductors," Compound Semiconductor vol. 18, no. 4, pp. 20-23 (2012).
  • 東脇 正高:”酸化ガリウム (Ga2O3) トランジスタ”を世界で初めて実現、月刊セラミックス vol. 47, no. 5, pp. 379 (2012).
  • 東脇 正高、倉又 朗人、佐々木 公平、山腰 茂伸、増井 建和:"酸化ガリウムをパワー素子に SiCよりも安く、高性能に"、日経エレクトロニクス vol. 1079, no. 4, pp. 81-89 (2012).


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