共同研究 ／ joint research
多価イオンプロセスを使用したナノデバイス作製と評価に関する研究
共同研究概要
ナノテクノロジーに関する技術分野では量子ドットなどのナノ構造体を10数nm以下にすることやその位置制御法を確立することが重要かつ困難な基本的技術課題となっている。多価イオンは1-10数nmのサイズで構造変態の誘起を制御可能であり、しかも均一性の高いナノデバイス・システムへつながるものである。
本研究グループの既存設備である超高真空SPM装置、光学測定機器と共同研究先の多価イオン照射技術を合わせ、共同研究を行なうことによりナノ構造体の配列制御の実現を目指すことを目的とする。
相手先機関名
電気通信大学レーザー新世代研究センター
