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2001年に日本で発見された新しい超伝導体MgB2は、金属系超伝導として最も高い超伝導転移温度を示し、NbやNbNなどの超伝導材料より高周波、高速動作できることが期待されています。

本研究では、MgB2のエレクトロニクス応用を目指して、薄膜、接合作製技術の開発を行っています。

● 低い基盤温度（<350℃）において、臨界温度が37 Kを超える高品質as-grown MgB2
    薄膜作製に成功しました。

● MgB2/AlN/MgB2トンネル接合を世界で初めて作成に成功しました。(図1)

●  MgB2中性子検出器の作製と中性子検出実験を行い、応答時間は25 nsで既存の
     中性子検出器より2桁速い高速動作することを実証しました。（図2）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（NICT、大阪府大、原研、大阪産総研共同研究）