新着情報
- 招待講演（2017年11月20日）
- 電気三学会（電気学会、電子情報通信学会、映像情報メディア学会）主催の「准員および学生員のための講演会」において、「 新しい光技術で拓く未来 ～ナノ光デバイスから深紫外LED開発～」と題し、井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
- 記事掲載（2017年9月20日）
- 日経エレクトロニクス（2017年10月号）に当センターの研究開発に係る記事が掲載されました。
「深紫外でLED大競争再び、技術にブレークスルー続々」
- 招待講演（2017年8月31日）
- レーザセンシングシンポジウムの特別セッション「未来の光センシング技術 を語る」において、井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
- 展示会出展（2017年8月31日～9月1日）
- 東京ビッグサイトで開催された展示会「JSTフェア2017 ～科学技術による未来 の産業創造展～」において、当センターの深紫外光デバイスに関する研究成果展示を行いました。
- 解説記事掲載（2017年7月25日）
- 光エレクトロニクスの専門誌「O Plus E」に深紫外LEDに関する井上振一郎 センター長の解説記事が掲載されました。
- ハイライト論文選出（2017年6月16日）
- Optics Express誌に掲載された論文が本分野に貢献する優れた研究業績として Editor's Pickのハイライト論文に選出されました。
「Electrical determination of current injection and internal quantum
efficiencies in AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes」
Optics Express 25, A639-A648 (2017).
- 新聞掲載（2017年4月13日）
- 電子デバイス産業新聞（半導体産業新聞）に掲載されました。
「NICT 世界最高出力の深紫外LED NIL活用で150mW超」
- 新聞掲載（2017年4月10日）
- 電波タイムズに掲載されました。
『1面掲載』「世界最高出力深紫外LEDを開発 150mW超え、医療技術などの革新に期待 NICT」
- 記事掲載（2017年4月7日）
- 英文サイト「Japan Chemical Daily」に掲載されました。
「NICT and Tokuyama Develop Deep UV LED, Record New World High in Output」
- 記事掲載（2017年4月6日）
- Yahoo!ニュースに掲載されました。
「NICT、深紫外LEDで実用域の光出力を達成」
- 記事掲載（2017年4月6日）
- 日経テクノロジーオンラインに掲載されました。
「情報通信研究機構、深紫外LEDの出力を50％超増」
- 記事掲載（2017年4月5日）
- 朝日新聞デジタルに掲載されました。
「150mW超（発光波長265nm）世界最高出力の深紫外LEDの開発に成功～殺菌、医療等応用が期待～」
- 新聞掲載（2017年4月5日）
- 化学工業日報に掲載されました。
『1面掲載』「深紫外LED 世界最高出力を達成 NICT トクヤマ チップ全面にナノ構造」
- 新聞掲載（2017年4月5日）
- 日刊工業新聞に掲載されました。
「深紫外LED 世界最高出力150ミリワット超 情通機構など開発 殺菌・医療向け活用」
- 新聞掲載（2017年4月5日）
- 日経産業新聞に掲載されました。
「出力10倍 殺菌用LED 20年までに実用化へ 情通機構など」
- 記事掲載（2017年4月4日）
- オプトロニクス ONLINEに掲載されました。
「NICT，深紫外LEDの光出力150mW超を達成」
- 記事掲載（2017年4月4日）
- 日本経済新聞・電子版に掲載されました。
「NICT、150mW超（発光波長265nm）出力の深紫外LEDの開発に成功」
- プレスリリース（2017年4月4日）
- プレスリリースを行いました。
「150mW超（発光波長265nm）世界最高出力の深紫外LEDの開発に成功」
- 招待講演（2017年3月22日）
- 電子情報通信学会2017年総合大会のシンポジウム（窒化物半導体を用いた新光源とその応用）において、井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
- 記事掲載（2017年3月10日）
- 日経テクノロジーオンラインに当センターの研究開発に係る記事が掲載されました。
「深紫外LEDの光取り出し効率を驚異的に改善」
- 招待講演（2016年12月21日）
- 電子情報技術産業協会「第12回量子現象利用デバイス技術分科会」において、井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
- 招待講演（2016年9月19日）
- 国際会議 E-MRS (European Materials Research Society) Fall Meeting 2016 (@
Warsaw, Poland)におけるシンポジウム「AlN and AlGaN materials and devices」において、井上振一郎
センター長が招待講演を行いました。
- 招待講演（2016年9月16日）
- LED Japan2016(パシフィコ横浜開催）のセミナー「次世代通信セミナー」において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
- 展示会出展（2016年9月14～16日）
- パシフィコ横浜で開催された展示会「LED Japan2016」において深紫外光ICTデバイスに関する展示を行いました。
- 招待講演（2016年5月19日）
- 国際会議 ALPS 2016 (The Advanced Lasers and Photon Sources Conference) (@ Pacifico Yokohama）において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
- 招待講演（2016年3月15日）
- 電子情報通信学会2016年総合大会のシンポジウム（新しい光源技術と応用的研究・開発）において、井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
- 記事掲載（2016年3月14日）
- 日経ビジネスオンラインに当センターの成果を一部紹介した記事が掲載されました。
- 「「未来の光」深紫外LEDでカビに勝利」
- 招待講演（2016年1月13日）
- ライティング・ジャパン（東京ビッグサイト開催）のセミナー「加速するLED新技術開発 最前線を追う！」において、井上振一郎 センター長 が招待講演を行いました。
- 依頼講義（2015年11月27日）
- 東京工業大学から依頼を受け 井上振一郎 センター長 が物理電子システム創造専攻において講義を行いました。
- 招待講演（2015年11月18日）
- 国際会議 Energy Materials Nanotechnology (EMN) Ultrafast Meeting（@ Las Vegas, USA）において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
- 採択結果プレスリリース（2015年11月16日）
- 科学技術振興機構（JST）研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラ ム（A-STEP）シーズ育成タイプに新規採択されました。
研究課題名：「高出力化を実現する深紫外ＬＥＤ光源技術の開発」
研究責任者：井上振一郎 センター長
JSTプレスリリースはこちら
- 記事掲載（2015年11月9日）
- 日経ビジネスに当センターの成果を一部紹介した記事が掲載されました。
「未来テック」2015年11月9日号掲載
- 海外記事掲載（2015年8月31日）
- CSA Research（2015年上半期LED照明市場政策）に掲載されました。
「深紫外LED出力パワーのブレークスルー」
- 招待講演（2015年7月17日）
- 電気学会 光・量子デバイス研究会において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました
- 招待講演（2015年6月9日）
- R-Soft特別セミナー2015において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました
- 招待講演（2015年5月26日）
- 応用物理学会 微小光学研究会において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。
- 海外記事掲載（2015年4月30日）
- LED Newsに掲載されました。
「Latest news on LED technology: Increasing power and efficiency of 265nm-wavelength LEDs」
- 海外記事掲載（2015年4月21日）
- Semiconductor Todayに掲載されました。「Increasing power and efficiency of 265nm-wavelength LEDs」
- テレビ報道（2015年4月2日）
- テレビ東京系のニュース番組（Mプラス11）において深紫外LEDの成果がTV放映されました。
- 新聞掲載（2015年4月7日）
- 日本経済新聞に掲載されました。「10倍強い深紫外線照射 殺菌効果高いLED 情通機構など」
- 新聞掲載（2015年4月7日）
- 日経産業新聞に掲載されました。「LED殺菌力向上 深紫外波長領域 出力9倍に 情通機構など」
- 新聞掲載（2015年4月3日）
- フジサンケイビジネスアイに掲載されました。「深紫外LEDの開発成功を好感」
- 新聞掲載（2015年4月2日）
- 日刊工業新聞に掲載されました。「90ミリワット超の最高出力 情通機構など 小型深紫外LED開発」
- 記事掲載（2015年4月1日）
- 日経テクノロジーオンラインに掲載されました。「高出力の深紫外LED 殺菌用水銀ランプを代替可能に」
- プレスリリース（2015年4月1日）
- プレスリリースを行いました「世界最高出力（90mW超）の深紫外LEDの開発に成功」
- 技術解説（2015年3月5日）
- 技術総合誌オームに深紫外LEDに関する井上振一郎 センター長の解説記事が掲載されました。
- 展示会出展（2015年1月28-30日）
- nano tech2015に深紫外LEDの成果物を出展致しました。
- ホームページ開設（2014年12月15日）
- 深紫外光ICTデバイス先端開発センターのホームページを開設致しました。
- 招待講演（2014年11月21日）
- 電子情報通信学会OPE/OME研究会において 井上振一郎 センター長 が招待講演を行いました。
- 依頼講義（2014年10月15日）
- 東京工業大学から委託を受け 井上振一郎 センター長 が物理電子システム創造専攻において講義を行いました。
- 招待講演（2014年9月26日）
- 電子情報通信学会ソサイエティ大会（光エレクトロニクス）において 井上振一郎 センター長 が招待講演を行いました。
- 受賞（2014年9月17日）
- 応用物理学会論文賞を 井上振一郎 センター長 が共同研究者（Tokuyama, Hexa Tech, 農工大, North Carolina
State Univ.）とともに受賞しました。
- センター開設（2014年8月1日）
- 深紫外光ICTデバイス先端開発センターが発足しました。
