深紫外LED、先端ナノ光構造技術、深紫外光ICTデバイスが拓く未来

研究室概要

深紫外光ICT研究室では、フォトニック結晶や先端ナノ光構造技術などの基礎研究と、産官連携の取組みによる応用研究を融合することで、深紫外（DUV）発光素子や光ICTデバイスの高効率化、新機能創出に向けた研究開発を進め、従来性能限界を打破する深紫外光デバイスの実現に挑戦します。低環境負荷かつ小型・高効率・低コストな従来にない深紫外LEDや深紫外光ICTデバイスを実現することで、情報通信から環境、安全衛生、医療に至るまで、幅広い分野の生活・社会インフラに画期的な技術革新をもたらすことを目指します。

新着情報

記事掲載（2024年6月10日）

日本光学会「光学」2024年6月号において、「2023年の日本の光学研究を代表する成果」の一つとして、我々の配光角を制御できる深紫外LEDの研究成果が選定されました。

総説記事掲載（2024年5月10日）

月刊「オプトロニクス」（2024年5月発行）の特集「深紫外光デバイスの進展とその応用」において、井上室長の総説記事が掲載されました。

新聞掲載（2024年3月6日）

日刊工業新聞に掲載されました。
「【素材・建設・環境・エネルギー】[NEWS CLIP]深紫外LEDで実証」

新聞掲載（2024年2月27日）

化学工業日報（2面）に掲載されました。
「深紫外LEDで電車の空気殺菌実証開始」

お知らせ（2024年2月22日）

「深紫外LEDによる電車車内での空気殺菌の実証試験について」

記事掲載（2023年11月20日）

日本経済新聞（電子版）に掲載されました。
「NICT、高指向性の深紫外LED　レンズなしで配向角制御」

新聞掲載（2023年11月17日）

日本経済新聞に掲載されました。
「【サイエンス・フロンティア】[From Academia]殺菌に有効な深紫外線を鋭く」

新聞掲載（2023年11月17日）

科学新聞に掲載されました。
「「世界初」高指向性の深紫外LED NICTが実現」

記事掲載（2023年11月17日）

日本経済新聞（電子版）に掲載されました。
「殺菌に有効な深紫外線を鋭く」

記事掲載（2023年11月16日）

日本経済新聞（電子版）に掲載されました。
「深紫外線をLEDで鋭く照射、NICT　消毒や無線通信に」

記事掲載（2023年11月16日）

Itmediaに掲載されました。
「光学レンズを使わずに光の配光角を制御できるオプティクスフリー深紫外LED」

新聞掲載（2023年11月8日）

電波タイムズに掲載されました。
「照射角を自在にコントロール NICT 「配光角を制御」 深紫外LEDの開発に成功 超高速・低ノイズ「光無線通信」目指す」

記事掲載（2023年11月7日）

OPTRONICS ONLINEに掲載されました。
「NICT、光の配光角を制御できる深紫外LEDを開発」

記事掲載（2023年11月2日）

日本経済新聞（電子版）に掲載されました。
「NICT、光の配光角を制御できる深紫外LEDの開発に成功」

新聞掲載（2023年11月2日）

日刊工業新聞に掲載されました。
「深紫外LEDの配光制御　取り出し効率1.5倍」

プレスリリース（2023年11月1日）

プレスリリースを行いました。
「世界初、光の配光角を制御できる深紫外LEDの開発に成功
〜ナノ光構造技術により、光学レンズを用いることなく、“高指向性”深紫外LEDを実現〜」

招待講演（2023年9月12日）

電子情報通信学会ソサイエティ大会の企画シンポジウム（＠名古屋大学）において、井上室長が「安全・安心と地球環境の保全に貢献する深紫外光デバイス技術の研究開発」のタイトルで招待講演を行いました。

新聞掲載（2023年6月16日）

科学新聞に掲載されました。
「日中・屋外かつ見通し外の環境克服 深紫外LEDの光無線通信実証 NICT 革新的な光ワイヤレス通信実現」

新聞掲載（2023年6月9日）

電波タイムズに掲載されました。
「NICT 深紫外LEDを活用した日中・屋外かつ“見通し外”環境下での光無線通信実証に成功 ビルなどの障害物や太陽光背景ノイズに邪魔をされない革新的な光ワイヤレス通信を実現」

新聞掲載（2023年6月9日）

日経産業新聞に掲載されました。
【イノベーション】「光無線通信、屋外で成功 情通機構、障害物に対応」

記事掲載（2023年6月5日）

日本経済新聞（電子版）に掲載されました。
「NICT、超高速・光無線通信実用化に道 障害物避け伝送」

記事掲載（2023年6月1日）

OPTRONICS ONLINEに掲載されました。

プレスリリース（2023年6月1日）

プレスリリースを行いました。
「深紫外LEDを活用した日中・屋外かつ“見通し外”環境下での光無線通信実証に成功」

特別講演（2023年4月20日）

OPIE'23（OPTICS & PHOTONICS International Exhibition）光産業技術振興協会主催「光技術動向セミナー」（＠パシフィコ横浜）において、井上室長が「深紫外光デバイス技術の研究開発とその応用展開」のタイトルで特別講演を行いました。

招待講演（2023年1月13日）

日本学術振興会 R032委員会 第10回研究会 「AlNおよびAlGaNの結晶成長と深紫外LEDの最前線」において、井上室長が招待講演を行いました。

記事掲載（2022年12月20日）

日経エレクトロニクス（2023年1月号）に掲載されました。
「深紫外LEDの用途が急拡大、市場は10年で100倍弱」
記事内でNICTの深紫外LEDに関する研究成果が紹介されました。

記事掲載（2022年11月28日）

日経 xTECH（クロステック）に掲載されました。
「深紫外LEDの用途が急拡大、市場は10年で100倍弱」
記事内でNICTの深紫外LEDに関する研究成果が紹介されました。

新聞掲載（2022年11月18日）

科学新聞に掲載されました。
「【産業・応用・製品】「コロナで注目」深紫外LED照射 ワット級の高出力小型ハンディ機 世界で初めてNICTが開発 広範囲のウイルス 迅速に不活性化 」

新聞掲載（2022年11月17日）

電子デバイス産業新聞に掲載されました。
「NICT 深紫外線の照射機 ハンディ型を開発」

新聞掲載（2022年11月11日）

日経産業新聞に掲載されました。
【イノベーション】「ウイルス不活化、手で持ち運べる装置 情通機構、広範囲を30秒以内に」

新聞掲載（2022年11月10日）

日本農業新聞に掲載されました。
「ウイルス不活化 小型LED開発 情報通信研究機構」

記事掲載（2022年11月1日）

時事ドットコムに掲載されました。
「深紫外ＬＥＤの小型照射機　ウイルスを不活性化―情報通信研究機構」

新聞掲載（2022年10月31日）

日刊工業新聞に掲載されました。
「豚コロナ 不活化 8W級ハンディ型 深紫外照射機 情通機構」

記事掲載（2022年10月31日）

日刊工業新聞（電子版）に掲載されました。
「情通機構、ウイルスを13秒で99.9％不活化　８Ｗ級ハンディ型深紫外LED照射機」

記事掲載（2022年10月28日）

OPTRONICS ONLINEに掲載されました。
「NICT，8W超の深紫外LEDハンディ照射機を開発」

記事掲載（2022年10月27日）

日本経済新聞（電子版）に掲載されました。
「NICT、ワット級高出力動作の深紫外LED小型ハンディ照射機の開発に成功」

記事掲載（2022年10月27日）

日本経済新聞（電子版）に掲載されました。
「広範囲のウイルス不活化　情通機構、小型のLED照射装置」

プレスリリース（2022年10月27日）

プレスリリースを行いました。
「世界初、ワット級高出力動作の深紫外LED小型ハンディ照射機の開発に成功」

新聞掲載（2022年4月6日）

化学工業日報に掲載されました。
「エアロゾル中のコロナウイルス 高出力深紫外LEDで不活化 液体中に比べ約9倍効率的 東大とNICT」
記事内でNICTの深紫外LEDに関する研究成果が紹介されました。

記事掲載（2022年3月22日）

Laser Focus World Japanに掲載されました。
「DUV LEDにより エアロゾル中の新型コロナウイルスの高速不活性化」

記事掲載（2022年3月18日）

日本経済新聞（電子版）に掲載されました。
「東大とNICT、高出力深紫外LEDによりエアロゾル中の新型コロナウイルスの高速不活性化に成功」

記事掲載（2022年3月18日）

OPTRONICS ONLINEに掲載されました。
「東大ら，高出力深紫外LED開発しコロナ高速不活化」

プレスリリース（2022年3月18日）

プレスリリースを行いました。
「高出力深紫外LED（265nm帯）によりエアロゾル中の新型コロナウイルスの高速不活性化に成功」

招待講演（2021年12月10日）

ワイドギャップ半導体学会（WideG）第4回研究会「深紫外発光素子の新展開と応用展望」において、井上室長が招待講演を行いました。

採択結果プレスリリース（2021年7月30日）

環境省令和３年度革新的な省CO2型感染症対策技術等の実用化加速のための実証事業（一次公募）に新規採択されました。
研究課題名：「脱炭素社会に貢献する265nm帯高強度深紫外LED開発とウィルス不活性化・CO2排出削減効果実証」
研究代表者：井上　振一郎
環境省プレスリリースはこちら

新聞掲載（2021年1月16日）

河北新報（夕刊）に掲載されました。
見聞録「科学技術　注目集まる深紫外線　コロナ不活化 対策の一助に」
記事内でNICTの深紫外LEDに関する研究成果が紹介されました。

新聞掲載（2021年1月9日）

千葉日報に掲載されました。
見聞録「科学技術　新型コロナを不活化　感染対策、深紫外線に注目」
記事内でNICTの深紫外LEDに関する研究成果が紹介されました。

招待講演（2020年12月18日）

令和2年度 第2回ナノ理工学情報交流会「これからのコロナテック」（＠大阪大学 豊中キャンパス）において、井上 振一郎センター長が招待講演を行いました。

新聞掲載（2020年8月2日）

日本経済新聞（朝刊）に掲載されました。
サイエンス欄「重要性増す技術トレンド」
記事内でNICTの深紫外LEDに関する研究成果が紹介されました。

記事掲載（2020年6月22日）

日経 xTECH（クロステック）に掲載されました。
「テックで“密”避け新型コロナ対策」
NICTの深紫外LEDに関する研究成果が記事内で紹介されました。

記事掲載（2020年5月20日）

日経エレクトロニクス（2020年6月号）に掲載されました。
「テクノロジーで脱「４密」アフターコロナ社会の基盤に」
NICTの深紫外LEDに関する研究成果が記事内で紹介されました。

記事掲載（2020年5月29日）

日経 xTECH（クロステック）に掲載されました。
「テクノロジーで‟断密”、集・近・閉・触による感染回避へ」
NICTの深紫外LEDに関する研究成果が記事内で紹介されました。

科研費採択（2020年4月1日）

科学研究費　基盤研究(A)に採択されました。
研究課題名 ： 「金属・半導体多層系ファノ共鳴励起による深紫外LEDの輻射場制御」
研究代表者 ： 井上 振一郎
研究期間 ： 2020年度～2024年度

記事掲載（2020年3月号）

NICT NEWSに掲載されました。
「光出力500mWを超える極めて高出力な265nm帯深紫外LEDを実現」

APL Top Articles に選出（2020年1月31日）

Applied Physics Letters誌に掲載された論文がPhotonics and Optoelectronics分野において最も引用、最もダウンロードされた記事の一つとしてTop Articlesにハイライト選出されました。
 「150 mW deep-ultraviolet light-emitting diodes with large-area AlN nanophotonic light-extraction structure emitting at 265 nm」
 S. Inoue et al., Appl. Phys. Lett. 110, 141106 (2017).

招待講演（2019年11月9日）

薄膜材料デバイス研究会 第16回研究集会「新時代に向けた薄膜材料のデバイス技術」（＠ 龍谷大学 響都ホール）において、井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。

招待講演（2019年10月15日）

国際会議CCMST (Collaborative Conference on Materials Science and Technology) 2019（＠ Shanghai）において、井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。

表紙掲載（2019年10月10日）

応用物理学会機関紙『応用物理』（第88巻第10号）に井上振一郎 センター長の研究紹介記事が掲載され、その表紙に取上げられました。

招待講演（2019年8月11日）

国際会議SPIE Optics & Photonics 2019（@ San Diego）において、井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。

招待講演（2019年3月18日）

光産業技術振興協会主催の光産業技術マンスリーセミナーにおいて、井上振一郎 センター長が「ナノ光構造技術と深紫外光デバイス」のテーマで招待講演を行いました。

新聞掲載（2018年7月12日）

フジサンケイビジネスアイ紙（1・2面）に掲載されました。
「【先端技術大賞】斬新発想　持続可能な発展導く」

記事掲載（2018年7月12日）

Yahoo!ニュースに掲載されました。
「第32回先端技術大賞授賞式　受賞励み　新たな飛躍へ意欲」

受賞（2018年7月11日）

第32回 先端技術大賞 フジサンケイビジネスアイ賞 を井上センター長が受賞しました。
授賞式は、高円宮妃殿下も御臨席され、明治記念館で執り行われました。

招待講演（2018年6月27日）

国際会議CCMR（Collaborative Conference on Materials Research）2018（@ Incheon, Soul）において、井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。

新聞掲載（2018年5月22日）

日刊工業新聞に掲載されました。
「情報通信研究機構　NICT先端研究　環境にクリーン　深紫外LEDに期待」

招待講演（2018年1月31日）

国際会議 SPIE Photonics West 2018 （@ San Francisco）において、井上振一郎　センター長が招待講演を行いました。

解説記事掲載（2017年11月22日）

光産業技術振興協会 発行の「OPTO News」に井上振一郎 センター長の深紫外LED研究開発に関する解説記事が掲載されました。

招待講演（2017年11月20日）

電気三学会（電気学会、電子情報通信学会、映像情報メディア学会）主催の「准員および学生員のための講演会」において、「 新しい光技術で拓く未来　～ナノ光デバイスから深紫外LED開発～」と題し、井上振一郎　センター長が招待講演を行いました。

記事掲載（2017年9月20日）

日経エレクトロニクス（2017年10月号）に当センターの研究開発に係る記事が掲載されました。
「深紫外でLED大競争再び、技術にブレークスルー続々」

招待講演（2017年8月31日）

レーザセンシングシンポジウムの特別セッション「未来の光センシング技術 を語る」において、井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。

展示会出展（2017年8月31日～9月1日）

東京ビッグサイトで開催された展示会「JSTフェア2017 ～科学技術による未来 の産業創造展～」において、当センターの深紫外光デバイスに関する研究成果展示を行いました。

解説記事掲載（2017年7月25日）

光エレクトロニクスの専門誌「O Plus E」に深紫外LEDに関する井上振一郎 センター長の解説記事が掲載されました。

ハイライト論文選出（2017年6月16日）

Optics Express誌に掲載された論文が本分野に貢献する優れた研究業績として Editor's Pickのハイライト論文に選出されました。
「Electrical determination of current injection and internal quantum efficiencies in AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes」
 Optics Express 25, A639-A648 (2017).

新聞掲載（2017年4月13日）

電子デバイス産業新聞（半導体産業新聞）に掲載されました。
「NICT　世界最高出力の深紫外LED　NIL活用で150mW超」

新聞掲載（2017年4月10日）

電波タイムズに掲載されました。
『1面掲載』「世界最高出力深紫外LEDを開発　150mW超え、医療技術などの革新に期待　NICT」

記事掲載（2017年4月7日）

英文サイト「Japan Chemical Daily」に掲載されました。
「NICT and Tokuyama Develop Deep UV LED, Record New World High in Output」

記事掲載（2017年4月6日）

Yahoo!ニュースに掲載されました。
「NICT、深紫外LEDで実用域の光出力を達成」

記事掲載（2017年4月6日）

日経テクノロジーオンラインに掲載されました。
「情報通信研究機構、深紫外LEDの出力を50％超増」

記事掲載（2017年4月5日）

朝日新聞デジタルに掲載されました。
「150mW超（発光波長265nm）世界最高出力の深紫外LEDの開発に成功～殺菌、医療等応用が期待～」

新聞掲載（2017年4月5日）

化学工業日報に掲載されました。
『1面掲載』「深紫外LED 世界最高出力を達成 NICT トクヤマ チップ全面にナノ構造」

新聞掲載（2017年4月5日）

日刊工業新聞に掲載されました。
「深紫外LED 世界最高出力150ミリワット超 情通機構など開発 殺菌・医療向け活用」

新聞掲載（2017年4月5日）

日経産業新聞に掲載されました。
「出力10倍 殺菌用LED　20年までに実用化へ　情通機構など」

記事掲載（2017年4月4日）

オプトロニクス ONLINEに掲載されました。
「NICT，深紫外LEDの光出力150mW超を達成」

記事掲載（2017年4月4日）

日本経済新聞・電子版に掲載されました。
「NICT、150mW超（発光波長265nm）出力の深紫外LEDの開発に成功」

プレスリリース（2017年4月4日）

プレスリリースを行いました。
「150mW超（発光波長265nm）世界最高出力の深紫外LEDの開発に成功」

招待講演（2017年3月22日）

電子情報通信学会2017年総合大会のシンポジウム（窒化物半導体を用いた新光源とその応用）において、井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。

記事掲載（2017年3月10日）

日経テクノロジーオンラインに当センターの研究開発に係る記事が掲載されました。
「深紫外LEDの光取り出し効率を驚異的に改善」

招待講演（2016年12月21日）

電子情報技術産業協会「第12回量子現象利用デバイス技術分科会」において、井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。

招待講演（2016年9月19日）

国際会議 E-MRS (European Materials Research Society) Fall Meeting 2016 (@ Warsaw, Poland)におけるシンポジウム「AlN and AlGaN materials and devices」において、井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。

招待講演（2016年9月16日）

LED Japan2016(パシフィコ横浜開催）のセミナー「次世代通信セミナー」において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。

展示会出展（2016年9月14～16日）

パシフィコ横浜で開催された展示会「LED Japan2016」において深紫外光ICTデバイスに関する展示を行いました。

招待講演（2016年6月28日）

一般社団法人新技術協会の講演会(@霞が関 法曹会館）において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。

展示会出展（2016年5月31日）

総務省で開催された展示会「未来を拓くICT展示会 in 霞が関」において深紫外光ICTデバイスに関する展示を行いました。

招待講演（2016年5月26日）

日本真空工業会(JVIC 関西支部)第30回定時総会講演会(@ホテル大阪ベイタワー）において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。

招待講演（2016年5月19日）

国際会議 ALPS 2016 (The Advanced Lasers and Photon Sources Conference) (@ Pacifico Yokohama）において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。

解説記事掲載（2016年4月1日）

月刊「光アライアンス」に井上振一郎 センター長の解説記事「ナノ光構造技術による深紫外LEDの高出力化」が掲載されました。

招待講演（2016年3月15日）

電子情報通信学会2016年総合大会のシンポジウム（新しい光源技術と応用的研究・開発）において、井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。

記事掲載（2016年3月14日）

日経ビジネスオンラインに当センターの成果を一部紹介した記事が掲載されました。

「「未来の光」深紫外LEDでカビに勝利」

展示会出展（2016年1月27-29日）

nano tech2016に深紫外LEDの成果物を出展しました。

招待講演（2016年1月13日）

ライティング・ジャパン（東京ビッグサイト開催）のセミナー「加速するLED新技術開発　最前線を追う！」において、井上振一郎 センター長 が招待講演を行いました。

依頼講義（2015年11月27日）

東京工業大学から依頼を受け 井上振一郎 センター長 が物理電子システム創造専攻において講義を行いました。

招待講演（2015年11月18日）

国際会議 Energy Materials Nanotechnology (EMN) Ultrafast Meeting（@ Las Vegas, USA）において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。

採択結果プレスリリース（2015年11月16日）

科学技術振興機構（JST）研究成果展開事業　研究成果最適展開支援プログラ ム（A-STEP）シーズ育成タイプに新規採択されました。
研究課題名：「高出力化を実現する深紫外ＬＥＤ光源技術の開発」
研究責任者：井上振一郎 センター長
JSTプレスリリースはこちら

記事掲載（2015年11月9日）

日経ビジネスに当センターの成果を一部紹介した記事が掲載されました。 「未来テック」2015年11月9日号掲載

海外記事掲載（2015年8月31日）

CSA Research（2015年上半期LED照明市場政策）に掲載されました。 「深紫外LED出力パワーのブレークスルー」

招待講演（2015年7月17日）

電気学会 光・量子デバイス研究会において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました

招待講演（2015年6月9日）

R-Soft特別セミナー2015において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました

招待講演（2015年5月26日）

応用物理学会 微小光学研究会において井上振一郎 センター長が招待講演を行いました。

海外記事掲載（2015年4月30日）

LED Newsに掲載されました。 「Latest news on LED technology: Increasing power and efficiency of 265nm-wavelength LEDs」

海外記事掲載（2015年4月21日）

Semiconductor Todayに掲載されました。「Increasing power and efficiency of 265nm-wavelength LEDs」

テレビ報道（2015年4月2日）

テレビ東京系のニュース番組（Mプラス11）において深紫外LEDの成果がTV放映されました。

新聞掲載（2015年4月7日）

日本経済新聞に掲載されました。「10倍強い深紫外線照射　殺菌効果高いLED　情通機構など」

新聞掲載（2015年4月7日）

日経産業新聞に掲載されました。「LED殺菌力向上　深紫外波長領域　出力9倍に　情通機構など」

新聞掲載（2015年4月3日）

フジサンケイビジネスアイに掲載されました。「深紫外LEDの開発成功を好感」

新聞掲載（2015年4月2日）

日刊工業新聞に掲載されました。「90ミリワット超の最高出力　情通機構など　小型深紫外LED開発」

記事掲載（2015年4月1日）

日経テクノロジーオンラインに掲載されました。「高出力の深紫外LED　殺菌用水銀ランプを代替可能に」

プレスリリース（2015年4月1日）

プレスリリースを行いました「世界最高出力（90mW超）の深紫外LEDの開発に成功」

技術解説（2015年3月5日）

技術総合誌オームに深紫外LEDに関する井上振一郎 センター長の解説記事が掲載されました。

展示会出展（2015年1月28-30日）

nano tech2015に深紫外LEDの成果物を出展致しました。

ホームページ開設（2014年12月15日）

深紫外光ICTデバイス先端開発センターのホームページを開設致しました。

招待講演（2014年11月21日）

電子情報通信学会OPE/OME研究会において 井上振一郎 センター長 が招待講演を行いました。

依頼講義（2014年10月15日）

東京工業大学から委託を受け 井上振一郎 センター長 が物理電子システム創造専攻において講義を行いました。

招待講演（2014年9月26日）

電子情報通信学会ソサイエティ大会（光エレクトロニクス）において 井上振一郎 センター長 が招待講演を行いました。

受賞（2014年9月17日）

応用物理学会論文賞を 井上振一郎 センター長 が共同研究者（Tokuyama, Hexa Tech, 農工大, North Carolina State Univ.）とともに受賞しました。

センター開設（2014年8月1日）

深紫外光ICTデバイス先端開発センターが発足しました。

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