8th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (IEEE EDTM 2024)において、東脇が招待講演を行いました.
旧メンバーのDaivasigamani Krishnamurthyさんとも久しぶりにお会いし、旧交を温めました.
Clarivate Highly Cited Researcher 2023（クラリベイト 2023年 高被引用論文著者）に、東脇が選出されました. 2021年に続いて2度目となります.
これまで、ご助言、ご支援賜りました、先生、先輩、同僚、共同研究者の皆様に心より御礼申し上げます.
― クラリベイト社ニュースリリース ―
Highly Cited Researchers 2023
51st International School & Conference on the Physics of Semiconductors (Jaszowiec 2023)において、東脇が招待講演を行いました.
21st International Workshop on Junction Technology (IWJT2023)において、東脇が招待講演を行いました.
グリーンICTセンターに3年7ヶ月間在籍したSandeep Kumarさんが退職されるので送別会を行いました.これまでご苦労様でした.今後のAgnit Semiconductorsでのご活躍を祈念いたしております．
IEEE Fellow 称号が、東脇に授与されました.
Citation: "for contributions to gallium oxide electronics and millimeter-wave gallium nitride transistors"
これまで、ご助言、ご支援賜りました、先生、先輩、同僚、共同研究者の皆様に心より御礼申し上げます.
https://ieee-jp.org/kaiin/fellow/fellow23.html
東脇がプログラム委員会チェアとして、上村が現地実行委員として運営に携わった、酸化ガリウムおよびその関連材料を専門に扱う国際会議 The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-4)が開催されました．コロナ禍にも関わらず、参加者250名程度と盛況で、大成功に終わりました．
会議においては、グリーンICTデバイス研究室からは、大槻、Wangが口頭講演を行いました．また、共同研究先からも3件の口頭講演がなされました．
http://www.iwgo2022.org/
15th Asia Pacific Physics Conference (APPC15)において、東脇が招待講演（オンライン）を行いました.
5th U.S. Gallium Oxide Workshop (GOX 2022)において、東脇が基調講演 (Keynote talk)を行いました.こちらも、約2年半ぶりの米国での講演でした（バージニア州アーリントン）.
また、旧メンバーのProf. Man Hoi Wongとも久しぶりの再会でした.彼は、現在の米国 Univeristy of Massachusetts Lowellから、9月に香港科学技術大学 (Hong Kong University of Science and Technology) へ移籍します．新天地での更なるご活躍を祈念いたします．
International Conference on the Physics and Semiconductors 2022 (ICPS 2022)において、東脇が基調講演 (Plenary talk)を行いました.実に約2年半ぶりの海外での講演でした（オーストラリア シドニー）.
2022 MRS Spring Meeting & Exhibitにおいて、東脇が招待講演（オンライン）を行いました.
IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2022) において、東脇がショートコース講演（オンライン）を行いました.
New York Timesに掲載された次世代ワイドバンドギャップ半導体に関する記事に、酸化ガリウムが取り上げられました.
― New York Times ―
What's Down the Road for Silicon？
2022 International Power Electronics Conference (IPEC 2022) において、東脇が招待講演を行いました.
第54回市村学術賞 貢献賞を、東脇が受賞いたしました（受賞テーマ：酸化ガリウムデバイスの先駆的研究開発）.
これまで、ご助言、ご支援賜りました、先生、先輩、同僚、共同研究者の皆様に心より御礼申し上げます.
東脇 正高が、短時間研究員（室長）として着任しました（兼務）．本務は、大阪公立大学大学院工学研究科電子物理系専攻 教授となります．
グリーンICTデバイス研究室に7ヶ月間在籍した北田 貴弘さんが退職し、大阪公立大学へ移籍されます.ご苦労様でした.なお、大阪公立大へ移籍されますが、NICT協力研究員として、引き続き4月からもグリーンICTデバイス研究室に所属されます（兼務）．
また、東脇 正高もパーマネント職員を退職し、本務を大阪公立大学に移します．ただ、4月からも非常勤職員（短時間研究員）として室長業務は継続いたします．
52nd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (IEEE SISC 2021) において、東脇が招待講演（オンライン）を行いました.
Clarivate Highly Cited Researcher 2021（クラリベイト 2021年 高被引用論文著者）に、東脇が選出されました.
これまで、ご助言、ご支援賜りました、先生、先輩、同僚、共同研究者の皆様に心より御礼申し上げます.
― クラリベイト社ニュースリリース ―
Highly Cited Researchers 2021
International Union of Materials Research Societies - International Conference in Asia 2021 (IUMRS-ICA 2021) において、東脇が招待講演（オンライン）を行いました.
グリーンICTデバイス研究室に、北田 貴弘 主任研究員が新たにメンバーとして加わりました.
AAAFM-UCLA International Conference on Advances in Functional Materials 2021 (AAAFM-UCLA 2021) において、東脇が招待講演（オンライン）を行いました.
22nd Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2021) において、東脇が招待講演（オンライン）を行いました.
44th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE 2021) において、東脇が基調講演 (Hartnagel Lecture)（オンライン）を行いました.
Compound Semiconductor Week 2021 (CSW 2021) において、東脇が基調講演（オンライン）を行いました.
2021 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2021) において、東脇が招待講演（オンライン）を行いました.
第5期中長期計画スタートに当たり、グループ名が「グリーンICTデバイス研究室」に変更となりました.
SPIE Photonics West 2021において、東脇が招待講演（オンライン）を行いました.
高周波酸化ガリウムトランジスタ開発について報道発表を行いました.
詳細は、以下のプレスリリース資料をご参照下さい.
― NICTプレスリリース ―
https://www.nict.go.jp/press/2020/12/16-1.html
- 科学新聞（5面）、"【産業・応用・製品】高周波酸化ガリウムトランジスタ 最大発振周波数27 GHz、NICTが優れたデバイス特性達成"、2021年1月15日.
- 電子デバイス産業新聞（半導体産業新聞）（3面）、"NICT 27 GHz発振を達成 酸化ガリウム半導体で"、2021年1月14日.
- 電波新聞（12面）、"2021年注目の先端技術 NICTが無線通信向け酸化ガリウムトランジスタ 最大発振周波数27 GHzを実現"、2021年1月7日.
- 電波タイムズ（11面）、"NICT 無線通信向け酸化ガリウムトランジスタ開発 極限環境下での無線通信機器へ期待"、2021年1月1日.
5th International Conference on Emerging Electronics (ICEE 2020)において、東脇が招待講演（オンライン）を行いました.
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)において、Wongさん（現University of Massachusetts, Lowell）がオーラル講演（オンライン）を行いました.
78th Device Research Conference (DRC 2020)において、上村がオーラル講演（オンライン）を行いました.
グリーンICTセンターに、大槻 匠 主任研究員が新たにメンバーとして加わりました.
京都大 藤田教授と東脇がエディターを務めた、酸化ガリウム書籍 Springer: "Gallium Oxide - Materials Properties, Crystal Growth, and Devices -" がオンライン出版されました（ハードカバー版も後日出版されます）.
詳細は、以下のウェブサイトをご参照下さい.
― Springer Series in Materials Science: "Gallium Oxide - Materials Properties, Crystal Growth, and Devices -" ―
https://link.springer.com/book/10.1007/978-3-030-37153-1#toc
グリーンICTセンターに、Zhenwei WANG 研究員が新たにメンバーとして加わりました.
また、グリーンICTセンターの秘書として世古 優子さんが着任されました.
グリーンICTセンターに5年8ヶ月間在籍した中田 義昭さんが退職されました.これまでご苦労様でした.今後のノベルクリスタルテクノロジーでのご活躍を祈念いたしております．
また、グリーンICTセンターの秘書として1年間在籍した亀ヶ谷 真由美さんも退職されました.これまで色々と助けて頂きましてありがとうございました.
56th Annual Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices (WOCSEMMAD 2020)において、東脇が招待講演を行いました.
3rd Symposium for The Core Research Clusters for Materials Science and Spintoronics（東北大 材料科学研究拠点国際シンポジウム）において、東脇が招待講演を行いました.
SPIE Photonics West 2020において、尾沼先生（工学院大 教授、NICT協力研究員）、後藤さん（東京農工大 助教、NICT協力研究員）、Wongさん（現 University of Massachusetts Lowell）、東脇が招待講演を行いました.
47th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-47) において、東脇が招待講演を行いました.
Sandeepさんの歓迎会兼忘年会を行いました（写真撮り忘れました）.
2019 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS 2019)において、東脇が招待講演を行いました.
17th International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IEEE IMFEDK 2019)において、東脇が招待講演を行いました.
5th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2019)において、東脇が招待講演を行いました.
グリーンICTセンターに、Sandeep KUMAR研究員が新たにメンバーとして加わりました.
グリーンICTセンターに2年11ヶ月間在籍した林 家弘さんが退職されるので送別会を行いました.これまでご苦労様でした.今後のノベルクリスタルテクノロジーでのご活躍を祈念いたしております．
235th ECS Meetingにおいて、東脇が基調講演を行いました.
11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-11)において、東脇が招待講演を行いました.
3rd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-3)が、米国オハイオ州立大学で開催され、東脇が基調講演、上村、尾沼先生（工学院大 教授、NICT協力研究員）、後藤さん（東京農工大 助教、NICT協力研究員）がオーラル講演、林がポスター講演を行いました．
グリーンICTセンターに6年4ヶ月の長きに渡り在籍した、Man Hoi Wongさんが退職されるので送別会を行いました.SIPプロジェクト等の外部共同研究関係者の方々も多く集まってくださりました．新天地であるUniversity of Massachusetts, Lowellでのさらなるご活躍を祈念いたしております．
77th Device Research Conference (DRC 2019)においてWongがオーラル講演、61st Electronic Materials Conference (EMC2019)において東脇がオーラル講演を行いました.
ドイツ Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronikの所長Dr. Henning Riechertが、グリーンICTセンターを訪問して下さりました.
235th ECS Meetingにおいて、東脇が招待講演を行いました.
Compound Semiconductor Week (CSW 2019) において、Wongが招待講演（アップグレード）、上村、林、尾沼准教授（工学院大、NICT協力研究員）が口頭講演を行いました.スペシャルセッション "SS1: Gallium oxide: materials and devices" は、終日盛況でした．
亀ヶ谷さんの歓迎会（ランチ）を行いました.
平成31年度 情報通信研究機構成績優秀表彰を、Wongが受賞いたしました.
おめでとう!
グリーンICTセンターの秘書として3年3ヶ月間在籍した木村 那奈さんが退職されました.これまで色々と助けて頂きましてありがとうございました.
グリーンICTセンターに6年半の長きに渡り在籍した、片桐 祥雅さんが退職されるので送別会を行いました.これまで色々とお世話になりました.今後の新天地でのご活躍を祈念いたしております．
SPIE Photonics West 2019において、東脇が招待講演を行いました.
日本経済新聞に、東脇に関する記事が掲載されました.
― 日本経済新聞（28面） ―
"【かがくアゴラ】情通機構センター長 東脇正高氏 新顔パワー半導体に期待"
https://r.nikkei.com/columns/wappen_44GL44GM44GP44Ki44K044Op
グリーンICTデバイス先端開発センターの新年会を行いました.
縦型酸化ガリウムトランジスタ開発について報道発表を行いました.
詳細は、以下のプレスリリース資料をご参照下さい.
― NICTプレスリリース ―
https://www.nict.go.jp/press/2018/12/12-1.html
- 電子デバイス産業新聞（半導体産業新聞）（3面）、【急浮上！酸化ガリウム最前線（第4回）】情報通信研究機構 酸化ガリウム開発をリード イオン注入用いた縦型構造を開発"、2019年2月28日.
- 日刊油業報知新聞（2面）、"縦型酸化ガリウムパワー半導体 世界初、開発に成功 NEDO"、2019年1月23日.
- 日刊工業新聞（21面）、"酸化ガリウムで作製 新型トランジスタ EVなど省エネ期待 情通機構"、2019年1月7日.
- 半導体産業新聞（3面）、"NICTと農工大 イオン注入採用の縦型酸化ガリ開発電子デバイス産業新聞"、2018年12月27日.
- 科学新聞（1面）、"イオン注入ドーピング技術採用 縦型酸化ガリウムパワー半導体"、2018年12月21日.
- 電波新聞（8面）、"NICTと東京農工大 イオン注入ドーピング技術を利用 縦型Ga2O3トランジスタ開発に成功 量産に適し高い汎用性、低コスト"、2018年12月21日.
- 電波タイムズ（1面）、"縦型酸化ガリウムのトランジスタ開発に成功 イオン注入ドーピングを用いて NICT／農工大"、2018年12月19日.
- 日経産業新聞（5面）、"パワー半導体トランジスタ 酸化ガリウムで量産に向く技術 情通機構・東京農工大 イオン注入、産業応用期待"、2018年12月13日.
- 日刊産業新聞（20面）、"NEDOなど 酸化ガリウムパワー半導体 イオン注入で成功"、2018年12月13日.
SIP酸化ガリウムパワーデバイスプロジェクトの忘年会を行いました.
2018 MRS Fall Meeting and Exhibit, Symposium EP08: Ultra-Wide-Bandgap Materials and Devices において、東脇が招待講演を行いました.
The American Institute of Physics (AIP)が出版する Applied Physics Letters (APL) の "The ten most cited articles in 2018 published in 2016 and 2017" に、我々のグループの論文が、2016, 2017年それぞれ1編ずつ、計2編入りました.
また、2017年出版論文ではトップ10のうち5本が、2016年出版論文では3本がGa2O3研究論文でした.応用物理学全体においても、世界的にGa2O3がホットトピックになっていることを示しております.
― AIP Info ―
https://aip-info.org/t/1XPS-5YA4E-7BCAPVTLAC/cr.aspx
4th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium: Advanced Oxides and Wide Bandgap Semiconductors において、東脇が招待講演を行いました.
E-MRS 2018 Fall Meetingにおいて、Wongが招待講演を行いました.
3rd US Workshop on Gallium Oxide (GOX 2018) において、東脇が招待講演を行いました.
Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2018において、上村が招待講演を行いました.
76th Device Research Conference (DRC 2018)において、東脇が招待講演、60th Electronic Materials Conference (EMC2018)において、林がオーラル講演を行いました.
14th International Conference on Modern Materials and Technologies (CIMTEC 2018)において、Wongが招待講演を行いました.
20th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM 2018)において、Wongが招待講演を行いました.
Compound Semiconductor Week (CSW 2018)において、東脇が招待講演、Wongがポスター講演を行いました.
東脇が、Organizerとして企画した "Focus Session on Ga2O3 Materials and devices" も盛況でした.
下は、バンケットで行ったボストン・レッドソックスの本拠地球場 Fenway Park での写真です.
日刊工業新聞に、弊センターの酸化ガリウムデバイス研究開発に関する紹介記事が掲載されました.
― 日刊工業新聞（25面） ―
"【科学技術・大学】情報通信研究機構 NICT先端研究（41）バンドギャップ大 酸化ガリウム実用化"
233rd ECS Meetingにおいて、東脇が基調講演 (Keynote) を行いました.
33rd annual International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS-MANTECH 2018)において、東脇が招待講演を行いました.
Ga2O3高周波トランジスタ研究開発が、総務省戦略的情報通信研究開発推進事業（SCOPE）のＩＣＴ重点研究開発分野推進型３年枠（フェーズI）課題に採択されました.
― 関東総合通信局報道資料 ―
http://www.soumu.go.jp/soutsu/kanto/press/30/0509re.html
研究開発課題名： マイクロ波帯酸化ガリウムトランジスタの研究開発
日経産業新聞に、酸化ガリウムに関する記事が掲載されました.
― 日経産業新聞（12面） ―
"【Start Up Innovation Science】パワー半導体 材料に新星 酸化ガリウム 日本勢主導、米も関心"
Phucさんの歓迎会を行いました.
Phuc Hong Than（タン ホング フック）研究員が新たにメンバーに加わりました.
グリーンICTセンターに1年10ヶ月間在籍したLingaparthi Ravikiranさんが退職されるので送別会を行いました.これまでご苦労様でした.今後のご活躍を祈念いたしております．
東脇が、University of California, Santa Barbara, Materials Department主催のNakamura Lecture Awardを受賞し、記念講演を行いました.Nakamura Lecture Awardは、中村修二教授のノーベル賞受賞を記念して設立された、年1回世界的に著名かつ新進気鋭の研究者に贈られる賞です.
米国Air Force Research LaboratoryのGregg H. Jessen氏と東脇が共同執筆した酸化ガリウムエレクトロニクスに関するEditorial paper（解説論文）が、Applied Physics Letters (APL) 上に出版されました.APL初のEditorial論文となります.
また、論文出版に時期を合わせて、出版元のThe American Institute of Physics (AIP)からプレスリリースも行われました.
M. Higashiwaki and G. H. Jessen, “Guest Editorial: The dawn of gallium oxide microelectronics,”
Appl. Phys. Lett. vol. 112, pp. 060401 (2018); DOI: 10.1063/1.5017845
― AIPプレスリリース ―
https://publishing.aip.org/publishing/journal-highlights/dawn-gallium-oxide-microelectronics
SPIE Photonics West 2018において、東脇が招待講演を行いました.
NICT小金井本部にて、先端ICTデバイスラボ研究交流会および三村髙志博士京都賞受賞記念講演会が開催されました.
グループの新年会を行いました.（写真はまたも撮り忘れました）.
SIP酸化ガリウムパワーデバイスプロジェクトの忘年会を行いました（写真は撮り忘れました）.
19th International Workshop on The Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2017)において、東脇がプレナリー講演を行いました.
2017 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS 2017)において、東脇が招待講演を行いました.
4th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2017)において、Wongが招待講演を行いました.
AVS 64th International Symposium & Exhibition (AVS-64)において、東脇が招待講演を行いました.
8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2017)において、東脇が招待講演を行いました.
2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-2)が、イタリア パルマ大学で開催され、Wong、小西さん（農工大 助教、NICT協力研究員）が招待講演、上村が口頭講演、尾沼さん（工学院大 准教授、NICT協力研究員）、湯田さん（三菱電機、NICT協力研究員）がポスター講演を行いました．
平成29年度 電気学会研究会優秀論文発表賞を、Wongが受賞いたしました.
おめでとう!
12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2017)において、Wongが講演（ショートプレゼン&ポスター）を行いました.
21st American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-21)/18th US Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE-18)において、東脇が招待講演を行いました.
10th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-10)において、Wongが招待講演を行いました.
29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017)において、東脇が招待講演を行いました.
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)において、東脇が招待講演を行いました.
湯田さん（三菱電機）のご結婚のお祝いで、みんなで高尾山ビアガーデンに行きました.
2017 Electrical Material Conference (EMC 2017)において、Wongが口頭講演を行いました.
2017 Device Research Conference (DRC 2017)において、Wongが口頭、レートニュース講演、佐々木さん（ノベルクリスタルテクノロジー/タムラ製作所、NICT協力研究員）が口頭講演を行いました.
9th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2017)において、東脇が招待講演を行いました.
29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2017)において、東脇がショートコース講演を行いました.
44th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (ICMCTF-44) において、東脇が招待講演を行いました.
グリーンICTセンターの2年5ヶ月間在籍した小西 敬太さんが退職し、共同研究先の東京農工大 熊谷研究室に特任助教として移籍されるので壮行会を行いました.これまでご苦労様でした.今後のご活躍を祈念いたしております．また、今後共引き続きよろしくお願いいたします.
The 53rd Annual Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices (WOCSEMMAD 2017)において、東脇が招待講演を行いました.
44th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-44) において、東脇が招待講演を行いました.
日経Automotive 2月号 Cover Story「2030年に花開く10大材料」に、クルマを構成する注目すべき10大材料の一つとして、酸化ガリウムが取り上げられました.
― 日経Automotive 2017年2月号 ―
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/mag/15/318380/122200008/
グループの忘年会を行いました.
SIP酸化ガリウムパワーデバイスプロジェクトの忘年会を行いました.
2nd AFRL Workshop on Beta-Ga2O3: Synthesis, Characterization and Applications において、東脇が招待講演を行いました.
International Semiconductor Device Research Symposium 2016 (ISDRS 2016) において、Wongが招待講演を行いました.
林さんの歓迎会を行いました（写真撮り忘れました）.
NICT技術移転ベンチャー企業（株）ノベルクリスタルテクノロジーが、第3回知的財産活用表彰（日本弁理士会開催）において、知的財産活用奨励賞（知的財産戦略部門）を受賞されました. おめでとうございます！
― 日本弁理士会トピックス ―
http://www.jpaa.or.jp/pdf/chizaikatsuyouhyousyou-2016-3.pdf
林 家弘（リン チャホン）研究員が新たにメンバーに加わりました.
2016 MRS Fall Meeting and Exhibit, Symposium EM10: Emerging Materials and Technologies for Nonvolatile Memories において、Wongが口頭講演、東脇が招待講演を行いました.
11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2016)において、東脇が招待講演を行いました.
E-MRS 2016 Fall Meetingにおいて、Wongが招待講演を行いました.
German-Japanese Gallium Oxide Technology Meeting 2016において、尾沼先生（工学院大、NICT協力研究員）、東脇が招待講演を行いました.
2016 Lester Eastman Conference on High Performance Devices (LEC 2016)において、Wongが招待講演を行いました.
2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2016)において、東脇が招待講演を行いました.
2016 Compound Semiconductor Week (CSW 2016)において、東脇がショートコース講演、Wongが招待講演を行いました.
2016 Electrical Material Conference (EMC 2016)において、尾沼先生（工学院大、NICT協力研究員）、Wong、小西が口頭講演を行いました.
2016 Device Research Conference (DRC 2016)において、東脇がショートコース講演、小西がレートニュース口頭講演を行いました.
Raviさんと三菱電機から協力研究員として加わられた綿引さん、湯田さんの歓迎会を行いました.
Ravikiran LINGAPARTHI研究員が新たにメンバーに加わりました.
E-MRS 2016 Spring Meetingにおいて、東脇が招待講演を行いました.
2nd Technical Exchange on UWBG Semiconductorsにおいて、東脇がプレナリー講演を行いました.
グリーンICTセンターの3年6ヶ月間在籍したDaivasigamani Krishnamurthyさんが、退職されるので送別会を行いました.これまでご苦労様でした.今後のご活躍を祈念いたしております．
グリーンICTセンターのラムさんに代わる秘書の木村 那奈さんの歓迎会を行いました（写真撮り忘れました）.
グリーンICTセンターの秘書として2年5ヶ月間在籍したラム カイさんが、妊娠・出産に伴い退職されるので送別会を行いました.これまで色々と助けて頂きましてありがとうございました.元気で可愛い赤ちゃんのお知らせを楽しみにしております.
SIP酸化ガリウムパワーデバイスプロジェクトの忘年会を行いました.
The 18th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2015)において、東脇が招待講演を行いました.
東脇が、General co-chairとして携わった酸化ガリウムおよびその関連材料を専門に扱う初めての国際会議 The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-1)が開催されました．
会議においては、Wong、小西が口頭講演、上村、齋藤さん（NICT 超高周波ICT研究室）がポスター講演を行いました．
また、Wongが、40才以下の講演者対象のYoung Researcher Best Paper Awardを受賞いたしました.
http://www.iwgo2015.org/
NICT技術移転ベンチャー企業（株）ノベルクリスタルテクノロジー（埼玉県狭山市 代表取締役社長：倉又朗人）が、次世代パワーデバイス材料として有望な酸化ガリウムエピウエハの開発に成功したこと、またこの成果を事業化し、2015年10月から今後成長が見込まれるパワーエレクトロニクスに向け、大学・研究機関・メーカーなどへ供給を開始したことを発表するプレスリリースを行いました.
― （株）ノベルクリスタルテクノロジープレスリリース ―
http://www.novelcrystal.co.jp/company/press/20151021/index.html
― NICTプレスリリース ―
http://www.nict.go.jp/press/2015/10/21-1.html
The 37th IEEE Compound Semiconductor IC Symposium (IEEE CSICS 2015)において、東脇が招待講演を行いました.
The 22nd International Workshop on Oxide Electronics (WOE22)において、東脇が招待講演を行いました.
The 11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)において、上村とWongが講演（ショートプレゼン&ポスター）を行いました.
The 42nd International Symposium on Compound Semiconductor (ISCS 2015)において、東脇（招待）と小西（ポスター）が講演を行いました.
2015 Electrical Material Conference (EMC 2015)において、尾沼先生（工学院大、NICT協力研究員）、上村が口頭講演を行いました.
2015 Device Research Conference (DRC 2015)において、東脇が口頭講演を行いました.
NanotechJapan Bulletinの企画特集「10-9 INNOVATIONの最先端 ～Life & Green Nanotechnologyが培う新技術～」に、酸化ガリウムによるパワーデバイス開発が取り上げられました。
― NanotechJapan Bulletin Vol. 8, No. 2 ― http://nanonet.mext.go.jp/magazine/1196.html
2015 MRS Spring Meeting, Symposium CC: Reliability and Materials Issues of Semiconductors Optical and Electron Devices and Materials III において、Wongが口頭講演を行いました.
工学院大博士課程の学生で、NICT短時間補助員として2年間在籍した杉浦洋平くんの送別会を行いました.
3月に無事学位を取得し、4月からアダマンド株式会社へ就職します.
The 51st Annual Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices (WOCSEMMAD 2015)において、東脇が招待講演を行いました.
The 42nd Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-42)において、東脇が招待講演を行いました.
第11回（平成26年度）日本学術振興会賞を、東脇が受賞いたしました.
これまで、ご助言、ご支援賜りました、先生、先輩、同僚、共同研究者の皆様に心より御礼申し上げます.
SIP酸化ガリウムパワーデバイスプロジェクトの忘年会を行いました.
2014 MRS Fall Meeting, Symposium O: Oxide Semiconductors において、佐々木さん（タムラ製作所、NICT協力研究員）が招待講演を、齋藤さん（NICT 超高周波ICT研究室）がポスター講演を行いました.
2014 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC 2014)の Workshop "Trend of New Wide Band Gap Materials and Devices for Next Innovation" において、東脇が招待講演を行いました.
小西敬太研究員が新たにメンバーに加わりました.
The 23rd European Workshop on Heterostructure Technology (HETECH 2014)において、東脇が招待講演を行いました.
Ga2O3パワーデバイス研究開発が、SIP（戦略的イノベーション創造プログラム）の課題の一つである「次世代パワーエレクトロニクス」プロジェクトのテーマの一つに採択されました.
― NEDOニュースリリース ―
http://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_100316.html
研究開発課題名： 酸化ガリウムパワーデバイス基盤技術の研究開発
受託機関： 情報通信研究機構、タムラ製作所、東京農工大、新日本無線、シルバコ・ジャパン
2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014)において、東脇がショートコース講演を行いました.
中田義昭主任研究員が新たにメンバーに加わりました.
暑気払いのため、みんなで高尾山ビアガーデンに行きました.
2014 Electrical Material Conference (EMC 2014)において、上村が口頭講演を行いました.
2014 Device Research Conference (DRC 2014)において、東脇がランプセッションにてパネリスト講演を行いました.
2014 Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2014)において、東脇が招待講演を行いました.
The 41st International Symposium on Compound Semiconductor (ISCS 2014)において、東脇（招待）とWong（口頭）が講演を行いました.
グリーンICTデバイス先端開発センターのホームページ開設.
2012年に発表したGa2O3 MESFET論文が、『Applied Physics Letters: The Most Cited Articles from 2012-2013』に選ばれました. "Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga2O3 (010) substrates," Appl. Phys. Lett. vol. 100, pp. 013504 (2012).
URL: http://aip-info.org/1XPS-29YN6-8FC9M1XTBF/cr.aspx
センター設立に関するNICT理事長記者説明会の開催.
グリーンICTデバイス先端開発センター発足.