上村 崇史 (Takafumi Kamimura)


上村写真
上村 崇史
国立研究開発法人 情報通信研究機構
未来ICT研究所
小金井フロンティア研究センター
グリーンICTデバイス研究室
主任研究員
〒184-8795 東京都小金井市貫井北町4-2-1
Tel: 042-327-7224
Fax: 042-327-5527
E-mail: kamimura(at)nict.go.jp
(at)を@に変更して下さい。

学歴


2002年 3月 静岡大学 工学部 電気電子工学科 卒業
2004年 3月 筑波大学大学院 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻 中途退学
2006年 3月 大阪大学大学院 基礎工学研究科 物質創成専攻 博士後期課程 修了:博士(工学)


職歴


本務

2006年4月~2007年3月 日本学術振興会 特別研究員
2007年4月~2008年3月 産業技術総合研究所 特任研究員
2008年4月~2011年3月 日本学術振興会 特別研究員
2011年4月~2012年3月 産業技術総合研究所 特任研究員
大阪大学 産業科学研究所 招へい研究員
2012年4月~2013年3月 大阪大学 産業科学研究所 特任研究員
2013年4月~2013年11月 情報通信研究機構 未来ICT研究所 研究員
2013年12月~2014年3月 情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター 研究員
2014年4月~2021年3月 情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター 主任研究員
2021年4月~現在 情報通信研究機構 未来ICT研究所 小金井フロンティア研究センター グリーンICTデバイス研究室 主任研究員


受賞


2004年 2004 IEEE EDS Japan Chapter Student Award:
"Fabrication and I-V Characterization of Carbon Nanotube Single Electron Transistor Operated at Room Temperature"
2004年 Best poster award (NANO KOREA 2004, 2004 International Nanotech Symposium & Exhibition in Korea)
C. K. Hyon, T. Kamimura, A. Kojima, M. Maeda, K. Matsumoto
2005年 2005 IEEE EDS Japan Chapter Student Award:
"Coherent Transport of Hole in p-type Semiconductive Carbon Nanotube"
2006年 2006 IEEE EDS Japan Chapter Student Award:
"Electrical Observation of One Dimensional Sub-band Structure of Carbon Nanotube in Schottky Barrier Transistor"
2008年 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) Young Researcher Award:
“Single charge sensitivity of single-walled carbon nanotube single-hole transistor”


専門分野


低次元半導体電子デバイス、ナノカーボン材料


所属学会


応用物理学会

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